包装化合物半导体衬底的方法

专利名称：：包装化合物半导体衬底的方法
技术领域：
：本发明涉及用于防止化合物半导体衬底在储存期间品质劣化的化合物半导体衬底包装方法，所述半导体衬底用于制造半导体器件。
背景技术：
：己经提出了将化合物半导体衬底储存在非氧化气氛中，由此使得化合物半导体衬底在储存期间不会发生氧化或其它损害的方法。例如，日本未审专利申请公布2003-175906号公开了一种包装半导体晶片的方法，其中将半导体晶片储存容器和脱氧剂/脱水剂放到具有阻气性能的袋子中，将袋子的顶部进行气密性密封，所述袋子对于晶片容器内部和所述袋子内部将由脱氧剂/脱水剂吸收的氧气和水分要保持足够长时间的密封，然后，使密封状态不受干扰，用密封隔板(sealing-offpartition)将所述袋子分隔成在袋子内部存放晶片容器的区域和在其中存放脱氧剂/脱水剂的区域。然而，专利申请公布2003-175906号的半导体晶片包装方法的问题在于，其包括使得非气密性晶片容器和脱氧剂/脱水剂被密封在同一空间内的步骤，以及因为通常为精细粉末的脱氧剂/脱水剂释放出粒子，所以源于所述浮起(raising)粒子的杂质粘附到半导体晶片上。而且，源于脱氧剂/脱水剂的浮起粒子的问题能够使得袋子(己将晶片容器和脱氧剂/脱水剂一起插到其中)内部压力降低成为不可能，由此大量的氧气和水分将保持在袋子内部。对于所述脱氧剂/脱水剂，需要很长的时间来除去这样大量的氧气和/或水分，同时，半导体晶片的表面会因此而易于发生氧化。另外，为了使得通过热封而在袋内部形成气密性密封成为可能，至少所述袋子的密封部分由聚乙烯(PE)形成，其具有高的透氧率，因此当半导体晶片储存长时间时，氧气和/或水通过所述密封部分而进入所述袋子内部，使得半导体晶片易于发生表面氧化。而且，就化合物半导体衬底而言，在通常未进行衬底表面的任何特别处理的情况下，在前面生长一层或多层外延层。其中的问题是在化合物半导体衬底的前面上形成一层厚的氧化层，氧气会残留在衬底和在其前面上生长的外延层之间的界面后面，这对器件性能是有害的。
发明内容为了解决上述问题，本发明的目的是获得用于防止化合物半导体衬底表面氧化的化合物半导体衬底包装方法。本发明包括第一步骤将化合物半导体衬底插到可透气的刚性容器内，将所述刚性容器放到具有1100ml'm—2*天—"atm—1的透氧率和115g*m—、天^的透湿率的内包装袋内，用惰性气体置换内包装袋内的空气，以及对所述内包装袋进行气密性密封；以及第二步骤将密封的内包装袋和吸收或吸附氧气和水分(例如，水)中至少任一种的脱氧剂/脱水剂放到外包装袋内，并对所述外包装袋进行气密性密封，所述外包装袋具有5ml*m—2*天—、atm—1以下且低于所述内包装袋的透氧率，并具有3g，m—2*天—1以下且低于所述内包装袋的透湿率。在本发明的化合物半导体衬底包装方法的第一步骤中，所述用惰性气体置换内包袋内的空气的操作能够利用如下操作进行通过排出内部空气将内包装袋抽真空，然后将惰性气体充入所述内包装袋内。而且，在涉及本发明的化合物半导体衬底包装方法的第一步骤中，在通过排出内部空气将内包装袋抽真空之后，但在向所述内包装袋中充入惰性气体之前，所述内包装袋内部空气的压力可以为15托以下。在涉及本发明的化合物半导体衬底的包装方法中，可以使所述外包装袋为透明的，在所述第二步骤中，还可以将氧气/水分指示器放到所述外包装袋内，所述指示器指示氧气和水分(例如，水)中至少任何一种的浓度。本发明提供用于防止化合物半导体衬底表面氧化的包装化合物半导体衬底的方法。附图为举例说明涉及本发明的半导体衬底包装方法的轮廓平面图。附图标记说明-10:化合物半导体衬底20:刚性容器30:内包装袋30s、60S:热密封部分40:脱氧剂/脱水剂50:氧气/水分指示器60:外包装袋具体实施例方式实施方式1参考附图。