双掺杂锶酸盐发光薄膜及其制备方法和电致发光器件的制作方法
【专利摘要】本发明提及一种双掺杂锶酸盐发光薄膜及其制备方法和电致发光器件，所述发光薄膜的化学通式为Sr2MO4:xMn4+,yCr3+；其中，Sr2MO4是基质，Mn、Cr是激活元素；x的取值范围为0.01~0.05，y的取值范围为0.01~0.06；M为Ce、Pb或Pr。本发明采用脉冲激光沉积制备得的双掺杂锶酸盐发光薄膜在650nm和675nm位置有很强的发光峰，具有良好的发光性能。所述双掺杂锶酸盐发光薄膜实现了反光材料由荧光粉到发光薄膜的过渡，增加了发光薄膜的种类。
【专利说明】双掺杂锶酸盐发光薄膜及其制备方法和电致发光器件
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体光电材料【技术领域】，尤其涉及双掺杂锶酸盐发光薄膜及其制备方法。本发明还涉及应用所述双掺杂锶酸盐发光薄膜的电致发光器件。
【背景技术】
[0002]薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。
[0003]在LED荧光粉的研究中，稀土掺杂的双掺杂锶酸盐荧光粉，其激发光谱能够较好地匹配现有的近紫外LED的发射光谱能够得到良好的绿光到蓝光的激发。但是，用双掺杂锶酸盐类发光材料制备成电致发光的薄膜，仍未见报道。
【发明内容】
[0004]本发明目的在于提供一种双掺杂锶酸盐发光薄膜。
[0005]针对上述发明目的，本发明提出一种双掺杂锶酸盐发光薄膜，所述发光薄膜的化学通式为Sr2M04:xMn4+，yCr3+ ;其中，Sr2MO4是基质，Mn，Cr是激活元素；x的取值范围为0.01?0.05，优选为0.02 ；y的取值范围为0.01?0.06，优选为0.03⑷为Ce、Pb或Pr。
[0006]本发明的另一发明目的在于提供双掺杂锶酸盐发光薄膜的制备方法。
[0007]针对上述发明目的，本发明提出双掺杂锶酸盐发光薄膜的制备方法，其步骤如下:
[0008](a)按照摩尔比2: l:x:y/2,分别称取SrO、MO2 > MnO2和Cr2O3粉体,经过研磨混合均匀后，在900?1300°C下烧结，优选在1250°C下烧结，制成靶材，其中，x的取值范围为0.01?0.05，优选为0.02 ；y的取值范围为0.01?0.06，优选为0.03。所述靶材的直径为50mm、厚度为2mm。
[0009](b)将步骤(a)中得到的靶材装入脉冲激光沉积镀膜设备的真空腔体内，再把衬底装入所述真空腔体内，并将真空腔体的真空度设置在1.0X 10_3Pa?1.0X 10_5Pa之间；优选为 5.0XlO-4Pa0
[0010](c)调整脉冲激光沉积镀膜工艺参数为:将所述靶材与所述衬底之间的距离调整为45?95mm ;将所述脉冲激光沉积镀膜设备的激光能量调整为80?300W ;将所述脉冲激光沉积镀膜设备的工作气体调整为10?40sCCm流量的氧气；将所述氧气的压强调整为0.5?5Pa，将衬底温度调整为250°C?750°C;接着通过所述脉冲激光沉积镀膜设备和所述靶材在所述衬底进行镀膜，得到化学通式为Sr2M04:XMn4+，yCr3+的所述双掺杂锶酸盐发光薄膜；其中，Sr2MO4是基质，Mn、Cr是激活元素；x的取值范围为0.01?0.05，y的取值范围为0.01 ?0.06 ;M 为 Ce、Pb 或 Pr。
[0011]本发明的又一发明目的在于提供一种电致发光器件。
[0012]针对上述发明目的，本发明提出一种电致发光器件，其为复合层状结构，所述复合层状结构依次为玻璃基片、阳极层、发光层以及阴极层，所述发光层为上述的双掺杂锶酸盐发光薄膜，所述阴极层为银层。
[0013]本发明采用脉冲激光沉积(即PLD)的设备制备双掺杂锶酸盐发光薄膜。所述脉冲激光沉积利用激光对物体进行烧蚀，然后将烧蚀出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。所述脉冲激光沉积易获得期望化学计量比的多组分薄膜，即具有良好的保成分性；且所述脉冲激光沉积的沉积速率高，薄膜质量好，对衬底温度要求低，制备的薄膜均匀；因此本发明采用脉冲激光沉积来制备双掺杂锶酸盐发光薄膜。
