制膜方法

专利名称：制膜方法
技术领域：
本发明涉及在对象物上喷涂从喷嘴喷射出来的超微粒材料从而在对象物上形成膜的制膜方法。
背景技术：
如上所述那样，使用由陶瓷材料或金属材料形成的粒径100 μ m以下的超微粒，用惰性气体等将该超微粒气溶胶化而制成超微粒材料，将该超微粒材料喷射到对象物上来制膜的技术，作为气溶胶沉积法而广为人知(例如参照下述专利文献1)。下述专利文献1中记载的制膜方法是能够制造膜内的超微粒的接合充分、组织致密、表面平滑、密度均勻的膜的制膜方法。具体而言，是相对于构成对象物的平面倾斜地喷射超微粒材料的制膜方法。如此倾斜地喷射超微粒材料，能形成优质的膜。下述专利文献1中记载的制膜方法，在构成对象物的面仅为平面的情况下是极其有效的技术，但在构成对象物的面包含弯曲面的情况下，还需要进一步改进。具体而言，要想方设法使超微粒材料的喷射角即使在弯曲面上也保持一定角度，例如有人提出了下述专利文献2中记载的技术。下述专利文献2中记载的制膜方法是在构成圆筒形对象物的弯曲面上制膜的方法，其一边使圆筒形对象物围绕该圆筒形状的中心轴转动，一边在圆筒形外周即弯曲面上喷涂超微粒材料。更具体而言，通过一边使圆筒形对象物转动一边喷涂超微粒材料，使在圆筒形外周的弯曲面上反射的超微粒材料中的超微粒二次碰撞，从而形成均勻的膜。另外，作为在对象物的外周的一部分形成了弯曲面的情况下的制膜方法之一，有人提出了下述专利文献3中记载的制膜方法。下述专利文献3中记载的制膜方法通过使用专用喷嘴在弯曲面上生成密度高的膜，该专用喷嘴具有与在对象物外周的一部分形成的弯曲面的宽度相同的开口。专利文献1 特开2002-20878号公报专利文献2 特开2008-7804号公报专利文献3 特开2008-240068号公报

发明内容
用气溶胶沉积法来制膜，如上述专利文献1中所公开的那样，相对于成为制膜对象的面，在保持一定的角度的同时倾斜地喷射超微粒材料，是形成密度高的优质膜的必要条件。上述专利文献2中记载的制膜方法，以对象物是圆筒形为前提，用于喷射超微粒材料的喷嘴的位置固定，一边使对象物转动一边喷涂超微粒材料。该制膜方法确实在对象物为圆筒形的情况下比较容易实现，但是例如像将长方体形状的各棱边倒角后那样、对象物的一部分由弯曲面形成而其余部分由平面形成的情况下，很难生成致密且优质的膜。当对象物的一部分由弯曲面形成而其余部分由平面形成时，若要采用上述专利文献2中记载的制膜方法，为了仅在弯曲面上喷涂超微粒材料，需要使对象物或喷嘴转动以使仅弯曲面与喷嘴正对。这必须要实现极小范围内的转动动作，但是这个很难实现。此外， 弯曲面的曲率半径越小，必须使转动动作的速度越快，因此更加难以实现。另一方面，若要采用上述专利文献3中记载的制膜方法，虽然不会产生上述转动动作的技术问题，但必须使用仅用于在弯曲面上制膜的专用喷嘴。为此，需要交换用于平面上制膜的喷嘴和用于弯曲面上制膜的喷嘴，还需要构筑用于并用这两个喷嘴的特别机构， 因此从烦杂的作业性和机构的复杂性的观点出发，其很难实现。此外，若采用上述专利文献 3中记载的制膜方法，由于不是连续地在平面和弯曲面上进行制膜，因此平面上形成的膜与弯曲面上形成的膜的接合部分不是一体的，在该接合部分膜的质量可能会下降。本发明鉴于上述技术问题而完成，其目的在于提供用简单的方法即可形成连续的优质膜的制膜方法，其通过在具备第一平面和与该第一平面成90度以上不足180度的角度的第二平面、连接上述第一平面和上述第二平面的弯曲面的对象物上，喷涂从喷嘴喷射出来的超微粒材料的同时，连续地改变其喷涂位置，从而生成连续地覆盖上述第一平面和上述第二平面和上述弯曲面的膜。为了解决上述技术问题，本发明的制膜方法通过在具备第一平面和与该第一平面成90度以上不足180度的角度的第二平面、连接上述第一平面和上述第二平面的弯曲面的对象物上，喷涂从喷嘴喷射出来的超微粒材料的同时，连续地改变其喷涂位置，从而生成连续地覆盖上述第一平面和上述第二平面和上述弯曲面的膜，其具备第一配置工序和第一制膜工序、第二配置工序、第二制膜工序。在第一配置工序中，以如下方式，与所述第一平面对置地配置所述喷嘴沿着所述超微粒材料的喷射方向的喷射直线与所述第一平面所成的角度在30度到60度的范围内， 并且，当所述喷嘴位于所述喷射直线到达所述第一平面与所述弯曲面的边界即第一边界线的位置时，在所述第一平面上投影所述喷射直线得到的第一假想线与所述第一边界线所成的角度在0度到60度的范围内。在紧接第一配置工序、或与第一配置工序同时进行的第一制膜工序中，一边从上述喷嘴喷射上述超微粒材料，一边在保持上述喷嘴与上述第一平面的距离和角度的同时， 在上述第一平面和与上述第一平面相连的上述弯曲面上连续地喷涂上述超微粒材料，连续地形成覆盖上述第一平面的膜和覆盖上述弯曲面的至少一部分的膜。在第二配置工序中，以如下方式，与所述第二平面对置地配置所述喷嘴沿着所述超微粒材料的喷射方向的喷射直线与所述第二平面所成的角度在30度到60度的范围内， 并且，当所述喷嘴位于所述喷射直线到达所述第二平面与所述弯曲面的边界即第二边界线的位置时，在所述第二平面上投影所述喷射直线得到的第二假想线与所述第二边界线所成的角度在0度到60度的范围内。在紧接第二配置工序、或与第二配置工序同时进行的第二制膜工序中，一边从上述喷嘴喷射上述超微粒材料，一边在保持上述喷嘴与上述第二平面的距离和角度的同时， 在上述第二平面和与上述第二平面相连的上述弯曲面上连续地喷涂上述超微粒材料，连续地形成覆盖上述第二平面的膜和进一步覆盖在上述第一制膜工序中形成于上述弯曲面的膜的膜。上述本发明的制膜方法，在第一制膜工序中，一边从喷嘴喷射超微粒材料，一边在保持喷嘴与第一平面的距离和角度的同时，连续地改变其喷涂位置，从而连续地形成覆盖
