一种晶片切割用胶粘剂的制备方法
【专利摘要】本发明涉及一种晶片切割用胶粘剂的制备方法，其制备方法如下：（1）制备组分A；（2）制备组分B；（3）按重量份数比称取组分A和组分B，充分混合均匀，然后均匀的刮涂于晶棒和玻璃板的表面，并将其压紧固定在玻璃板上，放置1h后可移动晶棒，充分固化4h，然后上机进行切割得成品，易脱胶、硬度较高和良好韧性等特点，适合于更薄晶片的切割，同时减少掉片、亮边提高优品率。
【专利说明】一种晶片切割用胶粘剂的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种晶片切割用胶粘剂。
【背景技术】
[0002]在半导体晶片切割过程中，由于各种原因会导致完整的晶棒脱落或者部分晶片破碎、亮边等。然而通过使用胶黏剂的包覆再进行切割，然后再通过脱胶和清洗处理，可以得到品质更好的晶片。但是，现有的妝黏剂存在掉片率尚、壳边多、次品率尚等冋题。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是针对以上弊端提供一种晶片切割用胶粘剂的制备方法，易脱胶、硬度较高和良好韧性等特点，适合于更薄晶片的切割，同时减少掉片、亮边提尚优品率。
[0004]为解决上述技术问题，本发明的技术方案是:
一种晶片切割用胶粘剂的制备方法，其制备方法如下:
(O制备组分A，将环氧树脂、聚乙烯醇树脂、亚硫酸氢钠15-30份、沉淀硫酸钡、丙烯酸、乙醇、环氧硬脂酸辛酯加入反应釜中搅拌，搅拌温度为100-110°C，搅拌时间为2-3h，即可得组分A ;
(2)制备组分B，将丁腈橡胶、增塑剂、偶联剂加入反应釜中高速搅拌均匀，然后加入丙烯酸丁酯，同时开动搅拌并加热升温到110-120°C，保温l_2h反应完全即可得到组分B ;
(3)按重量份数比称取组分A和组分B，充分混合均匀，然后均匀的刮涂于晶棒和玻璃板的表面，并将其压紧固定在玻璃板上，放置Ih后可移动晶棒，充分固化4h，然后上机进行切割得成品。
[0005]上述一种晶片切割用胶粘剂的制备方法，其中，所述组分A与组分B的重量份数比为 25-40:17-31 ο
[0006]上述一种晶片切割用胶粘剂的制备方法，其中，所述组分A的组成成分按重量份数计为:
环氧树脂80-100份、
聚乙烯醇树脂40-50份、
亚硫酸氢钠15-30份、
沉淀硫酸钡10-25份、
丙烯酸1-5份、
乙醇2-10份、
环氧硬脂酸辛酯1.5-7.5份；
所述组分B的组成成分按重量份数计为:
丁腈橡胶40-50份、
丙烯酸丁酯10-12.5份、 增塑剂1-5份、
偶联剂0.1-2份。
[0007]上述一种晶片切割用胶粘剂的制备方法，其中，优选的，所述组分A的组成成分按重量份数计为:环氧树脂90份、聚乙烯醇树脂45份、亚硫酸氢钠16份、沉淀硫酸钡12份、丙烯酸2份、乙醇4份、环氧硬脂酸辛酯3份；所述组分B的组成成分按重量份数计为:丁腈橡胶45份、丙烯酸丁酯11.25份、增塑剂2份、偶联剂0.5份。
[0008]上述一种晶片切割用胶粘剂的制备方法，其中，所述环氧树脂与聚乙烯醇树脂的重量份数比为2:1。
[0009]上述一种晶片切割用胶粘剂的制备方法，其中，所述丙烯酸、环氧硬脂酸辛酯、乙醇的重量份数比为1:1.5:2。
[0010]上述一种晶片切割用胶粘剂的制备方法，其中，增塑剂为TP7595与硬脂酸以1.5:4的重量份数比混合而成。
[0011]上述一种晶片切割用胶粘剂，其中，所述偶联剂为聚乙烯、氧化镁和硅氯仿以1:2:1的重量份数比混合而成。
[0012]本发明的有益效果为:本发明适当增强了胶黏剂硬度，以确保半导体晶片在切割时胶黏剂不会因脆裂而使晶片受损，通过调节各个组分之间的重量，使本发明的产品具有合理的硬度、良好韧性、易脱胶的特点，适合于更薄晶片的切割，同时减少掉片和亮边，提高优品率。
【具体实施方式】
[0013]实例一
一种晶片切割用胶粘剂的制备方法，其制备方法如下:
(1)制备组分A，将环氧树脂90份、聚乙烯醇树脂45份、亚硫酸氢钠16份、沉淀硫酸钡12份、丙烯酸2份、乙醇4份、环氧硬脂酸辛酯3份加入反应釜中搅拌，搅拌温度为110°C，搅拌时间为2h，即可得组分A;
(2)制备组分B，将丁腈橡胶45份、增塑剂2份、偶联剂0.5份，加入反应釜中高速搅拌均匀，然后加入丙烯酸丁酯11.25份，同时开动搅拌并加热升温到120°C，保温2h反应完全即可得到组分B;