[0014]本发明采用脉冲激光沉积(即PLD)设备所制得的双掺杂锶酸盐发光薄膜。所述双掺杂锶酸盐发光薄膜的基质Sr2MO4具有较高的热学和力学稳定性，还具有着良好的光学透明性，较低的声子能量，为发光离子提供了优良的晶场，从而在光电能量转换的过程中产生较少无辐射跃迁，具有较高的发光效率。对于掺杂离子，Mn4+离子的价态丰富，失去电子后的3d电子轨道能级跃迁范围广，d-d跃迁得到的辐射容易被众多基质的晶场加强，发光稳定；而&3+可进入基质的晶格，与阴离子之间键合组成整个晶体骨架，存在着强烈的离子一晶格相互作用，使得Mn4+发光离子与基质结合后具有更低的无辐射跃迁几率，光电转化效率高。
[0015]本发明所述双掺杂锶酸盐发光薄膜在650nm和675nm位置有很强的发光峰，具有良好的发光性能。所述双掺杂锶酸盐发光薄膜实现了反光材料由荧光粉到发光薄膜的过渡，增加了发光薄膜的种类。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1为本发明电致发光器件的结构示意图。
[0017]图2为实施例1制得双掺杂锶酸盐发光薄膜的电致发光光谱。
【具体实施方式】
[0018]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0019]本发明实施例提供一种双掺杂锶酸盐发光薄膜，所述发光薄膜的化学通式为Sr2MO4IxMn4+, yCr3+ ;其中，Sr2MO4是基质，Mn，Cr是激活元素；x的取值范围为0.01?0.05 ;y的取值范围为0.01?0.06 ；M为Ce、Pb或Pr。
[0020]本发明实施例进一步提供上述发光薄膜制备方法，包括如下步骤:
[0021](a)靶材的制备
[0022]按照摩尔比2:1: X: y/2，分别称取SrO、MO2, MnO2和Cr2O3粉体，经过研磨混合均匀后，在900?1300°C下烧结，制成靶材，其中，X的取值范围为0.01?0.05，y的取值范围为0.01 ?0.06 ;
[0023](b)激光沉积所述发光薄膜的预处理
[0024]将步骤(a)中得到的靶材装入脉冲激光沉积镀膜设备的真空腔体内，再把衬底装入所述真空腔体内，并将真空腔体的真空度设置在1.0X 10_3Pa?1.0X 10_5Pa之间；
[0025](c)调整脉冲激光沉积镀膜设备工艺参数
[0026]调整所述靶材与所述衬底之间的距离为45?95mm ;调整所述脉冲激光沉积镀膜设备的激光能量为80?300W ;调整所述脉冲激光沉积镀膜设备的工作气体为10?40SCCm流量的氧气；调整所述脉冲激光沉积镀膜设备的工作压强为为0.5?5Pa，调整衬底温度为250°C?750°C ;接着通过所述脉冲激光沉积镀膜设备和所述靶材在所述衬底进行镀膜，得到化学通式为Sr2MO4:xMn4+，yCr3+的所述双掺杂锶酸盐发光薄膜；其中，Sr2MO4是基质，Mn，Cr是激活元素；x的取值范围为0.01?0.05，y的取值范围为0.01?0.06 ；M为Ce、Pb或Pr。
[0027]本发明实施例还提供应用所述双掺杂锶酸盐发光薄膜的电致发光器件。请参阅图1，图1显示使用本发明实施例所述双掺杂锶酸盐发光薄膜的电致发光器件的结构，所述电致发光器件包括依次层叠的玻璃基片1、ITO导电膜2、发光层3及阴极4 ;其中，所述ITO导电膜2是所述电致发光器件的阳极，发光层的材质为本发明实施例所述双掺杂锶酸盐发光薄膜，阴极的材质为银。所述玻璃基片和ITO导电膜合为ITO玻璃。所述ITO玻璃亦称为铟锡氧化物导电玻璃。本发明所述衬底为所述ITO玻璃，也即为铟锡氧化物导电玻璃。所述的衬底可以从市面上购买到。
[0028]应用所述双掺杂锶酸盐发光薄膜的电致发光器件的制备方法是以上述双掺杂锶酸盐发光薄膜制备方法为基础，除了包括上述的步骤(a)至步骤(C)之外，还包括以下步骤:在步骤(C)制得的发光薄膜上面蒸镀一银层，所述银层形成阴极层，得到所述电致发光器件。
[0029]本发明采用脉冲激光沉积(即PLD)设备所制得的双掺杂锶酸盐发光薄膜在650nm和675nm位置有很强的发光峰，具有良好的发光性能。所述双掺杂锶酸盐发光薄膜实现了反光材料由荧光粉到发光薄膜的过渡，增加了发光薄膜的种类。
