一种导电轨的制作方法

文档序号:39268788发布日期:2024-09-03 17:50阅读:20来源:国知局
一种导电轨的制作方法

本发明涉及轨道交通,具体是一种导电轨及其制备方法。


背景技术:

1、在现今应用于地铁、磁浮、跨坐式单轨、悬挂式空铁等轨道交通系统以及高速电梯、港口电动移动设施、轨道巡检机器人系统、自动化物流系统及娱乐观光设施中的导电轨通常采用双金属复合轨,这种双金属复合轨由导电基体铝合金和耐磨金属层复合而成。

2、现有的轨道交通使用的导电复合轨一般采用滚压铆接复合或滚压铆接加带嵌块的焊接复合形式。其中,滚压铆接复合的导电复合轨,会因使用过程中长时间受外力的作用,铆接力会逐步释放,而使复合性能下降。而滚压铆加接带嵌块的焊接复合,也会因嵌块与基体间缺乏一定的镶嵌预紧力,也会因使用过程中长时间受外力的作用,而使复合性能下降。


技术实现思路

1、针对上述现有技术中的不足,本发明供一种导电轨,使得导电轨在满足初始的结合强度的情况下,基体与授流层之间的结合面在各种工况都能满足贴合紧密,且具有较强的复合性能的保持能力。

2、为实现上述目的,本实用新型提供一种导电轨,包括基体以及硬于所述基体的授流层,所述授流层包括两个对称设在所述基体上的单元件;

3、所述单元件的第一端与所述基体的侧部或顶部固定相连,所述单元件的第二端位于所述基体顶部,且两所述单元件的第二端之间具有间隔;

4、所述基体顶部对应所述间隔的位置设有圆形截面的第一沉槽,所述第一沉槽上槽壁的截面弧度大于180°且小于360°;

5、所述第一沉槽内镶嵌有第一连接柱,所述第一连接柱与两两所述单元件的第二端组焊连接为一体。

6、在其中一个实施例,所述第一连接柱与所述基体之间为过盈配合。

7、在其中一个实施例,所述基体的两侧分别设有第二沉槽,且所述第二沉槽内镶嵌有圆柱结构的第二连接柱;

8、所述单元件的第一端与对应侧的所述第二连接柱焊连接为一体。

9、在其中一个实施例,所述第二沉槽上槽壁的截面弧度大于180°且小于360°。

10、在其中一个实施例,所述第二连接柱与所述基体之间为过盈配合。

11、在其中一个实施例,所述单元件的第一端设有薄壁弹性结构,所述基体的两侧分别设有铆接凸台;

12、所述铆接凸台包铆在对应侧的所述薄壁弹性结构上,以保持所述基体与所述授流层之间紧密的结合力。

13、与现有技术相比,本实用新型具有如下有益技术效果:

14、1.本发明通过在基体顶部设置第一沉槽,并使第一沉槽上槽壁的截面弧度大于180°且小于360°,进而将第一连接柱压入第一沉槽的过程中,第一沉槽的开口出的弧面先被第一连接柱撑开,第一连接柱压入第一沉槽后,第一沉槽的开口出的弧面回弹将第一连接柱卡住,从而将第一连接柱牢牢的镶嵌在基体内,然后与授流层焊接在一起,使授流层与基体牢牢的复合在一起,使得导电轨复合后的机械性能和电传导性能有较大的提升,使导电轨在满足初始的结合强度的情况下,基体与授流层之间的结合面在各种工况都能满足贴合紧密,且具有较强的复合性能保持能力;

15、2.本发明在优选方案中通过将单元件的第一端与基体之间采用包铆的连接方式,从而有效地提高导电轨的复合性能的保持能力;

16、3.本发明中的导电轨结构简单实用,且其装配与复合过程均均不需要大型设备,仅用焊接机器人即可高效完成。



技术特征:

1.一种导电轨,包括基体以及硬于所述基体的授流层,其特征在于,所述授流层包括两个对称设在所述基体上的单元件;

2.根据权利要求1所述的导电轨,其特征在于,所述第一连接柱与所述基体之间为过盈配合。

3.根据权利要求1或2所述的导电轨,其特征在于,所述基体的两侧分别设有第二沉槽,且所述第二沉槽内镶嵌有圆柱结构的第二连接柱;

4.根据权利要求3所述的导电轨,其特征在于,所述第二沉槽上槽壁的截面弧度大于180°且小于360°。

5.根据权利要求3所述的导电轨,其特征在于,所述第二连接柱与所述基体之间为过盈配合。

6.根据权利要求1或2所述的导电轨,其特征在于,所述单元件的第一端设有薄壁弹性结构,所述基体的两侧分别设有铆接凸台;


技术总结
本技术公开了一种导电轨,包括基体以及硬于所述基体的授流层,所述授流层包括两个对称设在所述基体上的单元件;所述单元件的第一端与所述基体的侧部或顶部固定相连,所述单元件的第二端位于所述基体顶部,且两所述单元件的第二端之间具有间隔;所述基体顶部对应所述间隔的位置设有圆形截面的第一沉槽,所述第一沉槽上槽壁的截面弧度大于180°且小于360°;所述第一沉槽内镶嵌有第一连接柱,所述第一连接柱与两两所述单元件的第二端组焊连接为一体。本技术应用于轨道交通技术领域,能够使得导电轨在满足初始的结合强度的情况下,基体与授流层之间的结合面在各种工况都能满足贴合紧密,且具有较强的复合性能的保持能力。

技术研发人员:罗光浩,陈革,李高石
受保护的技术使用者:湖南星光速流科技有限责任公司
技术研发日:20240130
技术公布日:2024/9/2
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