一种ZnSe(Te)量子点及其制备方法、电致发光器件与流程

本发明属于量子点领域，尤其涉及一种znse(te)量子点及其制备方法、电致发光器件。

背景技术：

1、现有技术中，常见的基于znse的量子点的发射波长一般小于430nm，限制了其在430nm以上波长范围的应用。有科研人员通过引入te元素构建出znsete量子点，可以将该类量子点的发射波长延伸至532nm，但这种方法获得的量子点的量子产率并不高，影响了该类量子点的进一步应用。

2、基于上述问题，需要研究出一种新型的基于znse的量子点及其制备方法，以扩充当前无铅无镉量子点的类型，并同时扩大基于znse的量子点的使用范围。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明的目的是提供一种发射波长范围在430nm-580nm的znse(te)量子点及其制备方法，其量子产率高，扩大了现有技术中基于znse的量子点的使用范围。

2、为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：

3、本发明的第一个目的在于提供一种znse(te)量子点，包括量子点核，所述量子点核包括掺杂在所述量子点核中的卤素离子x-，所述量子点核包括阳离子和阴离子，所述卤素离子x-与所述阳离子相结合。

4、具体的，所述卤素离子为选自f-、cl-、br-、i-中的至少一种。

5、具体的，所述量子点还包括包覆在所述量子点核外的壳层，所述壳层为选自zns、znse、znses、znse/zns和znses/zns中的一种。

6、优选地，所述量子点核为znse，所述量子点的发射波长为430-480nm。

7、优选地，所述量子点核为znsete，所述量子点的发射波长为480-580nm。

8、本发明的第二个目的在于提供一种znse(te)量子点的制备方法，包括如下步骤：

9、s1.获得如上所述量子点核；

10、s2.在第一温度下，将金属卤化物的配位溶液与所述量子点核混合，反应得到含有所述量子点核的第一混合溶液；

11、s3.向所述第一混合溶液中加入锌前体、硫前体，第二温度下，在所述量子点核外包覆壳层，得到所述量子点。

12、具体的，所述量子点核与所述金属卤化物的配位溶液的投料摩尔比为1:(1-10)。

13、具体的，所述金属卤化物的配位溶液为金属卤化物的胺类、膦类或者羧酸类溶液中的至少一种；

14、优选地，所述金属卤化物的配位溶液为金属卤化物的三辛基膦或油胺溶液，所述金属卤化物为选自卤化锌、卤化镁、卤化钙、卤化铁或卤化锰中的至少一种。

15、具体的，s2中，所述第一温度为180-320℃，所述金属卤化物的配位溶液的浓度为(0.04-0.4)mol/l。

16、具体的，所述锌前体、硫前体与所述量子点核之间的投料摩尔比为(1.8-3):(1.8-3):1；

17、所述锌前体为选自羧酸锌、卤化锌或者有机锌中的至少一种；

18、所述硫前体为选自硫的有机磷配合物、硫的脂肪胺化合物、硫的长链烯溶液中的至少一种；

19、所述第二温度为230-320℃。

20、本发明的第三个目的在于提供一种电致发光器件，包括发光层，所述发光层包括如上所述znse(te)量子点或如上所述制备方法制备得到的znse(te)量子点。

21、与现有技术相比，本发明至少具有如下优点：

22、本申请通过在znse(te)量子点的核中掺杂卤素x，获得了荧光发射波长在430nm以上的znse量子点、荧光发射波长在480nm以上的znsete量子点，量子点的量子效率高(≥75％)，可以在多领域进行应用。此外，本申请的制备方法操作简便、反应所需时间短、效率高，满足量子点规模化生产的需要。

技术特征：

1.一种znse(te)量子点，包括量子点核，其特征在于：所述量子点核包括掺杂在所述量子点核中的卤素离子x-，所述量子点核包括阳离子和阴离子，所述卤素离子x-与所述阳离子相结合。

2.根据权利要求1所述znse(te)量子点，其特征在于：所述量子点还包括包覆在所述量子点核外的壳层，所述壳层为选自zns、znse、znses、znse/zns和znses/zns中的一种。

3.根据权利要求2所述znse(te)量子点，其特征在于：所述量子点核为znse，所述量子点的发射波长为430-480nm。

4.根据权利要求2所述znse(te)量子点，其特征在于：所述量子点核为znsete，所述量子点的发射波长为480-580nm。

5.一种znse(te)量子点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

6.根据权利要求5所述znse(te)量子点的制备方法，其特征在于：所述量子点核与所述金属卤化物的配位溶液的投料摩尔比为1:(0.1-10)。

7.根据权利要求5所述znse(te)量子点的制备方法，其特征在于：所述金属卤化物的配位溶液为金属卤化物的胺类、膦类或者羧酸类溶液中的至少一种；

8.根据权利要求5所述znse(te)量子点的制备方法，其特征在于：s2中，所述第一温度为180-320℃，所述金属卤化物的配位溶液的浓度为(0.04-0.4)mol/l。

9.根据权利要求5所述znse(te)量子点的制备方法，其特征在于：所述锌前体、硫前体与所述量子点核之间的投料摩尔比为(1.8-3):(1.8-3):1；

10.一种电致发光器件，包括发光层，其特征在于：所述发光层包括如权利要求1-4任一所述znse(te)量子点或如权利要求5-9任一所述制备方法制备得到的znse(te)量子点。

技术总结
本发明公开了一种ZnSe(Te)量子点，包括量子点核，所述量子点核包括掺杂在所述量子点核中的卤素离子X<supgt;‑</supgt;，所述量子点核包括阳离子和阴离子，所述卤素离子X<supgt;‑</supgt;与所述阳离子相结合。本申请通过在ZnSe(Te)量子点的核中掺杂卤素X，获得了荧光发射波长在430nm以上的ZnSe量子点、荧光发射波长在480nm以上的ZnSeTe量子点，量子点的量子效率高（≥75%），可以在多领域进行应用。此外，本申请的制备方法操作简便、反应所需时间短、效率高，满足量子点规模化生产的需要。

技术研发人员：林进,陈钦越,乔登清,王允军
受保护的技术使用者：苏州星烁纳米科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16