[0030]以下结合具体实施例对上述双掺杂锶酸盐发光薄膜及其电致发光器件的制备方法进行详细阐述。
[0031]实施例1
[0032](一)双掺杂锶酸盐发光薄膜的制备方法，其包括以下步骤:
[0033](a)靶材的制备:
[0034]选用SrO，CeO2, MnOjP Cr2O3粉体，并按照摩尔比为2:1:0.02:0.015均匀混合，然后在1250°C下烧结成直径为50mm、厚度为2mm的祀材；
[0035](b)镀膜的预处理
[0036]将步骤(a)中得到的靶材装入脉冲激光沉积镀膜设备的真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO玻璃的衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。最后用机械泵和分子泵把所述真空腔体的真空度抽到5.0X 1-4Pa ；
[0037](c)调整脉冲激光沉积镀膜设备的工艺参数
[0038]把祀材和衬底的距离设定为60mm ;把氧气的工作气体流量设定为20sccm,压强调节为3Pa ;把衬底温度设定为500°C ;把激光能量设定为150W ;接着进行制膜，得到样品Sr2Ce04:0.02Mn4+，0.03Cr3+，即为本发明所述的双掺杂锶酸盐发光薄膜。
[0039](二)应用所述双掺杂锶酸盐发光薄膜的电致发光器件的制备方法，其步骤如下:
[0040]在步骤(C)制得的发光薄膜上面蒸镀一银层，所述银层形成阴极层，得到所述电致发光器件。
[0041]请参阅图2，图2显示本发明实施例发光薄膜的电致发光光谱，从图2中可以看出，发光薄膜在蓝绿光波段范围形成一个较宽的发光带，在650nm和675nm位置有很强的发光峰。
[0042]实施例2
[0043](一)双掺杂锶酸盐发光薄膜的制备方法，其包括以下步骤:
[0044](a)靶材的制备:
[0045]选用SrO，CeO2, MnO2和Cr2O3粉体，并按照摩尔比为2:1:0.01:0.005均匀混合，然后在900°C下烧结成直径为50mm、厚度为2mm的祀材；
[0046](b)镀膜的预处理
[0047]将步骤(a)中得到的靶材装入脉冲激光沉积镀膜设备的真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO玻璃的衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。最后用机械泵和分子泵把所述真空腔体的真空度抽到1.0X 1-3Pa ；
[0048](c)调整脉冲激光沉积镀膜设备的工艺参数
[0049]把靶材和衬底的距离设定为45mm ;把氧气的工作气体流量设定为lOsccm，压强调节为0.5Pa ;把衬底温度设定为250°C ;把激光能量设定为80W ;接着进行制膜，得到样品Sr2Ce04:0.0lMn4+, 0.0lCr3+,即为本发明所述的双掺杂锶酸盐发光薄膜。
[0050](二)应用所述双掺杂锶酸盐发光薄膜的电致发光器件的制备方法，其步骤如下:
[0051]在步骤(C)制得的发光薄膜上面蒸镀一银层，所述银层形成阴极层，得到所述电致发光器件。
[0052]实施例3
[0053](一)双掺杂锶酸盐发光薄膜的制备方法，其包括以下步骤:
[0054](a)靶材的制备:
[0055]选用SrO, CeO2, MnO2和Cr2O3粉体，并按照摩尔比为2:1:0.05:0.03均匀混合，然后在1300°C下烧结成直径为50mm、厚度为2mm的祀材；
[0056](b)镀膜的预处理
[0057]将步骤(a)中得到的靶材装入脉冲激光沉积镀膜设备的真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO玻璃的衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。最后用机械泵和分子泵把所述真空腔体的真空度抽到1.0X KT5Pa ；
[0058](c)调整脉冲激光沉积镀膜设备的工艺参数
[0059]把靶材和衬底的距离设定为95mm ;把氧气的工作气体流量设定为40sCCm，压强调节为5Pa ;把衬底温度设定为750°C ;把激光能量设定为300W ;接着进行制膜，得到样品Sr2Ce04:0.05Mn4+，0.06Cr3+，即为本发明所述的双掺杂锶酸盐发光薄膜。