作为一种体现本发明的方式的化合物半导体衬底的包装方法包括第一步骤将化合物半导体衬底IO插到可透气的刚性容器20内，将所述刚性容器20放到具有1100mWn—2天—、atm—1的透氧率和115g，m、天—^勺透湿率的内包装袋30内，用惰性气体置换内包装袋30内的空气，以及对所述内包装袋30进行气密性密封；以及第二步骤将密封的内包装袋30和吸收或吸附氧气和水分中至少任一种的脱氧剂/脱水剂40放到外包装袋60内，然后对所述外包装袋60进行气密性密封，所述外包装袋60具有5ml*m—2*天—"atm—1以下且低于所述内包装袋30的透氧率，并具有3g，m-、天^以下且低于所述内包装袋30的透湿率。根据本发明的包装化合物半导体衬底的方法，因为内包装袋30使得向其中已经插入化合物半导体衬底10的刚性容器20与脱氧剂/脱水剂40隔开，所以由于源自脱氧剂/脱水剂40的粉尘排放产生的杂质未粘附到插到刚性容器20内的化合物半导体衬底10上。另外，因为在其中放置了刚性容器20的内包装袋30的透氧率为1100ml*m—2*天一、atm—i且透湿率为115g*m—2*天—、在所述刚性容器20内插入了化合物半导体衬底10;以及因为在其中放置了内包装袋30和脱氧剂/脱水剂40的外包装袋60具有5ml，m—2*天—、atm—1以下且低于所述内包装袋的透氧率，并具有3g*m—2*天—'以下且低于所述内包装袋30的透湿率，所以所述内包装袋30内部的氧气和/或水分由脱氧剂/脱水剂40除去，在所述内包装袋30中放置了插入化合物半导体衬底10的刚性容器20，所述脱氧剂/脱水剂被置于所述外包装袋60的内部而位于所述内包装袋30的外部，因此使得防止所述化合物半导体衬底表面发生氧化成为可能。化合物半导体衬底对在本发明中所包装的化合物半导体衬底IO未作特殊限制，但优选可以为第III-V族半导体衬底如A1N衬底、GaN衬底、InN衬底、AlxGayInhX—yN(0<x<l，0<y<l)衬底、GaAs衬底、AlzGa!一zAs(0<z<l)衬底或InP衬底。这类经镜面抛光和清洗以彻底除去它们表面杂质的第in-v族衬底非常适于涉及本发明的包装方法，因为第ni-v族原子暴露在外的紧接着在制造后的衬底表面处于极端活性状态，在该活性状态下表面易于发生氧化。刚性容器在本发明中，用于保存所述化合物半导体衬底10的刚性容器20为可透气的刚性容器。所述可透气的刚性容器20让放置于所述刚性容器20外部(以及所述内包装袋30的外部)的脱氧剂/脱水剂40除去源自所述刚性容器20内部的水分和氧气。并且由于其为刚性容器，所以它保护了所述化合物半导体衬底10，防止所述衬底受到损伤或其它损害。基于这些观点，优选将例如聚丙烯(PP)容器、聚碳酸酯(PC)容器或聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)容器用作所述刚性容器20。此外，使用透明容器作为所述刚性容器20使得可以对插到所述刚性容器20中的化合物半导体衬底IO进行视觉检查。内包装袋用于本发明中的内包装袋30的透氧率为1100ml*m—2*天_1*atm—、且透湿率为115ym—2*天—、如果所述内包装袋30的透氧率低于1mWrT、天—、tm—、或者如果其透湿率低于1g'm—2.天—、那么即使在所述内包装袋30外部和所述外包装袋60内部放置了脱氧剂/脱水剂40，所述内包装袋30内部的水分和氧气的消除也成了问题，使得插到所述刚性容器20内的化合物半导体衬底的表面发生氧化。如果所述内包装袋30的透氧率高于100mWn—2，天—、atm—、或者如果其透湿率高于15g，m—2，天—、那么即使在所述内包装袋30外部和所述外包装袋60内部放置了脱氧剂/脱水剂40，那么在所述内包装袋30外部但在所述外包装袋60内部的水分和氧气在它们能够被所述脱氧剂/脱水剂40除去之前会侵入到所述内包装袋30的内部，使得插到所述刚性容器20内的化合物半导体衬底10的表面发生氧化。