量子点、光学构件和电子设备以及制备该量子点的方法与流程

实施例涉及一种量子点、包括该量子点的光学构件、包括该量子点的电子设备和制备该量子点的方法。

背景技术：

1、量子点可以用作在光学构件和各种电子设备中执行各种光学功能(例如，光转换功能、光发射功能等)的材料。作为具有量子限制效应的半导体纳米晶体的量子点可以通过控制纳米晶体的尺寸和组成而具有不同的能带隙，并且因此可以发射各种发射波长的光。

2、包括量子点的光学构件可以具有薄膜(例如，在每个子像素中被图案化的薄膜)的形式。这种光学构件可以用作包括各种光源的装置的颜色转换构件。

3、量子点可以在各种电子设备中用于各种目的。例如，量子点可以用作发射体。例如，量子点可以包括在包括一对电极和发射层的发光器件的发射层中，并且可以用作发射体。

4、为了实现高质量的光学构件和电子设备，需要开发具有优异的光致发光量子产率(plqy)而不包括作为有毒元素的镉的量子点。

技术实现思路

1、实施例涉及一种新的量子点、包括该量子点的光学构件、包括该量子点的电子设备和制备量子点的方法。

2、附加的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过实践公开的给出的实施例来获知。

3、根据实施例，量子点可以包括：

4、核，包括铟(in)和a1；以及

5、第一壳，覆盖核，不包括in，并且包括a1，

6、其中，a1可以是i族元素，

7、量子点中的a1与in的原子比可以在约0.9至约2.4的范围内，并且

8、量子点可以发射除了蓝光之外的可见光。

9、根据实施例，核还可以包括a2和b1中的至少一种，a2可以是除了in之外的iii族元素，并且b1可以是vi族元素。

10、根据实施例，第一壳还可以包括a3和b2中的至少一种，a3可以是除了铟之外的iii族元素，并且b2可以是vi族元素。

11、根据实施例，核和第一壳可以均独立地包括i-iii-vi族半导体化合物。

12、根据实施例，核可以包括由在下面解释的式1表示的第一半导体化合物。

13、根据实施例，第一壳可以包括由在下面解释的式2表示的第二半导体化合物。

14、根据实施例，量子点的最大发射波长可以在约500nm至约650nm的范围内。

15、根据实施例，量子点的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)可以在约30nm至约35nm的范围内。

16、根据实施例，量子点的光致发光量子产率(plqy)可以在约50％至约98％的范围内。

17、根据实施例，光学构件可以包括量子点。

18、根据实施例，电子设备可以包括量子点。

19、根据实施例，电子设备还可以包括光源和设置在从光源发射的光的路径上的颜色转换构件。颜色转换构件可以包括量子点。

20、根据实施例，电子设备还可以包括包含第一电极、面对第一电极的第二电极以及在第一电极与第二电极之间的发射层的发光器件。发光器件可以包括量子点。

21、根据实施例，制备量子点的方法可以包括以下步骤：通过使用包括含in的前驱体和含a1的前驱体的第一组合物制造包括铟(in)和a1的核；以及

22、通过使用包括核和含a1的前驱体的第二组合物制造覆盖核并且包括a1的第一壳，

23、其中，a1可以是i族元素。

24、根据实施例，量子点中的a1与in的原子比可以在约0.9至约2.4的范围内，并且量子点可以发射除了蓝光之外的可见光。

25、根据实施例，该方法还可以包括通过使用包括含a1的第一前驱体和含b1的第二前驱体的第三组合物制造第一组合物中的含a1的前驱体。

26、根据实施例，第一组合物中的含a1的前驱体可以是还包括b1的含a1-b1的前驱体，并且b1可以是vi族元素。

27、根据实施例，第一组合物中的含a1的前驱体可以是还包括a2和b1的含a1-a2-b1的前驱体，a2可以是除了in之外的iii族元素，并且b1可以是vi族元素。该方法还可以包括在制造核的步骤之前，通过使用包括含a1-b1的前驱体和含a2的前驱体的第四组合物来制造含a1-a2-b1的前驱体。

28、根据实施例，第一组合物还可以包括含a2的前驱体，核还可以包括a2，并且a2可以是除了in之外的iii族元素。

29、根据实施例，第二组合物还可以包括含a3的前驱体和含b2的前驱体中的至少一种，第一壳还可以包括a3和b2中的至少一种，a3可以是除了铟之外的iii族元素，并且b2可以是vi族元素。

技术特征：

1.一种量子点，所述量子点包括：

2.根据权利要求1所述的量子点，其中，

3.根据权利要求1所述的量子点，其中，

4.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述核和所述第一壳均独立地包括i-iii-vi族半导体化合物。

5.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述核包括由式1表示的第一半导体化合物：

6.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述第一壳包括由式2表示的第二半导体化合物：

7.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述量子点的最大发射波长在500nm至650nm的范围内。

8.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述量子点的发射波长光谱的半峰全宽在30nm至35nm的范围内。

9.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述量子点的光致发光量子产率在50％至98％的范围内。

10.一种光学构件，所述光学构件包括根据权利要求1所述的量子点。

11.一种电子设备，所述电子设备包括根据权利要求1所述的量子点。

12.根据权利要求11所述的电子设备，所述电子设备还包括：

13.根据权利要求11所述的电子设备，所述电子设备还包括：

14.一种制备量子点的方法，所述方法包括以下步骤：

15.根据权利要求14所述的方法，其中，

16.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括：

17.根据权利要求14所述的方法，其中，

18.根据权利要求14所述的方法，其中，

19.根据权利要求14所述的方法，其中，

20.根据权利要求14所述的方法，其中，

技术总结
实施例提供了量子点、包括该量子点的光学构件、包括该量子点的电子设备和制备该量子点的方法。量子点包括：核，包括铟(In)和A<supgt;1</supgt;；以及第一壳，覆盖核，不包括In，并且包括A<supgt;1</supgt;。A<supgt;1</supgt;是I族元素，量子点中的A<supgt;1</supgt;与In的原子比在约0.9至约2.4的范围内，并且量子点发射除了蓝光之外的可见光。

技术研发人员：权善英,裵完基,金奎利,任盛彬,吴根灿,李赫珍
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/8/16