[0060](二)应用所述双掺杂锶酸盐发光薄膜的电致发光器件的制备方法，其步骤如下:
[0061]在步骤(C)制得的发光薄膜上面蒸镀一银层，所述银层形成阴极层，得到所述电致发光器件。
[0062]实施例4
[0063](一)双掺杂锶酸盐发光薄膜的制备方法，其包括以下步骤:
[0064](a)靶材的制备:
[0065]选用SrO，PbO2, MnOjP Cr2O3粉体，并按照摩尔比为2:1:0.02:0.015均匀混合，然后在125(TC下烧结成直径为50mm、厚度为2mm的祀材；
[0066](b)镀膜的预处理
[0067]将步骤(a)中得到的靶材装入脉冲激光沉积镀膜设备的真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO玻璃的衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。最后用机械泵和分子泵把所述真空腔体的真空度抽到5.0X 1-4Pa ；
[0068](c)调整脉冲激光沉积镀膜设备的工艺参数
[0069]把靶材和衬底的距离设定为60mm ;把氧气的工作气体流量设定为20sCCm，压强调节为3Pa ;把衬底温度设定为500°C ;把激光能量设定为150W ;接着进行制膜，得到样品Sr2Pb04:0.02Mn4+，0.03Cr3+，即为本发明所述的双掺杂锶酸盐发光薄膜。
[0070](二)应用所述双掺杂锶酸盐发光薄膜的电致发光器件的制备方法，其步骤如下:
[0071]在步骤(C)制得的发光薄膜上面蒸镀一银层，所述银层形成阴极层，得到所述电致发光器件。
[0072]实施例5
[0073](一)双掺杂锶酸盐发光薄膜的制备方法，其包括以下步骤:
[0074](a)靶材的制备:
[0075]选用SrO，PbO2, MnO2和Cr2O3粉体，并按照摩尔比为2:1:0.01:0.005均匀混合，然后在900°C下烧结成直径为50mm、厚度为2mm的祀材；
[0076](b)镀膜的预处理
[0077]将步骤(a)中得到的靶材装入脉冲激光沉积镀膜设备的真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO玻璃的衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。最后用机械泵和分子泵把所述真空腔体的真空度抽到1.0X 1-3Pa ；
[0078](c)调整脉冲激光沉积镀膜设备的工艺参数
[0079]把祀材和衬底的距离设定为45mm ;把氧气的工作气体流量设定为1sccm,压强调节为0.5Pa ;把衬底温度设定为250°C ;把激光能量设定为80W ;接着进行制膜，得到样品Sr2Pb04:0.0lMn4+, 0.0lCr3+,即为本发明所述的双掺杂锶酸盐发光薄膜。
[0080](二)应用所述双掺杂锶酸盐发光薄膜的电致发光器件的制备方法，其步骤如下:
[0081]在步骤(C)制得的发光薄膜上面蒸镀一银层，所述银层形成阴极层，得到所述电致发光器件。
[0082]实施例6
[0083](一)双掺杂锶酸盐发光薄膜的制备方法，其包括以下步骤:
[0084](a)靶材的制备:
[0085]选用SrO, PbO2, MnO2和Cr2O3粉体，并按照摩尔比为2:1:0.05:0.03均匀混合，然后在1300°C下烧结成直径为50mm、厚度为2mm的祀材；
[0086](b)镀膜的预处理
[0087]将步骤(a)中得到的靶材装入脉冲激光沉积镀膜设备的真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO玻璃的衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。最后用机械泵和分子泵把所述真空腔体的真空度抽到LOXlO-5Pa;
[0088](c)调整脉冲激光沉积镀膜设备的工艺参数
