一种口罩用熔喷布双层复卷装置的制作方法

文档序号:26859519发布日期:2021-10-09 09:15阅读:56来源:国知局
一种口罩用熔喷布双层复卷装置的制作方法

1.本实用新型涉及熔喷布收卷装置技术领域,尤其是一种口罩用熔喷布双层复卷装置。


背景技术:

2.目前常见的口罩多是单层或是多层不同材质的组合,即sms,smms等,而在生产口罩时则选择多个单卷的材料叠合在一起,焊接成口罩,其中的m层就是具有静电吸附功能高滤效的熔喷布,生产口罩时增加一个单卷,就会增加人工接触的污染,且容易造成材料长度和宽度的不一致,影响美观,也会造成材料浪费。


技术实现要素:

3.本实用新型的目的是:克服现有技术中的不足,提供一种口罩用熔喷布双层复卷装置,采用该装置可提供正面对正面,正面对反面等组合的形式,线下分切可以不受在线生产稳定性的影响,可以根据需求随时分切不同尺寸,有利于客户市场的灵活变化。
4.为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案如下:
5.一种口罩用熔喷布双层复卷装置,包括支架和按工序依次设置在支架上的放卷机构、静电驻极架和分切收卷机构,
6.所述分切收卷机构包括按照熔喷布走向依次设置的弯曲胶辊一、弯曲胶辊二、铝导辊一、铝导辊二、铝导辊三、平直胶辊一、摩擦胶辊和气涨轴一,
7.所述弯曲胶辊一位于弯曲胶辊二的正上方,所述铝导辊一位于弯曲胶辊一和弯曲胶辊二的一侧中间位置,所述铝导辊二和铝导辊三安装高度相同并且位于铝导辊一的上方,所述铝导辊二和铝导辊三之间安装有分切刀架,所述分切刀架上连接有分切刀片,所述平直胶辊一压在摩擦胶辊上并与摩擦胶辊切点接触。
8.进一步的,所述铝导辊三和平直胶辊一之间还设置有弯曲胶辊三。
9.进一步的,所述弯曲胶辊三的安装高度小于铝导辊三的安装高度。
10.进一步的,所述放卷机构包括平行设置的两支气涨轴二,两支气涨轴的外端面在同一平面上,两支气涨轴二的上方设置有铝导辊四。
11.进一步的,所述两支气涨轴二上分别连接有磁粉制动离合控制器。
12.进一步的,所述静电驻极架包括机架和设置在机架上的两支平直胶辊二和位于两支平直胶辊二之间的两支导电金属辊,两支平直胶辊二和两支导电金属辊二按照熔喷布的走向上下交替设置。
13.进一步的,所述两支平直胶辊二中离铝导辊距离小的平直胶辊与铝导辊的安装高度相同。
14.进一步的,所述静电驻极架采用钼丝放电。
15.进一步的,所述两支导电金属辊的上下方均设置有钼丝。
16.采用本实用新型的技术方案的有益效果是:
17.本实用新型提供了一种口罩用熔喷布双层复卷装置,可生产口罩用双层复合的熔喷布,可提供正面对正面,正面对反面等组合的形式,线下分切可以不受在线生产稳定性的影响,可以根据需求随时分切不同尺寸,有利于客户市场的灵活变化。再次经过静电驻极,减少静电流失,滤效下降。双层复合的熔喷布,能够有效减少人工接触材料换卷污染问题,减少长度宽度不一致造成的美观和材料浪费问题。
附图说明
18.图1为本实用新型中的口罩用熔喷布双层复卷装置的结构示意图。
19.图中:1弯曲胶辊一,2弯曲胶辊二,3铝导辊一,4铝导辊二,5铝导辊三,6弯曲胶辊三,7平直胶辊一,8摩擦胶辊,9气涨轴一,10平直胶辊二,11导电金属辊,12气涨轴二,13铝导辊四,14分切刀架。
具体实施方式
20.下面结合具体实施方式和说明书附图对本实用新型作进一步说明。
21.请参阅图1,一种口罩用熔喷布双层复卷装置,包括支架和按工序依次设置在支架上的放卷机构、静电驻极架和分切收卷机构,静电驻极架包括机架和设置在机架上的两支平直胶辊二10和位于两支平直胶辊二10之间的两支导电金属辊11,两支平直胶辊二10和两支导电金属辊11二按照熔喷布的走向上下交替设置;两支平直胶辊二10中离铝导辊距离小的平直胶辊与铝导辊的安装高度相同;静电驻极架可以采用放电棒形式,也可以采用放电极丝,本实施例中采用钼丝放电,分切收卷机构包括按照熔喷布走向依次设置的弯曲胶辊一1、弯曲胶辊二2、铝导辊一3、铝导辊二4、铝导辊三5、平直胶辊一7、摩擦胶辊8和气涨轴一9,弯曲胶辊一1位于弯曲胶辊二2的正上方,铝导辊一3位于弯曲胶辊一1和弯曲胶辊二2的一侧中间位置,铝导辊二4和铝导辊三5安装高度相同并且位于铝导辊一3的上方,铝导辊二4和铝导辊三5之间安装有分切刀架14,分切刀架14上连接有分切刀片,平直胶辊一7压在摩擦胶辊8上并与摩擦胶辊8切点接触。
22.工作原理:如图1所示,将需要双层复卷的熔喷布,固定在气涨轴二12上,经过铝导辊四13,复合在一起,有效减少人工接触材料造成换卷污染问题,从而减少层间污染;
23.复合后的双层熔喷布同时进入静电驻极的平直胶辊二10,过渡缓冲,在钼丝作用下,经过两支导电金属辊11后,再次吸附静电,从而减少静电流失,避免滤效降低;
24.进入分切收卷机构之前,复合熔喷布再分开进行微调,上层熔喷布经过上方的弯曲胶辊一1,下层熔喷布经过下方的弯曲胶辊二2,进行分切前的微调,展平,再次复合后进入分切刀架14,根据需求尺寸分切,减少长度宽度不一致造成的美观问题和材料浪费问题;
25.最后平直胶辊压紧分切好的复合熔喷布,稳定分切尺寸,在摩擦胶辊8上,卷取要求的长度,从而减少卸卷波动产生的影响。
26.为了避免分切好的小卷发生叠卷,本实施例中的铝导辊三5和平直胶辊一7之间还设置有弯曲胶辊三6,弯曲胶辊三6的安装高度小于铝导辊三5的安装高度;双层复合的熔喷布分切后经过弯曲胶辊,调整分切的小卷之间的距离,从而避免叠卷的发生,进一步提高分切效率。
27.本实施例中的放卷机构包括平行设置的两支气涨轴二12,两支气涨轴的外端面在
同一平面上,两支气涨轴二12的上方设置有铝导辊四13,采用此结构设计,能够有效减少人工接触材料减少换卷污染的问题。
28.本实施例中的两支气涨轴二12上分别连接有磁粉制动离合控制器;磁粉制动离合器一方面起制动作用,相当于增加阻力,制动力可调节,在后段摩擦收卷的力量下,将熔喷布拉平;另一方面,操作者可以根据放卷气涨轴上标尺,人工定位。所以磁粉制动离合控制器的设置,可以根据需求调整熔喷布母卷的相对位置和控制放卷松紧程度。
29.为了进一步提高熔喷布的静电吸附率,本实施例中的两支导电金属辊11的上下方均设置有钼丝。
30.对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实验例的细节,而且在不背离本实用新型的精神和基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的同等要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内,不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
31.此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的权利方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。


