一种用于蓝宝石cmp的高浓度抛光组合物及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种用于蓝宝石CMP的高浓度抛光组合物及其制备方法，所述用于蓝宝石CMP的高浓度抛光组合物按质量百分比配置，硅溶胶：pH调节剂：活性剂：缓冲剂=90：6：2：2；所述制备方法如下，首先按比例取硅溶胶，然后向其加入pH调节剂，搅拌2min后，向混合液加入活性剂搅拌3min后，再继续加入缓冲剂，搅拌20min。本发明所述的一种用于蓝宝石CMP的高浓度抛光组合物，能满足工业上对蓝宝石衬底片CMP精密加工的要求，本发明具有成本低、低粗糙、高速率、不污染环境及腐蚀设备的优点，有效节省了反应时间，提高了蓝宝石抛光液的抛光速率。
【专利说明】—种用于蓝宝石CMP的高浓度抛光组合物及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及抛光组合物的【技术领域】，具体涉及一种用于蓝宝石CMP的高浓度抛光组合物及其制备方法。
【背景技术】
[0002]白宝石是一种物理特性、机械特性和化学特性三者独特组合的优良材料，与天然宝石具有相同的光学特性和力学性能，且有很好的热特性，极好的电气特性和介电特性，化学性质非常稳定，大多数酸溶液无法溶解它；光透性能好，它对红外线透过率高；耐磨，硬度仅次于金刚石，达莫氏9级；在高温下仍具有较好的稳定性，熔点为2030°C，因此被广泛地应用于工业、国防、航空航天等领域，如用作固体激光、红外窗口、半导体芯片的衬底片、精密耐磨轴承材料等；蓝宝石作为衬底材料，具有高温下(I OOO0C )化学性质稳定、容易获得大尺寸以及价格便宜等优点；尽管它与GaN之间存在较大的晶格失配，但随着生长技术的不断改进，目前已能在蓝宝石上外延出高质量的GaN材料，并已研制出GaN基蓝色发光二极管及激光二极管、微波大功率器件等，作为微电子衬底材料对其晶体表面提出了超光滑、无损伤的要求，因此对蓝宝石衬底必须进行精细抛光；抛光技术种类繁多，理论和实践说明，目前只有化学机械抛光(CMP)技术可以真正使蓝宝石衬底片实现全局平整化，化学机械抛光技术是机械磨削和化学腐蚀的组合技术，它借助超微粒子的研磨作用以及浆料的化学腐蚀作用在被研磨的介质表面上形成光洁平坦平面，是半导体衬底片加工的一门主导技术。
【发明内容】
[0003]发明目的:本发明的目的是为了弥补现有技术的不足，提供一种提高了蓝宝石抛光液的抛光速率的高浓度抛光组合物。
·[0004]技术方案:一种用于蓝宝石CMP的高浓度抛光组合物及其制备方法，所述用于蓝宝石CMP的高浓度抛光组合物按质量百分比配置，硅溶胶:pH调节剂:活性剂:缓冲剂=90:6:2:2 ;所述制备方法如下，首先按比例取硅溶胶，然后向其加入pH调节剂，搅拌2min后，向混合液加入活性剂搅拌3min后，再继续加入缓冲剂，搅拌20min。
[0005]有益效果:本发明所述的一种用于蓝宝石CMP的高浓度抛光组合物，能满足工业上对蓝宝石衬底片CMP精密加工的要求，本发明具有成本低、低粗糙、高速率、不污染环境及腐蚀设备的优点，有效节省了反应时间，提高了蓝宝石抛光液的抛光速率。
【具体实施方式】
[0006]下面结合具体实施例对本发明作进一步说明:
实施例1:
一种用于蓝宝石CMP的高浓度抛光组合物及其制备方法，用于蓝宝石CMP的高浓度抛光组合物按质量百分比配置，硅溶胶:pH调节剂:活性剂:缓冲剂=90:6:2:2 ;制备方法如下，首先按比例取900g硅溶胶，然后向其加入60gpH调节剂，搅拌2min后，向混合液加入20g活性剂搅拌3min后，再继续加入20g缓冲剂，搅拌20min，制成一种用于蓝宝石CMP的高浓度抛光组合物，此抛光组合物 可稀释10倍使用，有效降低了成本，提高抛光速率达15%左右。
【权利要求】
1.一种用于蓝宝石CMP的高浓度抛光组合物及其制备方法，其特征在于:所述用于蓝宝石CMP的高浓度抛光组合物按质量百分比配置，硅溶胶:pH调节剂:活性剂:缓冲剂=90:6:2:2 ;所述制备方法如下，首先按比例取硅溶胶，然后向其加入pH调节剂，搅拌2min后，向混合液加入活性剂搅拌3mi·n后，再继续加入缓冲剂，搅拌20min。
【文档编号】C09G1/02GK103849320SQ201210508350
【公开日】2014年6月11日 申请日期:2012年12月3日 优先权日:2012年12月3日
【发明者】顾小玲 申请人:江苏天恒纳米科技有限公司