[0089]把靶材和衬底的距离设定为95mm ;把氧气的工作气体流量设定为40sCCm，压强调节为5Pa ;把衬底温度设定为750°C ;把激光能量设定为300W ;接着进行制膜，得到样品Sr2Pb04:0.05Mn4+，0.06Cr3+，即为本发明所述的双掺杂锶酸盐发光薄膜。
[0090](二)应用所述双掺杂锶酸盐发光薄膜的电致发光器件的制备方法，其步骤如下:
[0091]在步骤(C)制得的发光薄膜上面蒸镀一银层，所述银层形成阴极层，得到所述电致发光器件。
[0092]实施例7
[0093](一)双掺杂锶酸盐发光薄膜的制备方法，其包括以下步骤:
[0094](a)靶材的制备:
[0095]选用SrO，PrO2, MnOjP Cr2O3粉体，并按照摩尔比为2:1:0.02:0.015均匀混合，然后在1250°C下烧结成直径为50mm、厚度为2mm的祀材；
[0096](b)镀膜的预处理
[0097]将步骤(a)中得到的靶材装入脉冲激光沉积镀膜设备的真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO玻璃的衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。最后用机械泵和分子泵把所述真空腔体的真空度抽到5.0X KT4Pa ；
[0098](c)调整脉冲激光沉积镀膜设备的工艺参数
[0099]把靶材和衬底的距离设定为60mm ;把氧气的工作气体流量设定为20sCCm，压强调节为3Pa ;把衬底温度设定为500°C ;把激光能量设定为150W ;接着进行制膜，得到样品Sr2Pr04:0.02Mn4+，0.03Cr3+，即为本发明所述的双掺杂锶酸盐发光薄膜。
[0100](二)应用所述双掺杂锶酸盐发光薄膜的电致发光器件的制备方法，其步骤如下:
[0101]在步骤(C)制得的发光薄膜上面蒸镀一银层，所述银层形成阴极层，得到所述电致发光器件。
[0102]实施例8
[0103](一)双掺杂锶酸盐发光薄膜的制备方法，其包括以下步骤:
[0104](a)靶材的制备:
[0105]选用SrO, PrO2, MnO2和Cr2O3粉体，并按照摩尔比为2:1:0.01:0.005均匀混合，然后在900°C下烧结成直径为50mm、厚度为2mm的祀材；
[0106](b)镀膜的预处理
[0107]将步骤(a)中得到的靶材装入脉冲激光沉积镀膜设备的真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO玻璃的衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。最后用机械泵和分子泵把所述真空腔体的真空度抽到1.0X 1-3Pa ；
[0108](c)调整脉冲激光沉积镀膜设备的工艺参数
[0109]把祀材和衬底的距离设定为45mm ;把氧气的工作气体流量设定为1sccm,压强调节为0.5Pa ;把衬底温度设定为250°C ;把激光能量设定为80W ;接着进行制膜，得到样品Sr2Pr04:0.0lMn4+, 0.0lCr3+,即为本发明所述的双掺杂锶酸盐发光薄膜。
[0110](二)应用所述双掺杂锶酸盐发光薄膜的电致发光器件的制备方法，其步骤如下:
[0111]在步骤(C)制得的发光薄膜上面蒸镀一银层，所述银层形成阴极层，得到所述电致发光器件。
[0112]实施例9
[0113](一)双掺杂锶酸盐发光薄膜的制备方法，其包括以下步骤:
[0114](a)靶材的制备:
[0115]选用SrO, PrO2, MnO2和Cr2O3粉体，并按照摩尔比为2:1:0.05:0.03均匀混合，然后在1300°C下烧结成直径为50mm、厚度为2mm的祀材；
[0116](b)镀膜的预处理
[0117]将步骤(a)中得到的靶材装入脉冲激光沉积镀膜设备的真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO玻璃的衬底，并用对其进行氧等离子处理，放入真空腔体。最后用机械泵和分子泵把所述真空腔体的真空度抽到1.0X 1-5Pa ；
[0118](c)调整脉冲激光沉积镀膜设备的工艺参数
[0119]把靶材和衬底的距离设定为95mm ;把氧气的工作气体流量设定为40sCCm，压强调节为5Pa ;把衬底温度设定为750°C ;把激光能量设定为300W ;接着进行制膜，得到样品Sr2Pr04:0.05Mn4+，0.06Cr3+，即为本发明所述的双掺杂锶酸盐发光薄膜。