(3)按重量份数比25:17称取组分A和组分B，充分混合均匀，然后均匀的刮涂于晶棒和玻璃板的表面，并将其压紧固定在玻璃板上，放置Ih后可移动晶棒，充分固化4h，然后上机进行切割得成品。
[0014]其中，增塑剂为TP7595与硬脂酸以1.5:4的重量份数比混合而成，偶联剂为聚乙烯、氧化镁和硅氯仿以1:2:1的重量份数比混合而成。
[0015]实例二
一种晶片切割用胶粘剂的制备方法，其制备方法如下:
(O制备组分A，环氧树脂100份、聚乙烯醇树脂50份、亚硫酸氢钠19份、沉淀硫酸钡20份、丙烯酸4份、乙醇8份、环氧硬脂酸辛酯6份加入反应釜中搅拌，搅拌温度为110°C，搅拌时间为3h，即可得组分A;
(2)制备组分B，将丁腈橡胶50份、增塑剂3份、偶联剂I份，加入反应釜中高速搅拌均匀，然后加入丙烯酸丁酯12.5份，同时开动搅拌并加热升温到110°C，保温2h反应完全即可得到组分B;
(3)按重量份数比31:22称取组分A和组分B，充分混合均匀，然后均匀的刮涂于晶棒和玻璃板的表面，并将其压紧固定在玻璃板上，放置Ih后可移动晶棒，充分固化4h，然后上机进行切割得成品。
[0016]其中，增塑剂为TP7595与硬脂酸以1.5:4的重量份数比混合而成，偶联剂为聚乙烯、氧化镁和硅氯仿以1:2:1的重量份数比混合而成。
[0017]这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例中，因此，本发明不受本实施例的限制，任何采用等效替换取得的技术方案均在本发明保护的范围内。
【权利要求】
1.一种晶片切割用胶粘剂的制备方法，其特征为，其制备方法如下: (O制备组分A，将环氧树脂、聚乙烯醇树脂、亚硫酸氢钠15-30份、沉淀硫酸钡、丙烯酸、乙醇、环氧硬脂酸辛酯加入反应釜中搅拌，搅拌温度为100-110°C，搅拌时间为2-3h，即可得组分A ; (2)制备组分B，将丁腈橡胶、增塑剂、偶联剂加入反应釜中高速搅拌均匀，然后加入丙烯酸丁酯，同时开动搅拌并加热升温到110-120°C，保温l_2h反应完全即可得到组分B ; (3)按重量份数比称取组分A和组分B，充分混合均匀，然后均匀的刮涂于晶棒和玻璃板的表面，并将其压紧固定在玻璃板上，放置Ih后可移动晶棒，充分固化4h，然后上机进行切割得成品。
2.如权利要求1所述的一种晶片切割用胶粘剂的制备方法，其特征为，所述组分A与组分B的重量份数比为25-40:17-31。
3.如权利要求1所述的一种晶片切割用胶粘剂的制备方法，其特征为，所述组分A的组成成分按重量份数计为: 环氧树脂80-100份、 聚乙烯醇树脂40-50份、 亚硫酸氢钠15-30份、 沉淀硫酸钡10-25份、 丙烯酸1-5份、 乙醇2-10份、 环氧硬脂酸辛酯1.5-7.5份； 所述组分B的组成成分按重量份数计为: 丁腈橡胶40-50份、 丙烯酸丁酯10-12.5份、 增塑剂1-5份、 偶联剂0.1-2份。
4.如权利要求1所述的一种晶片切割用胶粘剂的制备方法，其特征为优选的，所述组分A的组成成分按重量份数计为:环氧树脂90份、聚乙烯醇树脂45份、亚硫酸氢钠16份、沉淀硫酸钡12份、丙烯酸2份、乙醇4份、环氧硬脂酸辛酯3份；所述组分B的组成成分按重量份数计为:丁腈橡胶45份、丙烯酸丁酯11.25份、增塑剂2份、偶联剂0.5份。
5.如权利要求1所述的一种晶片切割用胶粘剂的制备方法，其特征为所述环氧树脂与聚乙烯醇树脂的重量份数比为2:1。
6.如权利要求1所述的一种晶片切割用胶粘剂的制备方法，其特征为，所述丙烯酸、环氧硬脂酸辛酯、乙醇的重量份数比为1:1.5:2。
7.如权利要求1所述的一种晶片切割用胶粘剂的制备方法，其特征为，增塑剂为TP7595与硬脂酸以1.5:4的重量份数比混合而成。
8.如权利要求1所述的一种晶片切割用胶粘剂的制备方法，其特征为，所述偶联剂为聚乙烯、氧化镁和硅氯仿以1:2:1的重量份数比混合而成。
【文档编号】C09J11/04GK104497942SQ201410846758
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年12月31日 优先权日:2014年12月31日
【发明者】聂金根 申请人:镇江市港南电子有限公司