只要其透氧率为1100m卜m—2*天—、atm—1且透湿率为115gm—2，天—、则对所述内包装袋30未作特殊限制，但可以给出的优选例子包括涂覆有Al203陶瓷的聚乙烯(PE)袋；涂覆有Si02陶瓷的PE袋；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)袋；涂覆有真空沉积铝的PE袋；PET/PE层压袋；聚酰胺/聚偏二氯乙烯/PE层压袋；聚酰胺/含二氧化硅粒子的PE/PE层压袋；以及聚酰胺/趁空沉积氧化铝(铝氧化物)/PE层压袋。此外，使用透明袋作为所述内包装袋30使得对已经放到内包装袋30内的刚性容器20进行视觉检查成为可能。惰性气体对用于本发明中的惰性气体未作特殊限制，只要其为最小氧气和水分含量的气体。而且从安全操作观点，优选其为低反应性气体。基于这些观点，作为引用的优选例子，所述惰性气体可以为氮气或氩气。脱氧剂/脱水剂用于本发明中的脱氧剂/脱水剂40是指除去所述外包装袋60内部的至少氧气和/或水分的物质，而且可以为如下物质其能够除了除去氧气和/或水分以外，还能除去硫化氢、亚硫酸、氯化氢、氨气以及其它对化合物半导体衬底有害的气体。作为给出的例子，脱氧剂/脱水剂40可以为氧气吸收剂或干燥剂。氧气吸收剂为通过与氧气发生化学反应进行吸收而除去氧气的物质，作为引用的几个例子，所述氧气吸收剂包括Fe粉、抗坏血酸盐以及亚硫酸盐。应当理解，在氧气吸收剂中为还能够吸收水分与氧气的物质。干燥剂为通过对水分进行物理或化学吸附或吸收而除去水分的物质，可给出的例子包括二氧化硅凝胶、合成沸石(例如，Na12[(A102;KSi02)]12'27H20等)、无水硫酸钙、分子筛、活性氧化铝(活性铝氧化物)以及氯化镁。从阻止侵入内包装袋和提高可操作性的观点，优选将所述脱氧剂/脱水剂40安置在可透气的小袋内。外包装袋用于本发明中的外包装袋60具有5ml，m—2，天—、atnT1以下且低于所述内包装袋的透氧率，并具有3g*m—2*天—1以下且低于所述内包装袋的透湿率。如果所述外包装袋60的透氧率高于5ml，rrT、天—、atnT1，或者如果其透湿率高于3g*m—2*天—、那么即使在所述外包装袋60内部及所述内包装袋外部放置了脱氧剂/脱水剂40，在所述外包装袋60内部(所述外包装袋60的内部，以及所述内包装袋30的外部和所述内包装袋的内部)的水分和氧气的消除也成了问题。同样，如果所述外包装袋60的透氧率或透湿率高于所述内包装袋30的透氧率或透湿率，那么即使在所述外包装袋60内部及所述内包装袋30外部放置了脱氧剂/脱水剂40，也会抑制所述内包装袋30内部氧气和水分的除去。对所述外包装袋60未作特殊限制，只要其具有5ml，m—2，天—、atm—1以下且低于所述内包装袋的透氧率，并具有3gm—2*天—1以下且低于所述内包装袋的透湿率即可，但可以给出的优选例子包括涂覆有真空沉积铝的聚乙烯(PE)袋；涂覆有真空沉积氧化铝(铝氧化物)的PE袋；涂覆有真空沉积二氧化硅的PE袋；聚酰胺/铝箔/PE层压袋；聚酰胺/真空沉积氧化铝/PE层压袋；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)/真空沉积二氧化硅/PE层压袋；聚酰胺/真空沉积二氧化硅/PE层压袋；以及聚酰胺/真空沉积铝/PE层压袋。此外，使用透明袋作为所述外包装袋60使得对已经放到外包装袋60内的内包装袋30和脱氧剂/脱水剂40进行视觉检査成为可能。而且，当利用透明的外包装袋60时，通过将如后所述的氧气/水分指示器50放到所述外包装袋60中，能够看一眼就检査所述外包装袋60内部氧气的大体浓度。第一步骤参考附图。涉及本发明的化合物半导体衬底包装方法提供第一步骤将化合物半导体衬底10放到可透气的刚性容器20内，将所述刚性容器20插到具有1100ml*m—2'天—"atm—1的透氧率和115g*m—2'天—'的透湿率的内包装袋30内，用惰性气体置换内包装袋30内部的空气，以及对所述内包装袋30进行气密性密封。该第一步骤具体执行如下。