[0120](二)应用所述双掺杂锶酸盐发光薄膜的电致发光器件的制备方法，其步骤如下:
[0121]在步骤(C)制得的发光薄膜上面蒸镀一银层，所述银层形成阴极层，得到所述电致发光器件。
[0122]以上仅为本发明的较佳可行实施例，并非限制本发明的保护范围，凡运用本发明说明书及附图内容所作出的等效结构变化，均包含在本发明的保护范围内。
【权利要求】
1.一种双掺杂锶酸盐发光薄膜，其特征在于，所述发光薄膜的化学通式为Sr2MO4:xMn4+，yCr3+ ;其中: Sr2MO4是基质，Mn, Cr是激活元素； X的取值范围为0.0Γ0.05，y的取值范围为0.0Γ0.06 ；
M 为 Ce、Pb 或 Pr。
2.如权利要求1所述的双掺杂锶酸盐发光薄膜，其特征在于，X取值为0.02，y取值为0.03。
3.—种双掺杂锶酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: (a)按照摩尔比2:1: X: y/2,分别称取SrO、M02、MnO2和Cr2O3粉体,经过研磨混合均匀后，在90(Tl30(TC下烧结，制成靶材，其中，X的取值范围为0.0Γ0.05，y的取值范围为 0.ΟΓΟ.06 ； (b)将步骤(a)中得到的靶材装入脉冲激光沉积镀膜设备的真空腔体内，再把衬底装入所述真空腔体内，并将真空腔体的真空度设置在1.0X 10_3Pa?l.0X 10_5Pa之间； (c)调整脉冲激光沉积镀膜工艺参数为:将所述靶材与所述衬底之间的距离调整为45^95mm ;将所述脉冲激光沉积镀膜设备的激光能量调整为8(T300W ;将所述脉冲激光沉积镀膜设备的工作气体调整为lOlOsccm流量的氧气；将所述氧气的压强调整为0.5^5Pa,将衬底温度调整为250°C ^750°C ;接着通过所述脉冲激光沉积镀膜设备和所述靶材在所述衬底进行镀膜，得到化学通式为Sr2MO4: XMn4+，yCr3+的所述双掺杂锶酸盐发光薄膜；其中，Sr2MO4是基质，Mn、Cr是激活元素；x的取值范围为0.θΓθ.05，y的取值范围为0.θΓθ.06 ；M 为 Ce、Pb 或 Pr。
4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述的步骤(a)中，所述靶材制备的烧结温度为1250°C ;所述靶材的直径为50mm、厚度为2mm。
5.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述的步骤(b)中，所述真空腔体的真空度设置在5.0X10_4Pa。
6.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述的步骤(c)中，所述靶材与所述衬底之间的距离为60mm，所述激光的能量为150W，所述脉冲激光沉积镀膜设备的工作气体为20SCCm流量的氧气，所述氧气为3Pa，所述衬底温度为500°C。
7.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述的步骤(c)中，X取值为0.02，y取值为0.03。
8.—种电致发光器件，其为复合层状结构，所述复合层状结构依次为玻璃基片、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层为权利要求1或2所述的双掺杂锶酸盐发光薄膜。
9.如权利要求8所述的电致发光器件，其特征在于，X取值为0.02，y取值为0.03。
10.如权利要求8所述的电致发光器件，其特征在于，所述阴极层为银层。
【文档编号】C09K11/78GK104419423SQ201310451732
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2013年9月27日 优先权日:2013年8月26日
【发明者】周明杰, 陈吉星, 王平, 钟铁涛 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司