4第一平面的膜和覆盖弯曲面的至少一部分的膜。因此，能一体地形成覆盖第一平面的膜和覆盖弯曲面的膜，能实现接合部分无间隙的制膜。此外，在第一制膜工序之后进行的第二制膜工序中，一边从喷嘴喷射超微粒材料，一边在保持喷嘴与第二平面的距离和角度的同时， 连续地改变其喷涂位置，从而连续地形成覆盖第二平面的膜和进一步覆盖在第一制膜工序中形成于弯曲面的膜的膜。因此，能一体地形成覆盖第二平面的膜和进一步覆盖弯曲面上形成的膜的膜，能实现接合部分无间隙的制膜。在弯曲面，使第二制膜工序中形成的膜与第一制膜工序中形成的膜重叠，因此可以使第一制膜工序中形成的膜为考虑了与对象物的密合性的膜，而使第二制膜工序中形成的膜为考虑了与下层膜的密合性和外观的膜，能实现分别最佳化的制膜。此外，在本发明中，为了更切实地在第一制膜工序中在第一平面和弯曲面上制膜， 在第一配置工序中，对喷嘴与对象物的配置下了功夫。具体而言，以喷射直线与第一平面所成的角度为30度到60度的范围内的方式来配置。通过如此配置，能以形成适于在第一平面上的制膜的入射角度的方式来配置喷嘴。若仅考虑第一平面上的制膜，只要适当地设定喷射直线与第一平面所成的角度即可，因此喷射直线在第一平面上的入射方向可以改变， 只要保持其所成的角度即可。本发明者着眼于此点，以喷射直线与第一平面所成的角度保持上述条件的同时还满足追加的条件的方式，来配置喷嘴。即，以如下方式来配置喷嘴当喷嘴位于喷射直线到达第一平面与弯曲面的边界即第一边界线的位置时，在第一平面上投影喷射直线得到的第一假想线与第一边界线所成的角度在O度到60度的范围内。特别是在第一平面与第二平面近似正交的情况下，还可以如下来配置喷嘴当喷嘴位于喷射直线到达第一平面与弯曲面的边界即第一边界线的位置时，从与第二平面正对的侧方(在喷射直线与第一平面相交的位置，与第二平面正对的方向)所见的第一侧方角度在30度到60度的范围内。此时，喷嘴的配置也满足上述条件。通过如此巧妙地设定相对于对象物的喷嘴的角度，在第一制膜工序中，采用使喷嘴与对象物进行相对的二维运动(例如，使对象物转动或使喷嘴相对于对象物平行移动的运动)这样简单的方法，即可在具有曲率半径极小的弯曲面的对象物上也切实地形成优质膜。此外，在本发明中，为了更切实地在第二制膜工序中在第二平面和弯曲面上制膜， 在第二配置工序中，对喷嘴与对象物的配置下了功夫。此时的喷嘴与对象物的配置，与第一配置工序中的配置相同，只要将第一平面换成第二平面即可。通过如此下功夫，在第二制膜工序中，采用使喷嘴与对象物进行相对的二维运动(例如，使对象物转动或使喷嘴相对于对象物平行移动的运动)这样简单的方法，即可在具有曲率半径极小的弯曲面的对象物上也切实地形成优质膜。另外，本发明的制膜方法还优选在上述第一配置工序中，以上述喷射直线与上述第一平面所成的角度大于上述第一假想线与上述第一边界线所成的角度的方式，来配置上述喷嘴与上述对象物。在此优选的方式中，在第一配置工序中，以喷射直线与第一平面所成的角度大于第一假想线与第一边界线所成的角度的方式，来配置喷嘴和对象物。为此，可以相对较大地设定喷射直线与第一平面所成的角度，而相对较小地设定第一假想线与第一边界线所成的角度。因此，当在第一制膜工序中在第一平面上喷涂超微粒材料时，能实现高效的制膜，能维持较高的制膜速度。关于弯曲面的制膜，由于在第二制膜工序中也进行，因此第一制膜工序中的制膜，优选重视与对象物的密合性，这也有利于避免产生剥离这样的不良现象。为此，在第一配置工序中，通过相对较小地设定第一假想线与第一边界线所成的角度，使超微粒材料在弯曲面上的喷射角度较小，能形成与对象物的密合性良好且膜质高的膜。另外，本发明的制膜方法还优选在上述第二配置工序中以如下方式来配置上述喷嘴和上述对象物上述喷射直线与上述第二平面所成的角度大于上述第二假想线与上述第二边界线所成的角度，且上述第二假想线与上述第二边界线所成的角度大于上述第一配置工序中上述第一假想线与上述第一边界线所成的角度。特别是在第一平面与第二平面近似正交的情况下，还可以如下来配置喷嘴和对象物喷射直线与第二平面所成的角度大于第二假想线与第二边界线所成的角度，第二配置工序中的第二侧方角度大于第一配置工序中的第一侧方角度。这里，第二侧方角度是指，从与第一平面正对的侧方(在喷射直线与第二平面相交的位置，与第一平面正对的方向)所见的喷射直线与第二平面所成的角度。此时，喷嘴的配置也满足上述条件。在此优选方式中，在第二配置工序中，以喷射直线与第二平面所成的角度大于第二假想线与第二边界线所成的角度的方式，来配置喷嘴和对象物。为此，能相对较大地设定喷射直线与第二平面所成的角度，而相对较小地设定第二假想线与第二边界线所成的角度。因此，当在第二制膜工序中在第二平面上喷涂超微粒材料时，能实现高效的制膜，能维持较高的制膜速度。关于弯曲面上的制膜，由于在第一制膜工序中已有进行，因此通过相对较小地设定第二假想线与第二边界线所成的角度将制膜速度抑制得较低，能防止最终在弯曲面上形成的膜过厚。在此优选方式中，还以第二假想线与第二边界线所成的角度大于第一配置工序中第一假想线与第一边界线所成的角度的方式，来配置喷嘴和对象物。为此，与第一配置工序中第一假想线与第一边界线所成的角度相比，能相对较大地设定第二配置工序中第二假想线与第二边界线所成的角度。通过较大地设定第二假想线与第二边界线所成的角度，能进一步提高第二制膜工序中在弯曲面上的制膜速度。如上所述，由于在第一制膜工序中在弯曲面上已经形成了膜，因此即使提高了与该膜重叠的膜的制膜速度，也不易引起剥离这样的不良现象。因此，与此优选方式那样设定第二假想线与第二边界线所成的角度，能确保在弯曲面上形成的膜与对象物的密合性和生产率。另外，本发明的制膜方法还优选在上述第一配置工序中，以上述喷射直线与上述第二平面所成的角度为60度以下的方式，来配置上述喷嘴和上述对象物。特别是在第一平面与第二平面近似正交的情况下，可以在第一配置工序中以喷射直线与第二平面所成的角度即第二侧方角度为60度以下的方式，来配置喷嘴和对象物。此时，喷嘴的配置也满足上述条件。在此优选方式中，由于在第一配置工序中喷射直线与第二平面所成的角度设定为 60度以下，因此即使在第一制膜工序中从喷嘴喷射出来的超微粒材料到达第二平面，相对于第二平面的入射角度也不会超过60度。因此，能防止在还未进行制膜的第二平面上形成密合性差且膜质低的膜。另外，在第一平面与第二平面近似正交的情况下，还优选以如下方式来配置上述喷嘴和上述对象物在第一配置工序中，喷射直线与第二平面所成的角度为第二侧方角度且为30度以下，在第二配置工序中，喷射直线与第一平面所成的角度为第一侧方角度且为 30度以下。