专利名称：抗辐射加固电荷耦合器件非光敏区保护结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种航空航天抗辐射加固技术，尤其是涉及一种抗辐射加固电荷耦合器件非光敏区保护结构。
背景技术：
由于电荷耦合器件(Charge Coupled Device，简称CCD)具有低噪声、高的光响应一致性、直接光电转换、高动态范围等优点，广泛用于侦察、预警、测绘、气象、资源等卫星，成为其核心器件。
然而，空间辐射环境的存在对CCD的抗辐射性能提出了严格要求。地球磁场的存在，捕获了大量的高能带电离子，象一条很宽很厚的带子围绕在地球周围，其主要成分是质子和电子。人造地球卫星和宇宙飞船在空间飞行时，将受到这些电子和质子的轰击。卫星、飞船及它们使用的电子设备，如不具备抗辐射能力，就可能受到空间辐射损伤。
因此，提高现有CCD器件的抗辐射能力，就非常重要。
发明内容
为了提高CCD器件的抗辐射能力，本实用新型提供了一种抗辐射加固电荷耦合器件非光敏区保护结构，即在CCD器件的存储区及水平区的表面设置有铟保护层。
该铟保护层的厚度可选择在8-30微米之间，其最佳厚度为10微米。
本实用新型的优点是CCD器件的抗辐射能力提高了30％。
图1为未采用保护结构的CCD器件的平面结构示意图；图2为采用了保护结构的CCD器件的平面结构示意图；图3为采用了保护结构后CCD器件的非光敏区截面图。
具体实施方式
CCD器件可分为光敏区4和非光敏区(包括存储区1及水平区2)，在非光敏区，即存储区1及水平区2的表面设置铟保护层3。该铟保护层的厚度可选择在8-30微米之间，其最佳厚度为10微米。
权利要求1.一种抗辐射加固电荷耦合器件非光敏区保护结构，其特征在于在电荷耦合器件的存储区(1)及水平区(2)的表面设置有铟保护层(3)。
2.根据权利要求1所述的抗辐射加固电荷耦合器件非光敏区保护结构，其特征在于所述的铟保护层(3)的厚度为8-30微米。
3.根据权利要求2所述的抗辐射加固电荷耦合器件非光敏区保护结构，其特征在于所述的铟保护层(3)的最佳厚度为10微米。
专利摘要本实用新型涉及一种抗辐射加固电荷耦合器件非光敏区保护结构。在电荷耦合器件的存储区及水平区的表面设置有铟保护层。本实用新型的优点是电荷耦合器件的抗辐射能力提高了30％。
文档编号B64G1/54GK2776847SQ200420105749
公开日2006年5月3日 申请日期2004年12月22日 优先权日2004年12月22日
发明者汪朝敏, 陈于伟 申请人:中国电子科技集团公司第四十四研究所