一种新型化学机械研磨用研磨剂的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种新型化学机械研磨用研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：氧化锆5-7份，二氧化硅11-21份，过氧化氢5-9份，水杨酸盐15-25份，乙烯基双硬脂酰胺7-16份，硬脂酸单甘油酯9-13份，三硬脂酸甘油酯9-14份，还原剂1-3份，柔软剂5-8份，除杂剂7-10份，处理剂11-18份，二氧化钛3-5份，硬脂酸钙1-3份，硬脂酸4-10份，聚丙烯酯5-9份。本发明的有益效果是：腐蚀速度低，研磨效果好，对半导体损伤小。
【专利说明】一种新型化学机械研磨用研磨剂
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种新型化学机械研磨用研磨剂。
【背景技术】
[0002]近年来，伴随着半导体集成电路(以下记作LSI)的高集成化，高性能化，开发了新型的细微加工技术，化学研磨法就是其中一种，特别是在多层布线形成工序中的层间绝缘膜的平坦化，金属栓塞形成、埋入布线形成中频繁地应用。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是提供一种新型化学机械研磨用研磨剂。
[0004]为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是:
一种新型化学机械研磨用研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质:氧化锆5-7份，二氧化硅11-21份，过氧化氢5-9份，水杨酸盐15-25份，乙烯基双硬脂酰胺7_16份，硬脂酸单甘油酯9-13份，三硬脂酸甘油酯9-14份，还原剂1-3份，柔软剂5-8份，除杂剂7_10份，处理剂11-18份，二氧化钛3-5份，硬脂酸钙1-3份，硬脂酸4-10份，聚丙烯酯5_9份。
[0005]本发明的有益效果是:腐蚀速度低，研磨效果好，对半导体损伤小。
【具体实施方式】
[0006]实施例1
一种新型化学机械研磨用 研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质:氧化锆5-7份，二氧化硅11-21份，过氧化氢5-9份，水杨酸盐15-25份，乙烯基双硬脂酰胺7_16份，硬脂酸单甘油酯9-13份，三硬脂酸甘油酯9-14份，还原剂1-3份，柔软剂5-8份，除杂剂7_10份，处理剂11-18份，二氧化钛3-5份，硬脂酸钙1-3份，硬脂酸4-10份，聚丙烯酯5_9份。
【权利要求】
1.一种新型化学机械研磨用研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质:氧化锆5-7份，二氧化硅11-21份，过氧化氢5-9份，水杨酸盐15-25份，乙烯基双硬脂酰胺7_16份，硬脂酸单甘油酯9-13份，三硬脂酸甘油酯9-14份，还原剂1-3份，柔软剂5-8份，除杂剂7-10份，处理剂11-18份，二氧化钛3-5份，硬脂酸钙1-3份，硬脂酸4_10份，聚丙烯酯5-9 份。.
【文档编号】C09K3/14GK103436228SQ201310387801
【公开日】2013年12月11日 申请日期:2013年8月31日 优先权日:2013年8月31日
【发明者】张竹香 申请人:青岛承天伟业机械制造有限公司