若在第一平面与第二平面近似正交的情况下如此配置喷嘴，则即使在第一制膜工序中从喷嘴喷射出来的超微粒材料到达了第二平面，由于在第二平面上的入射角度小， 因而能设定成不会引起制膜。因此，能抑制在第一制膜工序中在第二平面上形成膜，能抑制在未被设定为第一制膜工序的被制膜面的第二平面上进行不需要的制膜。同样地，在第二配置工序中，由于喷射直线与第一平面所成的角度为第一侧方角度且设定为30度以下，因此即使在第二制膜工序中从喷嘴喷射出来的超微粒材料到达了第一平面，由于在第一平面上的入射角度小，因而能设定成不会引起制膜。因此，无论在第一制膜工序中还是在第二制膜工序中，都能抑制在未被设定为被制膜面的一侧的平面上进行不需要的制膜，能实现整体均勻的制膜。另外，本发明的制膜方法还优选在上述第一制膜工序和上述第二制膜工序中，从上述喷嘴喷射出来的上述超微粒材料，与上述超微粒材料的喷涂位置沿上述弯曲面改变的方向相比，在上述超微粒材料的喷涂位置向上述弯曲面改变的方向上更广地被喷涂。在弯曲面上制膜时，从确保膜厚和膜质的均质性的观点出发，与一次性形成较厚的膜相比，优选每次制膜的厚度虽薄但反复进行多次制膜动作的方法。为此，在此优选方式中，通过将从喷嘴喷射出来的超微粒材料，在超微粒材料的喷涂位置向弯曲面改变的方向上更广地喷涂，即使沿弯曲面改变喷涂位置，也不会局部变厚，能通过薄膜的重涂来制膜。另外，本发明的制膜方法还优选，在上述第一制膜工序中，上述喷嘴固定，而使上述对象物沿上述第一平面移动，从而改变上述超微粒材料的喷涂位置，在上述第二制膜工序中，上述喷嘴固定，而使上述对象物沿上述第二平面移动，从而改变上述超微粒材料的喷涂位置。在此优选方式中，无论在第一制膜工序还是在第二制膜工序中，喷嘴固定，而使对象物沿第一平面或第二平面移动，从而改变超微粒材料的喷涂位置，因而无需移动喷嘴即可制膜。因此，通过固定喷嘴能使喷射出来的超微粒材料的状态稳定，能确保膜厚和膜质的均质性。本发明能提供用简单的方法即可形成连续且优质的膜的制膜方法，其通过在具备第一平面和与该第一平面成90度以上不足180度的角度的第二平面、连接第一平面和第二平面的弯曲面的对象物上，喷涂从喷嘴喷射出来的超微粒材料的同时，连续地改变其喷涂位置，从而生成连续地覆盖第一平面和第二平面和弯曲面的膜。


图1是表示用于实施本发明的制膜装置的简要结构图。图2是表示使用图1所示的制膜装置制膜时制膜对象物与喷嘴的关系的立体图。图3是表示制膜对象物的例子之一、即外侧面与上表面所成的角度为钝角这样形状的制膜对象物的立体图。图4是表示制膜对象物的例子之一、即内侧面与上表面所成的角度为钝角这样形状的制膜对象物的立体图。图5是用于说明在第一配置工序和第一制膜工序中制膜对象物与沿着超微粒材料的喷射方向的喷射直线所成的角度的立体图。图6是用于说明在第二配置工序和第二制膜工序中制膜对象物与沿着超微粒材料的喷射方向的喷射直线所成的角度的立体图。图7是用于说明制膜对象物与沿着超微粒材料的喷射方向的喷射直线所成的角度的立体图。图8是用于说明制膜对象物与沿着超微粒材料的喷射方向的喷射直线的从侧方所见的角度的图。图9是用于说明制膜对象物与沿着超微粒材料的喷射方向的喷射直线的从上方所见的角度的图。图10是表示图9的I-I截面的图，所示为制膜对象物上的膜的形成过程。图11是表示图9的I-I截面的图，所示为制膜对象物上的膜的形成过程。图12是表示图9的I-I截面的图，所示为制膜对象物上的膜的形成过程。图13是表示图9的I-I截面的图，所示为制膜对象物上的膜的形成过程。图14是表示在制膜对象物上形成膜后的截面的照片的图。符号说明10-制膜装置；101-储气瓶；102-气溶胶发生器；103-制膜室；104-真空泵； 105-载气流路；106-气溶胶流路；107-喷嘴；108-基台；109-试样台。
具体实施例方式下面，参照附图来说明本发明的实施方式。为了易于内容的理解，各图中对相同的结构要素尽可能采用相同的符号，并省略重复性说明。参照图1，对在作为本发明的实施方式的制膜方法中使用的制膜装置进行说明。图 1是表示制膜装置10的结构的简要结构图。如图1所示，制膜装置10具备储气瓶101和气溶胶发生器102、制膜室103、真空泵104。储气瓶101与气溶胶发生器102由载气流路105连接。气溶胶发生器102除了与载气流路105相连外，还与气溶胶流路106的一端相连。在气溶胶流路106的另一端，设有喷嘴107。喷嘴107配置在制膜室103内。在制膜室103内，配置了 XYZ θ α基台108和试样台109。在XYZ θ α基台上安装有试样台109，以如下方式构成能向沿着相互正交的χ 轴、y轴、ζ轴的方向移动，能在xy平面内转动，能进行使试样台109倾斜的倾斜动作。通过调节XYZ θ α基台108，即可使载置于试样台109上的制膜对象物与喷嘴107对置。在制膜室103内，还连有真空泵104。驱动真空泵104，即可减少制膜室103内的压力。在气溶胶发生器102内，装有陶瓷微粒(超微粒)。在储气瓶101内，在高压下封入了载气。作为载气，例如可以使用氩、氮、氦这样的惰性气体、氧、干燥空气、或它们的混合气体。载气从储气瓶101经由载气流路105进入气溶胶发生器102内。利用装于气溶胶发生器102内的陶瓷微粒和从储气瓶101被运送到气溶胶发生器102内的载气，形成气溶胶 (超微粒材料)。气溶胶发生器102内形成的气溶胶，经由气溶胶流路106被提供给喷嘴107。被提供给喷嘴107的气溶胶，从设在喷嘴107的顶端的喷射孔喷射，喷涂到安装于XYZ θ α基台108上的试样台109上所放置的对象物上。当气溶胶被喷涂到对象物上时，气溶胶中含有的陶瓷微粒与对象物碰撞，利用其机械冲击力在对象物上形成致密的陶瓷被膜。接着，参照图2来说明对象物与喷嘴107的相对位置关系。图2是表示使用图1 所示的制膜装置制膜时制膜对象物W与喷嘴107的关系的立体图。图2所示的制膜对象物 W整体呈圆环状，具有上表面WOl (第一平面)和外侧面W02 (第二平面)、内侧面W12、弯曲面W03、弯曲面W13。上表面WOl是呈圆环状的平面。