磷光发光元件用材料及使用其的有机电致发光元件的制作方法

文档序号:3743327阅读:202来源:国知局
专利名称:磷光发光元件用材料及使用其的有机电致发光元件的制作方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光元件用的磷光发光元件用材料及使用其的有机电致发光元件,详细而言,涉及对由有机化合物构成的发光层施加电场而放出光的薄膜型器件。
背景技术
一般而言,有机电致发光元件(以下,称为有机EL元件),作为其最简单的结构由发光层以及夹持该层的一对对置电极构成。即,有机EL元件中,利用如下现象当在两电极间施加电场时,从阴极注入电子,从阳极注入空穴,这些电子和空穴在发光层中复合,放出光。近年来,进行了使用有机薄膜的有机EL元件的开发。特别是为了提高的发光效率,以提高由电极注入载流子的效率为目的而进行电极种类的最优化,通过在电极间以薄膜的形式设置由芳香族二胺构成的空穴传输层和由8-羟基喹啉铝络合物(以下称为Alq3) 构成的发光层的元件的开发,进行了与以往使用了蒽等的单晶的元件相比大幅度的发光效率的改善,因此以在具有自发光·高速应答性这样的特征的高性能平板中的实用化为目标进行发展。另外,作为提高元件的发光效率的尝试,还研究不使用荧光而使用磷光。以上述的设置有由芳香族二胺构成的空穴传输层和由Alq3构成的发光层的元件为代表的许多元件利用的是荧光发光,但通过使用磷光发光、即利用来自三重激发态的发光,与以往的使用荧光(单重态)的元件相比,可以期待3 4倍左右的效率提高。为了该目的,对将香豆素衍生物、二苯甲酮衍生物作为发光层进行了研究,但只得到极低的亮度。另外,作为利用三重态的尝试,对使用铕络合物进行了研究,但其也达不到高效率的发光。近年来,如专利文献 1中列举的那样以发光的高效率化、长寿命化为目的、以铱络合物等的有机金属络合物为中心进行了大量研究。现有技术文献专利文献1 特表2003-515897号公报专利文献2 特开2001-313178号公报专利文献3 特开平11_16沈50号公报专利文献4 特开平11-176578号公报为了得到高的发光效率,与上述掺杂剂材料同时使用的主体材料变得重要。作为主体材料而提案的代表性的材料,可举出专利文献2中介绍的咔唑化合物的4,4'-双 (9-咔唑基)联苯(以下,称为CBP)。在CBP作为以三(2-苯基吡啶)铱络合物(以下, 称为IHppyM)为代表的绿色磷光发光材料的主体材料使用的情况下,CBP在容易使空穴流动、难以使电子流动的特性方面,电荷注入平衡得到破坏,过剩的空穴流出到电子传输层侧,结果来自Ir(ppy)3的发光效率降低。如上所述,为了在有机EL元件中得到高的发光效率,需要具有高的三重激发能、 且在两电荷(空穴·电子)注入传输特性中取得了平衡的主体材料。进而,期望电化学稳定、具有高耐热性同时具有优异的无定形稳定性的化合物,进一步要求改良。专利文献3中,作为空穴传输材料公开了以下所示的吲哚并咔唑化合物(A)。
权利要求
1. 一种磷光发光元件用材料,其由通式(1)表示的吲哚并咔唑化合物构成,
2.如权利要求1所述的磷光发光元件用材料,其特征在于,通式(1)表示的吲哚并咔唑化合物为由通式(2)表示的吲哚并咔唑化合物,
3.如权利要求2所述的磷光发光元件用材料,其特征在于,通式O)中,A为非稠环结构的碳数6 38的芳香族烃基或上述式Oc)表示的芳香族杂环基。
4.如权利要求1所述的磷光发光元件用材料,其中,通式(2)中,Ar为非稠环结构的芳香族烃基或芳香族杂环基。
5.如权利要求2所述的磷光发光元件用材料,其中,通式(2)表示的吲哚并咔唑化合物为通式(3) (6)的任一者表示的吲哚并咔唑化合物,
6.一种有机电致发光元件,其为在基板上层叠阳极、有机层及阴极而成的有机电致发光元件,其特征在于,具有含有权利要求1 5中任一项所述的磷光发光元件用材料的有机层。
7.如权利要求6所述的有机电致发光元件,其中,含有磷光发光元件用材料的有机层为选自由发光层、空穴传输层、电子传输层、及空穴阻挡层组成的组中的至少一层。
8.如权利要求7所述的有机电致发光元件,其特征在于,含有磷光发光元件用材料的有机层为含有磷光发光掺杂剂的发光层。
全文摘要
本发明提供一种改善元件的发光效率、充分确保驱动稳定性且具有简单的构成的有机电致发光元件。该有机EL元件在层叠于基板上的阳极和阴极之间具有发光层的有机电致发光元件,是该发光层含有磷光发光性掺杂剂和吲哚并咔唑化合物作为主体材料的有机电致发光元件。作为吲哚并咔唑化合物,有下述式(1)表示的化合物。需要说明的是,式中环A、环B分别由式(1a)、(1b)表示,Ar表示芳香族烃基或芳香族杂环基,R表示氢、烷基或环烷基,X表示次甲基或氮,A表示芳香族烃基、烷基、环烷基或式(1c)表示的基团,n表示0或1。
文档编号C09K11/06GK102341396SQ201080009319
公开日2012年2月1日 申请日期2010年3月24日 优先权日2009年3月31日
发明者古森正树, 山本敏浩, 松本惠, 甲斐孝弘 申请人:新日铁化学株式会社
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