首先，将待包装的化合物半导体衬底10插到可透气的刚性容器20中。由此通过所述刚性容器20对所述化合物半导体衬底IO进行保护，以防止其受到损伤或其它损害。然后，将在其中已经插入了化合物半导体衬底10的刚性容器20放到透氧率为1100ml'm—、天、atnT1且透湿率为115g'm—^天一1的内包装袋30内。由于向所述内包装袋30内放入所述刚性容器20，但未放入脱氧剂/脱水剂，所以不存在杂质，因为阻止了源于脱氧剂/脱水剂的粉尘排放产生的杂质粘附到已经插到刚性容器内的化合物半导体衬底上。然后，用惰性气体置换所述内包装袋30内部的空气，所述内包装袋30中已经放置了保存所述化合物半导体衬底10的刚性容器20，并对所述内包装袋30进行气密性密封。由于向所述内包装袋30中放入了所述刚性容器20，但未放入脱氧剂/脱水剂，所以能够对所述内包装袋30进行用惰性气体置换其内部空气的操作，而不用经受源于脱氧剂/脱水剂的粉尘排放的影响。因为从其中除去了所述内包装袋30内部的氧气和水分，所以所述化合物半导体衬底10的表面至少在短期内(例如，l个月内)不会发生氧化。此处，对用惰性气体置换内包装袋30内部空气的操作未作特殊限制，在所述内包装袋30内已经放入了保存化合物半导体衬底10的刚性容器20，但优选利用如下操作进行通过排出内部空气而将所述内包装袋抽真空，然后将惰性气体充入所述内包装袋。这样的操作能有效地用惰性气体置换所述内包装袋30内部的空气。鉴于这类因素，在将惰性气体充入所述内包装袋30之前且在通过排出内部空气而将所述内包装袋30抽真空之后，所述内包装袋30内的空气压力优选为15托(2.0kPa)以下，更优选10托(1.3kPa)以下，还更优选3托(0.4kPa)以下。此外，对在通过排出内部空气而将所述内包装袋30抽真空之后充入所述内包装袋30内的惰性气体未作特殊限制，只要其为一种具有最小氧气和水分含量的气体，但从操作安全的观点，优选其为低反应性气体，可以给出的优选例子包括氮气或氩气。对在以刚才所述的方式用惰性气体置换所述内包装袋30内部的空气之后对所述内包装袋30进行气密性密封的方法未作特殊限制，但从密封方便的观点，优选在袋内完成热封(意思是对其进行热封，下文同)。这样，通过其中的热封区域30s对所述内包装袋30进行气密性密封。此处，利用气冲(gas-flush)(真空)包装机械能够进行如下操作通过排出内部空气而将所述内包装袋30抽真空，此后继续将惰性气体充入所述内包装袋30内，随后继续对所述内包装袋30进行热封。气冲包装机械可以包括基于喷嘴的系统和基于腔室的系统。"基于喷嘴的系统"是指如下所述的系统其中将用于通过排出空气而抽取真空并用于充入惰性气体的喷嘴单独插到袋子内，并通过排出其内部空气而对每个袋子分别抽真空，将惰性气体充入所述袋子内，并对它们进行热封。"基于腔室的系统"是指如下所述的系统其中将袋子放到真空腔室中，通过从整个内部空间排出空气而对所述腔室抽真空，然后向其中充入惰性气体，并在那种状态下对袋子进行热封。第二步骤参考附图。本发明的化合物半导体衬底包装方法包括第二步骤将在上述第一步骤中密封的内包装袋30和至少任一种脱氧剂或脱水剂40放到外包装袋60内，及对所述外包装袋60进行气密性密封，所述外包装袋60具有5ml*m—2*天—"atm—1以下且低于所述内包装袋的透氧率，并具有3g*m—2*天—1以下且低于所述内包装袋的透湿率。该第二步骤具体执行如下。将已经气密性密封的内包装袋30以及脱氧剂/脱水剂40放到外包装袋60中，并对所述外包装袋60进行气密性密封。对在此对所述外包装袋60进行气密性密封的方法未作特殊限制，但是从便于密封的观点，优选对所述外包装袋60进行热封。这样，通过其中的热封区域60s对所述外包装袋60进行气密性密封。