外侧面W02是与上表面WOl近似正交的面，沿上表面WOl的外圆直立设置。内侧面W12是与上表面WOl近似正交的面，沿上表面 WOl的内圆直立设置。弯曲面W03是连接上表面WOl和外侧面W02的面。弯曲面W13是连接上表面WOl和内侧面W12的面。如上所述，图2所示为外侧面W02与上表面WOl近似正交的制膜对象物W的例子。 但是，本实施方式的制膜方法不仅限用于这种形状的制膜对象物W。还可适用于例如图3所示那样外侧面W02与上表面WOl所成的角度为钝角、即超过90度且不足180度的角度的制膜对象物W。这对于内侧面W12与上表面WOl所成的角度也同样，对于图4所示那样内侧面 W12与上表面WOl所成的角度为钝角、即超过90度且不足180度的角度的制膜对象物W，将内侧面W12和上表面WOl连续制膜的情况下也适用。下面，除特殊说明外，在制膜对象物W的外侧面W02与上表面WOl近似正交且内侧面W12与上表面WOl近似正交的情况下，对本实施方式的制膜方法进行说明。喷嘴107从其顶端喷射气溶胶Cp (超微粒材料)。沿着气溶胶Cp的喷射方向的喷射直线几，与制膜对象物W碰撞于碰撞点Hp。喷嘴107以相对于制膜对象物W沿方向D2 移动的方式构成。当喷嘴107沿方向D2移动时，碰撞点Hp沿移动直线ML移动。制膜对象物W以沿方向Dl转动的方式载置于试样台109上。另外，在图2中，以沿着上表面WOl的平面为xy平面来设定χ轴和y轴。χ轴沿移动直线ML和方向D2设定，y轴以与χ轴正交的方式设定。ζ轴沿贯穿制膜对象物W沿方向Dl转动时的转动中心的中心轴设定，与χ轴及y轴正交。以下的说明以图2中设定的χ 轴、y轴以及ζ轴为基准来进行。图5是用于说明在第一配置工序和第一制膜工序中制膜对象物W与沿着气溶胶Cp 的喷射方向的喷射直线几所成的角度的立体图。另外，在图5中，还将对上表面WOl (第一平面)与外侧面W02(第二平面)所成的角度SX进行说明，因此将图3所示形状的制膜对象物W的E部分放大显示。如图5所示，当喷射直线JL与上表面WOl相交的碰撞点Hp沿移动直线ML移动时， 喷射直线几与上表面WOl所成的角度α即为角AHpB的角度。点A是喷射直线JL上的任意的点。点B是从点A在上表面WOl作垂线时在上表面WOl上的交点。在本实施方式中， 在上表面WOl上制膜时所成的角度α设定为30度到60度之间的角度。点Pl所示为气溶胶Cp的喷涂位置沿上表面WOl上的移动直线ML移动而到达弯曲面W03时的喷涂位置。若将表示上表面WOl (第一平面)与弯曲面W03的边界的线作为第一边界线BLl，则如图5所示，点Pl是移动直线ML与第一边界线BLl的交点。第一假想线VLl是在上表面WOl (第一平面)上投影喷射直线几得到的直线。在本实施方式中，在气溶胶Cp的喷涂位置改变而到达弯曲面W03时的点、即点Ρ1，第一假想线
9VLl与第一边界线BLl所成的角度rl为0度到60度之间的角度。若将与第一边界线BLl 在点Pl相切的切线作为切线BLXl，则如图5所示，上述角度rl和第一假想线VLl与切线 BLXl所成的角度一致。图6是用于说明在第二配置工序和第二制膜工序中制膜对象物W与沿着气溶胶Cp 的喷射方向的喷射直线几2所成的角度的立体图。图6中的制膜对象物W与图5所示的相同。另外，在第一制膜工序结束后的第二配置工序中，喷射直线几2的方向不变，而相对于喷射直线几2的制膜对象物W的方向改变。但是在图6中为了便于说明，以与图5相同的方向表示制膜对象物W，而喷射直线JL2的方向与第一制膜工序中的喷射直线JL的方向不同。如图6所示，当喷射直线JL2与外侧面W02 (第二平面)相交的碰撞点Hp2沿移动直线ML2移动时，喷射直线JL2与外侧面W02所成的角度α 2即为角A2Hp2B2的角度。点 A2是喷射直线JL2上的任意的点。点B2是在与外侧面W02(第二平面)在Hp2相切的假想平面上从点A2作垂线时、在上述假想平面上的交点。在本实施方式中，在外侧面W02上制膜时所成的角度α 2设定为30度到60度之间的角度。点Ρ2所示为气溶胶Cp的喷涂位置沿外侧面W02 (第二平面)上的移动直线ML2 移动而到达弯曲面W03时的喷涂位置。若将表示外侧面W02(第二平面)与弯曲面W03的边界的线作为第二边界线BL2，则如图6所示，点P2是移动直线ML2与第二边界线BL2的交
点ο第二假想线VL2是在上述假想平面上投影喷射直线几2得到的直线。该第二假想线VL2与在外侧面W02上投影喷射直线JL2得到的线在点P2 —致。在本实施方式中，在气溶胶Cp的喷涂位置改变而到达弯曲面W03时的点、即点P2， 第二假想线VL2与第二边界线BL2所成的角度r2设定为0度到60度之间的角度。若将与第二边界线BL2在点P2相切的切线作为切线BLX2，则如图6所示，上述角度r2和第二假想线VL2与接线BLX2所成的角度一致。关于图5和图6所示的制膜对象物W的形状，第一平面(上表面W01)与第二平面 (外侧面W02)所成的角度SX为钝角，即超过90度且不足180的角度。本发明的制膜方法可适用于角度SX为90度以上不足180度的情况。下面，参照附图再接着说明角度SX为近似90度的制膜对象物W、即上表面WOl (第一平面)与外侧面W02 (第二平面)近似正交的制膜对象物W。在上表面WOl (第一平面)与外侧面W02(第二平面)近似正交的情况下，通过以第一侧方角度Y为30度到60度的方式来配置喷嘴107，也能使第一假想线VLl与第一边界线BLl所成的角度rl为0度到60度之间的角度。参照图7和图8对该第一侧方角度、 进行说明。图7是用于说明在上表面WOl与外侧面W02近似正交的情况下制膜对象物W与沿着气溶胶Cp的喷射方向的喷射直线几所成的角度的立体图。图7也与图5所示的同样， 在上表面WOl上制膜时所成的角度α设定为30度到60度之间的角度。图8是用于说明制膜对象物W与沿着气溶胶Cp的喷射方向的喷射直线几的从侧方所见的角度的图。如图8所示，从透视气溶胶Cp的喷涂位置改变的方向即移动直线ML 的侧方所见的、喷射直线几与上表面WOl的表观上的角度，即为第一侧方角度Y。