一种ITO蚀刻液组合物及其制备方法与流程

本发明涉及化学蚀刻液，尤其涉及ipc c09k13领域，更具体的，涉及一种ito蚀刻液组合物及其制备方法。

背景技术：

1、大部分显示面板或太阳能面板企业的ito(氧化铟锡)蚀刻液在蚀刻过程中，草酸型蚀刻液将ito铟络合形成草酸铟从而进行溶解蚀刻。上述蚀刻液的长期连续使用，会导致草酸铟不能完全溶解在蚀刻液中并沉积在湿法蚀刻的装置内，具体的草酸铟结晶会沉积到配管、阀门、过滤器、泵、喷嘴、基板转移辊、蚀刻机台、缓冲液罐内壁等位置，沉积草酸铟的装置会影响后续蚀刻效果，同时这些草酸结晶坠落基板表面会导致基板表面刮伤，影响产品质量。

2、cn104388090b公开了一种草酸系ito蚀刻液及其制备方法和应用，该草酸系ito蚀刻液，以重量百分比计，包含0.5-10％的草酸、0.1-0.5％的烷基酚聚氧乙烯醚系列表面活性剂、0.1-5％的有机多元膦酸和余量的水。该发明的草酸系ito蚀刻液能够在温和条件下对ito层进行蚀刻，且蚀刻后不会有残渣和大量泡沫产生，但不可避免会产生草酸结晶，导致ito设备的稼动率降低，还会影响产品质量。

3、cn109234072a中公开了通过在溶解体系中加入氯离子加速溶解草酸铟的技术方案，但是氯离子的加入容易造成设备的卤素污染。

技术实现思路

1、本发明第一方面提供了一种ito(氧化铟锡)蚀刻液组合物，按重量百分计，组分包括：草酸和/或草酸盐3-10％，无机酸和/或无机酸盐0.01-1％，有机碱0.5-5％，表面活性剂0.01-0.5％，去离子水补足余量。

2、优选的，所述ito蚀刻液组合物按重量百分计，组分包括：草酸和/或草酸盐3-6％，无机酸和/或无机酸盐0.05-0.5％，有机碱1-3％，表面活性剂0.05-0.3％，去离子水补足余量。