在以上述方式进行过气密性密封的外包装袋60内放入了在其中已经放入保存化合物半导体衬底10的刚性容器20的内包装袋30以及脱氧剂/脱水剂40，因为所述内包装袋30具有1100ml*m—2，天—、atnT1的透氧率和115g*m—2*天—^勺透湿率，以及因为所述外包装袋60具有5ml*m—2，天—、atm—1以下且低于所述内包装袋的透氧率，并具有3g*m—2，天—1以下且低于所述内包装袋的透湿率，所以通过放置在外包装袋内部但在内包装袋外部的脱氧剂/脱水剂40除去了在其中放入刚性容器20的内包装袋30内的氧气和/或水分，在所述刚性容器20内己经插入了化合物半导体衬底10，因此使得在长期内(例如，超过1个月)防止化合物半导体衬底表面发生氧化成为可能。提供附图以表示已经被放到外包装袋60内的单个内包装袋30以及单种脱氧剂/脱水剂40，但是可以在其中放置多个内包装袋30。在外包装袋60内放置多个内包装袋30以及单种脱氧剂/脱水剂40，使得在多个内包装袋内的多块化合物半导体衬底能够利用单种脱氧剂/脱水剂储存，这既经济又允许所述衬底能够每次一个单独使用。当使用多块化合物半导体衬底中的几块而其余的仍储存时，另一个优点是方便，因为保存其余化合物半导体衬底的其余内包装袋，通过将它们与单种脱氧剂/脱水剂40—起重新放到单独的外包装袋内而能够重新储存。实施方式2参考附图。将作为另一种体现本发明方式的化合物半导体衬底包装方法是一种如下所述的方法其中在实施方式1的包装方法中，外包装袋60是透明的，并且在所述第二步骤中，还将指示氧气和/或水分的浓度的氧气/水分指示器50与密封的内包装袋30以及脱氧剂/脱水剂40—起放到透明的外包装袋60内，然后对所述外包装袋60进行气密性密封。按照这种方法，提供了巨大的方便，因为所述氧气/水分指示器使得简单地并且看一下就知道外包装袋60内氧气和/或水分的浓度成为可能，使得能够对化合物半导体衬底的储存状态进行评价。12氧气/水分指示器此处，氧气/水分指示器是指将指示氧气和/或水分的浓度的装置。在本发明中，"指示氧气和/或水分的浓度"，不是限制为精确值的显示，而是可以为浓度的大体的高/低显示。例如，随着氧气和/或水分浓度的变化而变色或发生类似响应的装置非常便利，因为它能简单地且看一下就知道氧气和/或水分浓度的总体情况。这种氧气指示器的可以给出的例子包括氧化还原染料、碱和还原剂的混合物，例如，甲基蓝/氢氧化钠/亚铁化合物的混合物，或者亚甲基绿/氢氧化镁/葡萄糖的混合物。同样地，作为引用的例子，水分指示器的可以给出的例子可以是在二氧化硅凝胶上负载的物质，其中氧化性物质和酸碱指示剂相混合(例如，磷酸/甲基紫、拧檬酸/甲基红等)。实施例1.化合物半导体衬底的表面处理参考附图对19个直径为76mm且厚度为450pm的试样GaAs半导体衬底(化合物半导体衬底IO)的前面使用由Fujimi公司制造的"INSECNIB"水溶液进行CMP(化学机械平坦化)处理，其后进行碱洗，或者碱洗和酸洗，然后在纯水中漂洗，接着干燥。其中，如表中所列出的，关于试样14和16号，进行使用0.1mol/L(表示升，下文同)的氢氧化四甲铵(TMAH-—种胺)水溶液(pH:ll)的强碱洗涤以作为CMP后的洗涤，让所述洗涤作为最终洗涤，其后在纯水中将试样漂洗并干燥。关于试样113、15以及1719，进行使用0.05mol/L的三乙醇胺水溶液(pH:ll)的强碱洗涤以作为CMP后的洗涤，然后，再进行用0.001mol/L的硝酸水溶液(pH:4)的弱酸洗涤，让所述弱酸洗涤作为最终洗涤，其后在纯水中漂洗试样并干燥。由此获得GaAs半导体衬底的l19号试样，所述试样前面的RMS粗糙度示于表中。此处，"RMS粗糙度"表示沿表面的均方粗糙度，也就是，取自从平均表面至探测曲面间距离(偏差)平方的平均的值的平方根，是用JISB0601作为参考标准测量的值。在本实施例中，沿GaAs半导体衬(是指0.2pm见方，下文同)的视觉范围，以0.4nm以下的间距，使用原子力显微镜(AFM)测量所述RMS粗糙度。2.