更具体而言，当气溶胶Cp的喷涂位置沿移动直线ML移动而到达上表面WOl的最外周，喷涂位置位于弯曲面W03上时，在该喷涂位置从与外侧面W02正对的方向所见的表观上的角度，即为第一侧方角度Y。换言之，由于制膜对象物W呈圆环状，外侧面W02呈圆筒状，因此当气溶胶 Cp的喷涂位置位于弯曲面W03上时，从与在该喷涂位置和外侧面W02相切的面正对的方向所见的表观上的角度，即为第一侧方角度Y。由于第一侧方角度Y如上所述来定义，因此在上表面WOl (第一平面)与外侧面 W02(第二平面)近似正交的情况下，只要以第一侧方角度Y为30度到60度之间的角度的方式来配置喷嘴，即可使第一假想线VLl与第一边界线BLl所成的角度rl为0度到60度之间的角度。图9是用于说明制膜对象物W与沿着气溶胶Cp的喷射方向的喷射直线几的从上方(以外侧面W02为基准的话是侧方)所见的角度的图。图9中，以喷射直线几交于上表面WOl的碰撞点Hp在移动直线ML上移动的方式，喷嘴107与制膜对象物W相对地移动。当碰撞点Hp位于上表面WOl上的位置Hpa时，气溶胶Cp以呈椭圆状的方式与上表面WOl碰撞。该气溶胶Cp碰撞的椭圆状区域，以沿着移动直线ML的方向(气溶胶Cp的喷涂位置向弯曲面W03改变的方向)为长轴，以沿着与移动直线ML正交的方向(气溶胶Cp的喷涂位置沿弯曲面W03改变的方向)的方向为短轴。在第一制膜工序中，当碰撞点Hp到达外侧面W02 (第二平面)而位于位置Hpb时， 在该位置Hpb外侧面W02(第二平面)与喷射直线几所成的角度设定为60度以下。特别是，如本实施方式那样在上表面WOl(第一平面)与外侧面W02(第二平面)近似正交的情况下，通过以第二侧方角度β为60度以下的角度的方式来配置喷嘴，也能使外侧面W02(第二平面)与喷射直线几所成的角度为60度以下的角度。第二侧方角度β是指，碰撞点Hp到达外侧面W02时，从与上表面WOl (第一平面) 正对的侧方所见的角度。换言之，当碰撞点Hp到达外侧面W02 (第二平面)而位于位置Hpb 时，在位置Hpb与外侧面W02 (第二平面)相切的切线MLc与喷射直线JL的表观上的角度。由于第二侧方角度β如上所述来定义，因此在上表面WOl (第一平面)与外侧面 W02(第二平面)近似正交的情况下，只要以第二侧方角度β为60度以下的角度的方式来配置喷嘴，即可使外侧面W02 (第二平面)与喷射直线JL所成的角度为60度以下的角度。接着，对制膜对象物W上的制膜方法进行说明。在说明制膜方法时，参照图10 图13。图10和图11是表示图9的I-I截面的图，所示为制膜对象物W上的膜的形成过程， 主要是在上表面WOl和弯曲面W03、W13上制膜的过程。图12和图13是表示图9的I-I截面的图，所示为制膜对象物上的膜的形成过程，主要是在外侧面W02和弯曲面W03、W05上制膜的过程。如图10所示，以如下方式与上表面WOl对置地配置喷嘴107 以保持能在上表面 WOl上喷涂气溶胶的距离的方式使喷嘴107间隔一定距离，另一方面使沿着气溶胶的喷射方向的喷射直线JL相对于上表面WOl的角度、即喷射直线JL与上表面WOl所成的角度α 为30度到60度，在气溶胶的喷涂位置改变而到达弯曲面W03、W13时的点，从与内侧面W12、 外侧面W02正对的侧方所见的第一侧方角度γ为30度到60度(第一配置工序)。如此配置喷嘴107的结果是，在气溶胶的喷涂位置改变而到达弯曲面W03时的点，以上表面WOl为第一平面定义的第一假想线VLl与第一边界线BLl所成的角度rl为0度到60度之间的角度。在本实施方式中，使喷嘴107向沿着移动直线ML的方向D2移动的同时，使制膜对象物W向沿着方向Dl的方向转动来制膜，以喷射直线几从制膜对象物W的一方的外侧移动到另一方的外侧的方式来移动喷嘴107。图10所示为喷射直线JL从制膜对象物W的一方的外侧移动到中心附近时的制膜状态。以喷射直线几从制膜对象物W的一方的外侧移动到中心附近的方式，使喷嘴107 从位置107a移动到位置107b时，由于制膜对象物W转动，因此会在上表面WOl上形成被膜 FOl0由于喷嘴107以向喷嘴107移动的方向D2的后方侧喷射气溶胶的方式倾斜，因此气溶胶的喷射方向与弯曲面W13正对。从而在弯曲面W13上形成被膜FOl。另一方面，在喷嘴 107从位置107a移动到位置107b期间，由于气溶胶的喷射方向与弯曲面W03不正对，因而不会在弯曲面W03上形成被膜FOl。图11所示为喷射直线JL从制膜对象物W的中心附近移动到另一方的外侧时的制膜状态。以喷射直线几从制膜对象物W的中心附近移动到另一方的外侧的方式，使喷嘴 107从位置107c移动到位置107d时，由于制膜对象物W转动，因此上表面WOl的被膜FOl 成长。由于喷嘴107以向喷嘴107移动的方向D2的后方侧喷射气溶胶的方式倾斜，因此这次气溶胶的喷射方向与弯曲面W03正对。从而在弯曲面W03上也形成被膜FOl。另一方面， 在喷嘴107从位置107c移动到位置107d期间，由于气溶胶的喷射方向与弯曲面W13不正对，因此在弯曲面W13上形成的被膜FOl不会成长。通过进行如图10和图11所示的制膜，能一边从喷嘴107喷射气溶胶，一边在保持最初配置的喷嘴107与制膜对象物W之间的距离和角度的同时，连续地改变其喷涂位置，在上表面WOl和与上表面WOl相连的弯曲面W03、W13上连续喷涂气溶胶，连续地形成覆盖上表面WOl的膜和覆盖弯曲面W03、W13的至少一部分的膜(第一制膜工序)。另外，在第一配置工序和第一制膜工序中，从上表面WOl方向所见的喷射直线JL与外侧面W02的第二侧方角度β设定为30度的角度。如此配置喷嘴107的结果是，在气溶胶的喷涂位置改变而到达外侧面W02时的点，外侧面W02与喷射直线JL所成的角度为60度以下的角度。接着，如图12所示，以如下方式与外侧面对置地配置喷嘴107 以保持能在外侧面 W02上喷涂气溶胶的距离的方式使喷嘴107间隔一定距离，另一方面，喷射直线JL2相对于外侧面W02的角度、即喷射直线JL2与外侧面W02所成的角度为30度到60度，在气溶胶的喷涂位置改变而到达弯曲面W05时的点，从与下表面W04正对的侧方所见的第一侧方角度 Y为30度到60度(第二配置工序)。