专利名称：用于液晶介质的化合物及其用于高频组件的用途的制作方法
用于液晶介质的化合物及其用于高频组件的用途 本发明涉及具有至少ー个双键和至少ー个1，4-亚萘基基团或者1，4-或9，10-亚蒽基的芳族化合物，其用于高频组件的用途，包含该化合物的液晶介质和包含这些介质的高频组件，尤其是天线，特別是用于千兆赫范围的。该液晶介质例如起到用于可谐调“相控阵”天线的微波相移的作用。液晶介质长久以来已经用于电光学显示器(液晶显示器-IXD)以显示信息。然而，最近也已经提出将液晶介质用到用于微波技术的元件或组件中，如例如在 DE 10 2004 029 和在 JP2005-120208 (A)中所述的。液晶介质在高频技术中的エ业上有价值的应用基于它们的性质，即它们的介电性质可通过可变电压控制，尤其是对于千兆赫范围。因此能够构造不包含任何活动部件的可谐调的天线(A. Gaebler, A. Moessinger, F. Goelden等人，"Liquid Crystal-Reconfigurable Antenna Concepts for Space Applications at Microwave and Millimeter Waves", International Journal of Antennas and Propagation, vol.2009, Article ID 876989，第 7 页，2009，doi :10.1155/2009/876989)。A. Penirschke, S. Muller, P. Scheele, C. Weil, Μ. Mittek, C. Hock and R. Jakoby "Cavity Perturbation Method for Characterization of Liquid Crystals up to 35GHz，，，34th European Microwave Conference—Amsterdam，545—548 尤其描述了己知的液晶单个物质K15 (Merck KGaA，德国)在9GHz的频率下的性质。下式的化合物
权利要求
1.式I的化合物
2.根据权利要求1的化合物，其特征在于选自八^和八4的至少一个基团表示任选取 代的1，4-亚萘基或者1，4-或9，10-亚蒽基。
3.根据权利要求1或2的化合物，其特征在于式I的化合物包含一个或两个任选取代的1，4-亚萘基或者1，4-或9，10-亚蒽基。
4.根据权利要求1到3的ー项或多项的化合物，其特征在于m和η是0。
5.液晶介质，其特征在于其包含根据权利要求1到4的ー项或多项的ー种或多种式I 的化合物。
6.根据权利要求5的液晶介质，其特征在于它另外包含一种或多种选自式II化合物的化合物
7.根据权利要求5或6的液晶介质，其特征在于在介质中式I的化合物的浓度在总计从5%到95%的范围内。
8.根据权利要求1到4的一项或多项的式I的化合物在液晶混合物中的用途。
9.根据权利要求1到4的一项或多项的式I的化合物在用于高频技术的组件中的用途。
10.制备根据权利要求5到7的一项或多项所述的液晶介质的方法，其特征在于将式I 的ー种或多种化合物与一种或多种其他的化合物和任选地与ー种或多种添加剂混合。
11.用于高频技术的组件，其特征在于它包含根据权利要求5到7的ー项或多项的液晶介质。
12.根据权利要求11的组件，其特征在于它是一种或多种功能上连接的移相器。
13.根据权利要求5到7的一项或多项所述的液晶介质在用于高频技术的组件中的用途。
14.相控天线群，其特征在于它包含根据权利要求11或12的ー个或多个组件。
全文摘要
本发明涉及式(I)的化合物，其中基团A1-5的一个或多个表示1，4-亚萘基或者1，4-或9，10-亚蒽基，以及其他参数如权利要求1中定义。本发明此外还包括包含主题化合物的液晶介质、包含这些介质的用于高频技术的组件，特别是移相器和微波阵列天线。
文档编号C09K19/42GK102597168SQ201080048996
公开日2012年7月18日 申请日期2010年10月6日 优先权日2009年11月4日
发明者A·曼那贝, C·雅斯佩, D·鲍鲁斯, E·蒙特尼格罗, V·赖芬拉特 申请人:默克专利股份有限公司