第一步骤参考附图将上述19个试样GaAs半导体衬底(化合物半导体衬底IO)分别插到由聚碳酸酯(PC)构成的刚性容器20中，所述刚性容器20的内径为79mm、外径为100mm、高度为10mm，将所述刚性容器20放到内包装袋30中，所述内包装袋30的长度为200mm、宽度为150mm并具有表中所列出的透氧率和透湿率，使用基于腔室的气冲包装机械，通过排出内部的空气将所述内包装袋30抽真空，使压力降至如表中所示，将作为惰性气体的99.9质量％纯度的氮气充入所述内包装袋中，这些都已经在机械腔室中做了设定。然后对所述内包装袋30的开口进行热塑性焊接以对所述内包装袋30进行气密性密封。此处，作为内包装袋30，所使用的为透氧率为0.01mWiT、天一、atm—i且透湿率为0.01g'm—2*天—1的聚酰胺/铝箔/PE(聚乙烯)层压袋；透氧率为0.5ml'm—2*天—、atm^且透湿率为0.7g'm—2'天—1的聚酰胺/真空沉积二氧化硅/PE层压袋；透氧率为2ml'm—2*天—、atm—1且透湿率为2g，m—2，天—1的聚酰胺/真空沉积氧化铝(铝氧化物)/PE层压袋；透氧率为3.5ml'm久天—、atm—i且透湿率为10g*m—2*天—1的聚酰胺/聚偏二氯乙烯/PE层压袋；透氧率为45ml'm—2'天—、atm—1且透湿率为6g*m—、天一1的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)袋；透氧率为100ml'm—2*天—、atm—i且透湿率为15g*m—2*天—i的涂覆有真空沉积铝的PE袋；以及透氧率为3000m卜m—2'天—、atm—1且透湿率为19g'm—2'天—1的PE袋。3.第二步骤参考附图将在所述第一步骤中获得的19个密封的内包装袋30放到外包装袋60中，所述外包装袋的透氧率和透湿率如表中所示，所述内包装袋与脱氧剂/脱水剂40—起或不伴随有脱氧剂/脱水剂40，如表中所示，对所述外包装袋60的开口进行热塑性焊接以对所述外包装袋60进行气密性密封。此处，由于在对所述外包装袋60进行热封中，未对外包装袋60内部的空气进行气冲置换，所以对使用的包装机械未作特殊限制，只要它们能够进行热封即可。此处，在表中输入的氧气吸收剂为20g的由三菱气体化学社(MitsubishiGasChemicalCo"Inc.)制造的"RP试剂"，而干燥剂为20g的由樱井社(SakuraiCo.,Ltd)制造的二氧化硅凝胶。同时，作为外包装袋60，所使用的为透氧率为0.01ml*m—2，天、atm—1且透湿率为0.01g*m—2*天—1的聚酰胺/铝箔/PE(聚乙烯)层压袋；透氧率为0.05mWn—2*天—、atm—1且透湿率为0.4g'm—2'天—1的聚酰胺/真空沉积二氧化硅/PE层压袋；透氧率为0.5mlnrT、天、atm—1且透湿率为0.7g*m—2*天—i的聚酰胺/真空沉积二氧化硅/PE层压袋；透氧率为5ml'm—2'天—、atm—1且透湿率为3g*m—2*天—1的聚酰胺/真空沉积铝/PE层压袋；以及透氧率为5000ml*m—2*天—、atm—i且透湿率为20g'm久天一1的PE袋。4.储存包装化合物半导体衬底的外包装袋在温度为25士5'C且相对湿度为50士15RH。/。的恒温、恒湿容器内储存所述外包装袋6060天的时间，在所述外包装袋60中已经以上述方式包装了内包装袋30，所述内包装袋30它们本身装入了保存GaAs半导体衬底(化合物半导体衬底10)的刚性容器20。5.外延层的生长从已经按刚才所述储存的外包装袋60中取出GaAs衬底(化合物半导体衬底10)，通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在所述衬底的前面上生长3pm厚的Alo.4Gao.6As半导体外延层，未对所述衬底前面进行预先处理。通过次级离子质谱(SIMS)对在由此获得的具有Alo.4Ga。.6As半导体外延层的GaAs半导体衬底中的衬底和外延层之间界面处的氧气浓度进行了表征。结果列于表中。