图12所示为喷射直线JL2从制膜对象物W的一方的外侧移动到另一方的外侧时的制膜状态。以喷射直线几2从制膜对象物W的一方的外侧移动到另一方的外侧的方式， 使喷嘴107从位置107e移动到位置107f时，由于制膜对象物W转动，因此在外侧面W02上形成被膜F02。由于喷嘴107以向喷嘴107移动的方向D2的后方侧喷射气溶胶的方式倾斜，因此气溶胶的喷射方向与弯曲面W05正对。从而在弯曲面W05上形成被膜F02。另一方面，喷嘴107以该倾斜方向从位置107e移动到位置107f期间，气溶胶的喷射方向与弯曲面 W03不正对，因而不会在弯曲面W03上形成被膜F02。接着，如图13所示，使喷嘴107以向喷嘴107移动的方向D2的前方侧喷射气溶胶的方式倾斜，使气溶胶的喷射方向与弯曲面W03正对。图13中，也是以如下方式与外侧面对置地配置喷嘴107 以保持能在外侧面W02上喷涂气溶胶的距离的方式使喷嘴107间隔一定距离，另一方面使喷射直线几相对于外侧面W02的角度、即喷射直线JL2与外侧面W02 所成的角度为30度到60度，在气溶胶的喷涂位置改变而到达弯曲面W03时的点，从与上表面WOl正对的侧方所见的第一侧方角度Y为30度到60度。如此配置喷嘴107的结果是， 在气溶胶的喷涂位置改变而到达弯曲面W03时的点，以外侧面W02为第二平面定义的第二假想线VL2与第二边界线BL2所成的角度r2为0度到60度之间的角度。以该配置使喷嘴107从位置107g移动到位置107h时，由于制膜对象物W转动，因此在外侧面W02上形成的被膜F02会成长。由于喷嘴107以向喷嘴107移动的方向D2的前方侧喷射气溶胶的方式倾斜，因此气溶胶的喷射方向与弯曲面W03正对。从而在弯曲面 W03上形成被膜F02。另一方面，喷嘴107以该倾斜方向从位置107g移动到位置10 期间， 由于气溶胶的喷射方向与弯曲面W05不正对，因此不会在弯曲面W05上形成被膜F02。在图12和图13中，为了在弯曲面W03和弯曲面W05两者上都形成被膜F02，改变了喷嘴107的倾斜方向，但是若只在弯曲面W03上形成被膜F02即可时，优选以图13所示的喷嘴107的角度来制膜。另外，当制膜对象物W为长方体时，由于无法如本实施方式那样一边使其转动一边来制膜，因此如参照图12和图13进行的说明那样，通过改变喷嘴107的倾斜方向来制膜，能在上述那样的弯曲面W03上制膜。用上述制膜方法在上表面WOl和弯曲面W03上形成被膜FOl，在外侧面W02和弯曲面W03上形成被膜F02，则被膜FOl和被膜F02成为一体，即被膜F。被膜F的截面照片示于图14。如图14所示，被膜F由被膜FOl和被膜F02 —体形成，因此形成了被膜FOl与被膜F02的边界消失而浑然一体的膜。如此在弯曲面上进行无边界制膜是本实施方式的制膜方法的特征之一。根据上述本实施方式，在第一制膜工序(参照图10和图11)中，通过一边从喷嘴 107喷射气溶胶，一边在保持喷嘴107与制膜对象物W的距离和角度的同时连续地改变其喷涂位置，从而连续地形成覆盖第一平面即上表面WOl的被膜FOl和覆盖弯曲面W03、W13的至少一部分的被膜FOl。因此，能一体地形成覆盖上表面WOl的被膜FOl和覆盖弯曲面W03、 W13的被膜F01，可实现接合部分无间隙的制膜。此外，在第一制膜工序之后进行的第二制膜工序(参照图12和图13)中，通过一边从喷嘴107喷射气溶胶，一边在保持喷嘴107与制膜对象物W的距离和角度的同时连续地改变其喷涂位置，从而连续地形成覆盖第二平面即外侧面W02的被膜F02和进一步覆盖在第一制膜工序中形成于弯曲面W03的被膜FOl的被膜F02。因此，能一体地形成覆盖外侧面W02的被膜F02和进一步覆盖形成于弯曲面W03上的被膜FOl的被膜F02，可实现接合部分无间隙的制膜。着眼于弯曲面W03，由于使第二制膜工序中形成的被膜F02与第一制膜工序中形成的被膜FOl重叠，因此可使第一制膜工序中形成的被膜FOl为考虑了与制膜对象物W的密合性的膜，而使第二制膜工序中形成的被膜F02为考虑了与下层被膜FOl的密合性和外观的膜，可实现分别最佳化的制膜。此外，在本实施方式中，为了更切实地在第一制膜工序中进行上表面WOl和弯曲面W03、W13上的制膜，在第一配置工序中，对喷嘴107与制膜对象物W的配置下了功夫。具体而言，以如下方式配置以保持能向上表面WOl喷涂气溶胶的距离的方式使喷嘴107间隔一定距离，另一方面使喷射直线几相对于上表面WOl的角度即喷射直线JL与上表面WOl 所成的角度α为30度到60度。通过如此配置，能以形成适合在上表面WOl上制膜的入射角度的方式来配置喷嘴 107。若仅考虑上表面WOl上的制膜，则只要恰当地设定喷射直线几与上表面WOl所成的角度α即可，因此喷射直线JL相对于上表面WOl的入射方向可以改变，只要保持其所成的角度α即可。本发明者着眼于此点，使喷射直线JL相对于上表面WOl的角度作为喷射直线JL 与上表面WOl所成的角度α，在遵守上述条件的同时，进一步满足追加的条件，来配置喷嘴。即，以如下方式来配置将作为第一平面的上表面WOl与弯曲面W03的边界作为第一边界线BLl时，在气溶胶的喷涂位置改变而到达弯曲面W03时的点，在上表面WOl上投影喷射直线几得到的第一假想线VLl与第一边界线BLl所成的角度为0度到60度的范围内。如上所述，通过巧妙地设定喷嘴107与制膜对象物W的角度，在第一制膜工序中， 采用使喷嘴107与制膜对象物W进行相对的二维运动(例如使对象物转动，或使喷嘴相对于对象物平行移动等运动)这样简单的方法，即使在具有曲率半径极微小的弯曲面W03、 W13的制膜对象物W上也能切实地形成优质的膜。此外，在本实施方式中，为了更切实地在第二制膜工序(参照图12和图13)中进行外侧面W02和弯曲面W03上的制膜，在第二配置工序中，对喷嘴107与制膜对象物W的配置下了功夫。具体而言，以如下方式配置以保持能向外侧面W02喷涂气溶胶的距离的方式使喷嘴107间隔一定距离，另一方面使喷射直线几2相对于外侧面W02的角度即喷射直线 JL2与外侧面W02所成的角度α 2为30度到60度。