3、所述草酸盐包括草酸铵、草酸钾、草酸钠中的至少一种。

4、所述无机酸包括盐酸、硝酸、磷酸、硫酸中的至少一种。

5、优选的，所述无机酸包括盐酸、硝酸、硫酸中的至少一种。

6、所述无机酸盐包括氯化铵、硝酸铵、硫酸铵、硫酸氢铵、磷酸氢二铵、磷酸二氢铵中的至少一种。

7、优选的，所述无机酸盐包括氯化铵、硝酸铵、硫酸铵、硫酸氢铵中的至少一种。

8、所述有机碱中碳原子数大于3。

9、优选的，所述有机碱包括二乙氨基丙胺、丙二胺、三乙醇胺、二乙醇胺、异丙醇胺、异丁醇胺、二甲基乙醇胺、n-甲基二乙醇胺中的至少一种。

10、进一步优选的，所述有机碱包括二甲基乙醇胺、n-甲基二乙醇胺、异丙醇胺中的至少一种。

11、所述表面活性剂包括萘系阴离子表面活性剂。

12、优选的，所述萘系阴离子表面活性剂包括烷基萘磺酸钠盐、萘磺酸钠甲醛缩合物、甲基萘磺酸甲醛缩合物、苄基萘磺酸甲醛缩合物中的至少一种。

13、进一步优选的，所述萘系阴离子表面活性剂包括萘磺酸钠甲醛缩合物。

14、优选的，所述草酸和/或草酸盐与表面活性剂重量比为(4-6)：(0.15-0.2)。

15、本申请人研究发现，有机碱和表面活性剂的重量比为(1-2)：(0.1-0.5)，可提高ito设备的稼动率，同时提高in负载达到2000ppm。现有的显示面板或太阳能面板企业的ito蚀刻液，蚀刻过程中，蚀刻槽内部会产生大量草酸铟或草酸结晶，还需要停机清理，生产效率降低的同时，由于蚀刻液的使用周期较短，也导致in负载较低，同时草酸结晶坠落基板表面会导致基板表面刮伤，影响产品质量。添加特定比例的有机碱，可调节蚀刻液的ph，防止草酸及其盐的析出，特别地，有机碱中碳原子数大于3，其为油性，在成盐过程中，提高盐的分子量，降低了晶体的析出，但草酸铟的易聚集结晶，而通过添加特定比例的萘系阴离子表面活性剂，可降低草酸铟的结晶，可能是分子结构中的萘核为疏水基团，亲水基团则是磺酸基，尽管降低表面张力的能力弱于常规表面活性剂，不易形成胶束，但磺酸基团亲水性强，在分散介质水中会解离带负电荷，与体系中有机碱带正电的粒子形成离子键，有效抑制了草酸铟的聚集，从而降低结晶的产生。

16、所述有机碱和表面活性剂的重量比为(1-2)：(0.1-0.5)。

17、优选的，所述有机碱和表面活性剂的重量比为(1.8-2)：(0.15-0.2)。

18、本发明第二方面提供了一种ito蚀刻液组合物的制备方法，包括以下步骤：将草酸和/或草酸盐，无机酸和/或无机酸盐，有机碱，表面活性剂，去离子水混合均匀，即得。

19、有益效果：

20、1.有机碱和表面活性剂的重量比为(1-2)：(0.1-0.5)，可提高ito设备的稼动率，同时提高in负载达到2000ppm，提高药液使用周期较长，节省企业材料成本。

21、2.所述表面活性剂包括萘系阴离子表面活性剂，可有效抑制草酸铟的结晶。

技术特征：

1.一种ito蚀刻液组合物，其特征在于，按重量百分计，组分包括：草酸和/或草酸盐3-10％，无机酸和/或无机酸盐0.01-0.1％，有机碱0.5-5％，表面活性剂0.01-0.5％，去离子水补足余量。

2.根据权利要求1所述的一种ito蚀刻液组合物，其特征在于，所述草酸盐包括草酸铵、草酸钾、草酸钠中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的一种ito蚀刻液组合物，其特征在于，所述无机酸包括盐酸、硝酸、磷酸、硫酸中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的一种ito蚀刻液组合物，其特征在于，所述无机酸盐包括氯化铵、硝酸铵、硫酸铵、硫酸氢铵、磷酸氢二铵、磷酸二氢铵中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的一种ito蚀刻液组合物，其特征在于，所述有机碱中碳原子数大于3。

6.根据权利要求5所述的一种ito蚀刻液组合物，其特征在于，所述有机碱包括二乙氨基丙胺、丙二胺、三乙醇胺、二乙醇胺、异丙醇胺、异丁醇胺、二甲基乙醇胺、n-甲基二乙醇胺中的至少一种。

7.根据权利要求1或6所述的一种ito蚀刻液组合物，其特征在于，所述表面活性剂包括萘系阴离子表面活性剂。

8.根据权利要求7所述的一种ito蚀刻液组合物，其特征在于，所述萘系阴离子表面活性剂包括烷基萘磺酸钠盐、萘磺酸钠甲醛缩合物、甲基萘磺酸甲醛缩合物、苄基萘磺酸甲醛缩合物中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的一种ito蚀刻液组合物，其特征在于，所述草酸和/或草酸盐与表面活性剂重量比为(4-6)：(0.15-0.2)。

10.一种根据权利要求1所述的ito蚀刻液组合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将草酸和/或草酸盐，无机酸和/或无机酸盐，有机碱，表面活性剂，去离子水混合均匀，即得。

技术总结
本发明涉及化学蚀刻液技术领域，尤其涉及IPC C09K13领域，更具体的，涉及一种ITO蚀刻液组合物及其制备方法。组分包括：草酸和/或草酸盐3‑10％，无机酸和/或无机酸盐0.01‑0.1％，有机碱0.5‑5％，表面活性剂0.01‑0.5％，去离子水补足余量。有机碱和表面活性剂的重量比为(1‑2)：(0.1‑0.5)，可提高ITO设备的稼动率，同时提高In负载达到2000ppm，提高药液使用周期较长，节省企业材料成本；表面活性剂包括萘系阴离子表面活性剂，可有效抑制草酸铟的结晶。

技术研发人员：徐帅,马强,李闯,张红伟,胡天齐,黄海东,刘长乐,丁荣,魏春雷,方新军,戚玉霞
受保护的技术使用者：四川和晟达电子科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13