<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>在表中，试样编号69、11、以及19对应本发明的实施例，而试样编号15、10、以及1218对应本发明的比较例。参考所述表格从实施例(试样编号69、11以及19)和比较例(试样编号15、10以及1218)之间的比较可明显看出，根据当在已经储存的GaAs衬底上生长AlzGai—zAs(0<z<l，在所述实施例中2=0.4)半导体外延层时证明所述衬底和外延层间界面处的氧气浓度低的事实，应当理解防止了所述衬底前面的氧化，所述GaAs衬底通过如下方法保存将保存GaAs半导体衬底(化合物半导体衬底IO)的刚性容器20放到透氧率为1100ml*m—2'天、atm^且透湿率为115g*m—2*天—^勺内包装袋30中；用惰性气体置换所述内包装袋30内的空气；对所述内包装袋30进行气密性密封；将气密性密封的内包装袋30与脱氧剂/脱水剂40—起放到外包装袋60中，所述外包装袋60具有5ml，m—2*天一、atm—1以下且低于所述内包装袋的透氧率，并具有3g*m—2*天—〗以下且低于所述内包装袋的透湿率；对所述外包装袋60进行气密性密封。目前公开的实施方式和实施例在所有方面都应当认为是示例性的而不是限制性的。本发明的范围不是由前述说明书确定而是由本专利权利要求书的范围确定，且意在包括与本专利权利要求书的范围相等同的含义以及所述范围内的所有修改。权利要求1.化合物半导体衬底的包装方法，其包括第一步骤将化合物半导体衬底插到可透气的刚性容器内，将所述刚性容器放到具有1～100ml·m-2·天-1·atm-1的透氧率和1～15g·m-2·天-1的透湿率的内包装袋内，用惰性气体置换所述内包装袋内的空气，以及对所述内包装袋进行气密性密封；以及第二步骤将所述密封的内包装袋和吸收或吸附氧气和水分中至少任一种的脱氧剂/脱水剂放到外包装袋内，并对所述外包装袋进行气密性密封，所述外包装袋具有5ml·m-2·天-1·atm-1以下且低于所述内包装袋的透氧率，并具有3g·m-2·天-1以下且低于所述内包装袋的透湿率。2.如权利要求l所述的化合物半导体衬底的包装方法，其中在所述第一步骤中，所述用惰性气体置换所述内包装袋内的空气的操作利用如下操作进行通过排出内部空气将所述内包装袋抽真空，然后向所述内包装袋中充入惰性气体。3.如权利要求2所述的化合物半导体衬底的包装方法，其中在所述第一步骤中，在通过排出内部空气将所述内包装袋抽真空之后，且在向所述内包装袋中充入惰性气体之前，所述内包装袋内部的空气压力为15托以下。4.如权利要求13中任一项所述的化合物半导体衬底的包装方法，其中所述外包装袋是透明的；以及在所述第二步骤中，还将用于指示氧气和/或水分的浓度的氧气/水分指示器放到所述外包装袋内。全文摘要本发明提供了一种用于防止化合物半导体衬底表面氧化的化合物半导体衬底包装方法。所述化合物半导体衬底的包装方法包括第一步骤将化合物半导体衬底(10)插到可透气的刚性容器(20)内，将所述刚性容器(20)放到具有1～100ml·m^-2·天^-1·atm^-1的透氧率和1～15g·m^-2·天^-1的透湿率的内包装袋(30)内，用惰性气体置换所述内包装袋(30)内的空气，以及对所述内包装袋进行气密性密封；以及第二步骤将所述密封的内包装袋(30)和至少吸收或吸附氧气和水分的脱氧剂/脱水剂(40)放到外包装袋(60)内，并对所述外包装袋(60)进行气密性密封，所述外包装袋(60)具有5ml·m^-2·天^-1·atm^-1以下且低于所述内包装袋(30)的透氧率，并具有3g·m^-2·天^-1以下且低于所述内包装袋(30)的透湿率。文档编号B65D81/20GK101549781SQ20091013305公开日2009年10月7日申请日期2009年4月2日优先权日2008年4月2日发明者目崎义雄,薮原良树,西浦隆幸申请人:住友电气工业株式会社