通过如此配置，能以形成适合在外侧面 W02上制膜的入射角度的方式配置喷嘴107。若仅考虑外侧面W02上的制膜，则只要恰当地设定喷射直线几2与外侧面W02所成的角度α 2即可，因此喷射直线JL2相对于外侧面W02 的入射方向可以改变，只要保持其所成的角度α 2即可。本发明者着眼于此点，使喷射直线JL2相对于外侧面W02的角度作为喷射直线JL2 与外侧面W02所成的角度α 2，在遵守上述条件的同时，进一步满足追加的条件，来配置喷嘴。即，以如下方式来配置将作为第二平面的外侧面W02与弯曲面W03的边界作为第二边界线BL2时，在气溶胶的喷涂位置改变而到达弯曲面W03时的点，在外侧面W02上投影喷射直线几2得到的第二假想线VL2与第二边界线BL2所成的角度为0度到60度的范围内。如上所述，通过巧妙地设定喷嘴107与制膜对象物W的角度，在第二制膜工序中， 也可以采用使喷嘴107与制膜对象物W进行相对的二维运动(例如使对象物转动，或使喷嘴相对于对象物平行移动等运动)这样简单的方法，在具有曲率半径极微小的弯曲面W03、 W05的制膜对象物W上切实地形成优质的膜。另外，本实施方式还优选在第一配置工序中以如下方式来配置喷嘴107和制膜对象物W，即喷射直线几与上表面WOl所成的角度α大于第一假想线VLl与第一边界线BLl 所成的角度rl。在此优选的配置中，在第一配置工序中，以如下方式来配置喷嘴107与制膜对象物W:喷射直线几与上表面WOl所成的角度α大于以上表面WOl为第一平面定义的第一假想线VLl与第一边界线BLl所成的角度rl。由此，可以相对较大地设定喷射直线几与上表面WOl所成的角度α，而相对较小地设定第一假想线VLl与第一边界线BLl所成的角度
14rl。因此，当在第一制膜工序中向上表面WOl喷涂气溶胶时，能实现高效的制膜，能维持较高的制膜速度。由于弯曲面W03上的制膜在第二制膜工序中也进行，因此第一制膜工序中弯曲面W03上的制膜优选重视与制膜对象物W的密合性，这也有利于避免发生剥离这样的不良现象。为此，在第一配置工序中，通过相对较小地设定第一假想线VLl与第一边界线BLl所成的角度rl，使弯曲面W03上的气溶胶的喷射角度较小，能形成膜质好的膜。特别是在第一平面(上表面W01)与第二平面(外侧面W02、内侧面WU)近似正交的情况下，还可以使第一侧方角度、小于喷射直线JL与上表面WOl所成的角度α来配置喷嘴107和制膜对象物W。另外，本实施方式还优选在第二配置工序中以如下方式来配置喷嘴107与制膜对象物W 喷射直线JL2与作为第二平面的外侧面W02所成的角度α 2大于第二假想线VL2与第二边界线BL2所成的角度r2，且第二假想线VL2与第二边界线BL2所成的角度r2大于在第一配置工序中第一假想线VLl与第一边界线BLl所成的角度rl。特别是在上表面WOl与外侧面W02近似正交的情况下，可以如下来配置喷嘴107 和制膜对象物W 喷射直线JL2与外侧面W02所成的角度α 2大于第二假想线VL2与第二边界线BL2所成的角度r2，且第二配置工序中的第二侧方角度β大于第一配置工序中的第一侧方角度Y。此时，喷嘴107的配置也满足上述条件。在此优选配置中，在第二配置工序中以如下方式来配置喷嘴107和制膜对象物W 喷射直线几2与外侧面W02所成的角度α 2大于以外侧面W02为第二平面定义的第二假想线VL2与第二边界线BL2所成的角度r2。由此，可以相对较大地设定喷射直线几2与外侧面W02所成的角度α 2，而相对较小地设定第二假想线VL2与第二边界线BL2所成的角度 r2。因此，当在第二制膜工序中向外侧面W02喷涂气溶胶时，能实现高效的制膜，能维持较高的制膜速度。弯曲面W03上的制膜由于在第一制膜工序中已有进行，因此通过相对较小地设定第二假想线VL2与第二边界线BL2所成的角度r2，能将制膜速度抑制地较低，防止最终在弯曲面W03上形成的膜过厚。在此优选方式中，还使第二配置工序中的第二假想线VL2与第二边界线BL2所成的角度r2大于第一配置工序中第一假想线VLl与第一边界线BLl所成的角度rl，来配置喷嘴和对象物。因此，相对于第一配置工序中第一假想线VLl与第一边界线BLl所成的角度rl，可相对较大地设定第二配置工序中的第二假想线VL2与第二边界线BL2所成的角度 r2。通过较大地设定第二假想线VL2与第二边界线BL2所成的角度r2，能进一步提高第二制膜工序中弯曲面W03上的制膜速度。如上所述，由于在第一制膜工序中已在弯曲面W03上形成了膜，因此即使提高了与该膜重叠的膜的制膜速度，也不易产生剥离这样的不良现象。为此，如该优选方式那样设定第二假想线VL2与第二边界线BL2所成的角度，能确保弯曲面W03上形成的膜与对象物的密合性和生产率。另外，本实施方式还优选在第一配置工序中以喷射直线几2与作为第二平面的外侧面W02的角度α 2为60度以下来配置喷嘴107和制膜对象物W。特别是在上表面WOl与外侧面W02近似正交的情况下，可以在第一配置工序中，以喷射直线JL相对于外侧面W02的角度为第二侧方角度β且为60度以下的方式，来配置喷嘴107和制膜对象物W。此时，喷嘴107的配置也满足上述条件。在此优选配置中，由于在第一配置工序中喷射直线JL相对于外侧面W02的角度为第二侧方角度β且设定为60度以下，因此在第一制膜工序中，即使从喷嘴107喷射出来的气溶胶到达外侧面W02，相对于外侧面W02的入射角度也不会超过60度。因此，能防止在还未进行制膜的外侧面W02上形成密合性差且膜质低的膜。另外，在上表面WOl与外侧面W02近似正交的情况下，还优选以如下方式来配置喷嘴107和制膜对象物W 在第一配置工序中，喷射直线JL相对于外侧面W02的角度为第二侧方角度β且为30度以下，在第二配置工序中，喷射直线相对于上表面WOl的角度为第一侧方角度Y且为30度以下。若在上表面WOl与外侧面W02近似正交的情况下如此配置， 则即使在第一制膜工序中从喷嘴107喷射出来的气溶胶到达外侧面W02，由于相对于外侧面W02的入射角度小，因此可设定成不进行制膜的方式。从而能抑制在第一制膜工序中在外侧面W02上形成膜，能抑制在第一制膜工序中未被设定为被制膜面的外侧面W02上进行不需要的制膜。