量子点的制作方法

本公开的一个或多个实施例涉及量子点、制造该量子点的方法以及包括该量子点的发光装置和设备。

背景技术：

1、量子点是半导体材料的纳米晶体，并且展现出量子限制效应。当量子点在接收到来自激发源的光之后(通过接收到来自激发源的光)从基态被激发至能量激发态(例如，激发态)时，它们根据自身的相应能带隙发射能量。在这方面，即使在基本上相同的材料中，发射波长也根据量子点的尺寸(例如，颗粒尺寸)而变化，并且因此，通过控制量子点的尺寸，可以获得具有期望的或合适的波长范围的光，并且可以获得并实现优异的或合适的色纯度和高发光效率。因此，量子点可以应用于一种或多种合适的装置(例如，发光装置)。

2、在一些实施例中，可以利用量子点作为在光学构件中执行一种或多种合适的光学功能(例如，光转换功能)的材料。作为纳米尺寸的半导体纳米晶体的量子点可以通过调整纳米晶体的尺寸和组成而具有不同的能带隙，并且因此可以发射一种或多种合适的发射波长的光。

3、包括这样的量子点的光学构件可以具有(例如，被布置为)薄膜(例如，对于装置的每个子像素而图案化的薄膜)的形式。可以利用这样的光学构件作为包括一种或多种合适的光源的颜色转换构件。

4、因为量子点的晶体结构的均匀性难以保持，能级的畸变可能由于表面缺陷(例如，表面态的形成)而发生，并且供体-受体对(dap)的复合可能产生光，所以，现有技术的包括多组分化合物的量子点的半极大值处全宽度(fwhm)可能具有相对宽的fwhm(例如，fwhm随着量子点在尺寸、形状、缺陷等方面变得更加不均匀而增加)。

技术实现思路

1、本公开的实施例的一个或多个方面涉及具有相对窄的半极大值处全宽度的量子点(例如，以及包括所述量子点的发光装置和设备)。

2、另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地根据描述将是明显的，或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例来获知。

3、根据本公开的一个或多个实施例，一种量子点包括由式1表示的核和覆盖所述核的壳：

4、式1

5、m1a m2b m3c m4d m5e，

6、其中，在式1中，

7、m1可以为i族金属元素，m2和m3可以各自独立地为iii族金属元素，并且m4和m5可以各自独立地为vi族元素，

8、m2和m3可以彼此相同或不同，

9、m4和m5可以彼此相同或不同，

10、a可以为0.05至0.60，

11、b可以为0至1.4，

12、c可以为0至1.4，

13、d可以为0至2.0，并且

14、e可以为0至2.0。

15、根据本公开的一个或多个实施例，一种制造量子点的方法包括：提供第一混合物，其中，所述第一混合物包括包含m1的第一材料、包含m2的第二材料、包含m3的第三材料、包含m4的第四材料和包含m5的第五材料。

16、所述第一混合物中的m1相对于(m2+m3)的摩尔比可以为大约0.2至大约1，

17、m1可以为i族金属元素，m2和m3可以各自独立地为iii族金属元素，并且m4和m5可以各自独立地为vi族金属元素，

18、m2和m3可以彼此相同或不同，并且

19、m4和m5可以彼此相同或不同。

20、根据本公开的一个或多个实施例，一种发光装置包括第一电极、面向所述第一电极的第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，其中，所述发射层包括所述量子点。

21、根据本公开的一个或多个实施例，一种电子设备包括所述量子点。

技术特征：

1.一种量子点，其中，所述量子点包括：由式1表示的核和覆盖所述核的壳：

2.根据权利要求1所述的量子点，其中，b和c之和为0至1.4。

3.根据权利要求1所述的量子点，其中，c相对于b和c之和的摩尔比为0.28至0.6。

4.根据权利要求1所述的量子点，其中，d和e之和为2。

5.根据权利要求1所述的量子点，其中，e相对于d的摩尔比为0.1至4。

6.根据权利要求1所述的量子点，其中，m1为铜。

7.根据权利要求1所述的量子点，其中，

8.根据权利要求1所述的量子点，其中，

9.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述量子点发射红光或近红外光。

10.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述核和所述壳中的iii族元素相对于所有元素的摩尔比为0.01至0.9。

技术总结
提供了量子点，包括由式1表示的核：式1M<supgt;1</supgt;<subgt;a</subgt; M<supgt;2</supgt;<subgt;b</subgt; M<supgt;3</supgt;<subgt;c</subgt; M<supgt;4</supgt;<subgt;d</subgt; M<supgt;5</supgt;<subgt;e</subgt;，其中，M<supgt;1</supgt;为I族金属元素，M<supgt;2</supgt;和M<supgt;3</supgt;各自独立地为III族金属元素，并且M<supgt;4</supgt;和M<supgt;5</supgt;各自独立地为VI族元素；并且a为0.05至0.60，b为0至1.4，c为0至1.4，d为0至2.0，并且e为0至2.0。

技术研发人员：金泳植,金成在,朴昇元,尹彼娜,李栋熙,郑浚赫
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/7/25