同样地，在第二配置工序中，由于喷射直线几2相对于上表面WOl的角度为第一侧方角度且设定为30度以下，因此在第二制膜工序中即使从喷嘴喷射出来的超微粒材料到达了上表面W01，由于相对于上表面WOl的入射角度小，因此能设定成不进行制膜的方式。 因此，无论在第一制膜工序中还是在第二制膜工序中，都能抑制在未被设定为被制膜面的一侧的平面上进行不需要的制膜，能实现整体均勻的制膜。另外，本实施方式在第一制膜工序和第二制膜工序中，从喷嘴107喷射出来的气溶胶，与其喷涂位置沿弯曲面W03改变的方向相比，在气溶胶的喷涂位置向弯曲面W03改变的方向上更广地被喷涂。在弯曲面W03上制膜时，从确保膜厚和膜质的均质性的观点出发，与一次性形成较厚的膜相比，优选每次制膜的厚度虽薄但反复进行多次制膜动作的方法。为此，通过将从喷嘴107喷射出来的气溶胶，在气溶胶的喷涂位置向弯曲面W03改变的方向上更广地喷涂， 即使沿弯曲面W03改变喷涂位置，也不会局部变厚，能通过薄膜的重涂来制膜。另外，本实施方式在第一制膜工序中，喷嘴107固定，而制膜对象物W沿上表面WOl 移动，从而改变气溶胶的喷涂位置，在第二制膜工序中，喷嘴107固定，而制膜对象物W沿外侧面W02移动，从而改变气溶胶的喷涂位置。如上所述，无论在第一制膜工序还是在第二制膜工序中，喷嘴107固定，而制膜对象物W沿上表面WOl或外侧面W02移动，从而改变气溶胶的喷涂位置，因此无需移动喷嘴 107即可制膜。因此，通过固定喷嘴107能使喷射出来的气溶胶的状态稳定，能确保膜厚和膜质的均质性。以上，参照具体例子对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明不限于这些具体例子。也就是说，本领域技术人员对这些具体例子进行了适当设计变更后得到的方式，只要具备了本发明的特征，均属于本发明的范围。例如，上述各具体例子所具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等，不限于例示，可进行适当变更。另外，上述各实施方式所具备的各要素可以在技术允许的范围内组合，它们的组合只要包含本发明的特征，也属于本发明的范围。
权利要求
1.一种制膜方法，其通过在具备第一平面和与该第一平面成90度以上不足180度的角度的第二平面、连接所述第一平面和所述第二平面的弯曲面的对象物上，喷涂从喷嘴喷射出来的超微粒材料的同时，连续地改变其喷涂位置，从而生成连续地覆盖所述第一平面和所述第二平面和所述弯曲面的膜，其特征在于，具备第一配置工序，即以如下方式来配置所述喷嘴沿着所述超微粒材料的喷射方向的喷射直线与所述第一平面所成的角度在30度到60度的范围内，并且，当所述喷嘴位于所述喷射直线到达所述第一平面与所述弯曲面的边界即第一边界线的位置时，在所述第一平面上投影所述喷射直线得到的第一假想线与所述第一边界线所成的角度在0度到60度的范围内；第一制膜工序，即一边从所述喷嘴喷射所述超微粒材料，一边在保持所述喷嘴与所述第一平面的距离和角度的同时，在所述第一平面和与所述第一平面相连的所述弯曲面上连续地喷涂所述超微粒材料，连续地形成覆盖所述第一平面的膜和覆盖所述弯曲面的至少一部分的膜；第二配置工序，即以如下方式来配置所述喷嘴沿着所述超微粒材料的喷射方向的喷射直线与所述第二平面所成的角度在30度到60度的范围内，并且，当所述喷嘴位于所述喷射直线到达所述第二平面与所述弯曲面的边界即第二边界线的位置时，在所述第二平面上投影所述喷射直线得到的第二假想线与所述第二边界线所成的角度在0度到60度的范围内；以及第二制膜工序，即一边从所述喷嘴喷射所述超微粒材料，一边在保持所述喷嘴与所述第二平面的距离和角度的同时，在所述第二平面和与所述第二平面相连的所述弯曲面上连续地喷涂所述超微粒材料，连续地形成覆盖所述第二平面的膜和进一步覆盖在所述第一制膜工序中形成于所述弯曲面的膜的膜。
2.根据权利要求1所述的制膜方法，其特征在于，在所述第一配置工序中，以如下方式来配置所述喷嘴和所述对象物，即所述喷射直线与所述第一平面所成的角度大于所述第一假想线与所述第一边界线所成的角度。
3.根据权利要求2所述的制膜方法，其特征在于，在所述第二配置工序中，以如下方式来配置所述喷嘴和所述对象物，即所述喷射直线与所述第二平面所成的角度大于所述第二假想线与所述第二边界线所成的角度，且所述第二假想线与所述第二边界线所成的角度大于所述第一配置工序中所述第一假想线与所述第一边界线所成的角度。
4.根据权利要求1所述的制膜方法，其特征在于，在所述第一配置工序中，以所述喷射直线与所述第二平面所成的角度为60度以下的方式，来配置所述喷嘴和所述对象物。
5.根据权利要求1所述的制膜方法，其特征在于，在所述第一制膜工序和所述第二制膜工序中，从所述喷嘴喷射出来的所述超微粒材料，与所述超微粒材料的喷涂位置沿所述弯曲面改变的方向相比，在所述超微粒材料的喷涂位置向所述弯曲面改变的方向上更广地被喷涂。
6.根据权利要求1所述的制膜方法，其特征在于，在所述第一制膜工序中，所述喷嘴固定，而使所述对象物沿所述第一平面移动，从而改变所述超微粒材料的喷涂位置，=在所述第二制膜工序中，所述喷嘴固定，而使所述对象物沿所述第二平面移动，从而改变所述超微粒材料的喷涂位置。
全文摘要
本发明提供用简单的方法即可形成连续且优质的膜的制膜方法，其通过一边在制膜对象物上喷涂从喷嘴喷射出来的气溶胶，一边连续地改变其喷涂位置，从而生成连续地覆盖上表面和外侧面和弯曲面的膜。该制膜方法具备第一制膜工序和第二制膜工序，在所述第一制膜工序中，在上表面(W01)和与上表面(W01)相连的弯曲面(W03)上连续地喷涂气溶胶，连续地形成覆盖上表面(W01)的膜和覆盖弯曲面(W03)的至少一部分的膜，在所述第二制膜工序中，连续地形成覆盖外侧面(W02)的膜和进一步覆盖在第一制膜工序中形成于弯曲面(W03)的膜的膜。
文档编号B05C19/04GK102400134SQ20111025878
公开日2012年4月4日 申请日期2011年9月2日 优先权日2010年9月15日
发明者伊藤朋和, 新田安隆 申请人:Toto株式会社