技术特征:
1.一种口罩用熔喷布双层复卷装置,其特征在于:包括支架和按工序依次设置在支架上的放卷机构、静电驻极架和分切收卷机构,所述分切收卷机构包括按照熔喷布走向依次设置的弯曲胶辊一、弯曲胶辊二、铝导辊一、铝导辊二、铝导辊三、平直胶辊一、摩擦胶辊和气涨轴一,所述弯曲胶辊一位于弯曲胶辊二的正上方,所述铝导辊一位于弯曲胶辊一和弯曲胶辊二的一侧中间位置,所述铝导辊二和铝导辊三安装高度相同并且位于铝导辊一的上方,所述铝导辊二和铝导辊三之间安装有分切刀架,所述分切刀架上连接有分切刀片,所述平直胶辊一压在摩擦胶辊上并与摩擦胶辊切点接触。2.根据权利要求1所述的一种口罩用熔喷布双层复卷装置,其特征在于:所述铝导辊三和平直胶辊一之间还设置有弯曲胶辊三。3.根据权利要求2所述的一种口罩用熔喷布双层复卷装置,其特征在于:所述弯曲胶辊三的安装高度小于铝导辊三的安装高度。4.根据权利要求1所述的一种口罩用熔喷布双层复卷装置,其特征在于:所述放卷机构包括平行设置的两支气涨轴二,两支气涨轴的外端面在同一平面上,两支气涨轴二的上方设置有铝导辊四。5.根据权利要求4所述的一种口罩用熔喷布双层复卷装置,其特征在于:所述两支气涨轴二上分别连接有磁粉制动离合控制器。6.根据权利要求1所述的一种口罩用熔喷布双层复卷装置,其特征在于:所述静电驻极架包括机架和设置在机架上的两支平直胶辊二和位于两支平直胶辊二之间的两支导电金属辊,两支平直胶辊二和两支导电金属辊二按照熔喷布的走向上下交替设置。7.根据权利要求6所述的一种口罩用熔喷布双层复卷装置,其特征在于:所述两支平直胶辊二中离铝导辊距离小的平直胶辊与铝导辊的安装高度相同。8.根据权利要求6所述的一种口罩用熔喷布双层复卷装置,其特征在于:所述静电驻极架采用钼丝放电。9.根据权利要求6所述的一种口罩用熔喷布双层复卷装置,其特征在于:所述两支导电金属辊的上下方均设置有钼丝。

技术总结
本实用新型涉及熔喷布收卷装置技术领域,尤其是一种口罩用熔喷布双层复卷装置;包括支架和按工序依次设置在支架上的放卷机构、静电驻极架和分切收卷机构,分切收卷机构包括按照熔喷布走向依次设置的弯曲胶辊一、弯曲胶辊二、铝导辊一、铝导辊二、铝导辊三、平直胶辊一、摩擦胶辊和气涨轴一,弯曲胶辊一位于弯曲胶辊二的正上方,铝导辊二和铝导辊三之间安装有分切刀架,平直胶辊一压在摩擦胶辊上并与摩擦胶辊切点接触;该装置线下分切可以不受在线生产稳定性的影响,可以根据需求随时分切不同尺寸;再次经过静电驻极,减少静电流失,避免滤效下降;能够有效减少人工接触材料换卷污染问题,减少长度宽度不一致造成的美观和材料浪费问题。问题。问题。


技术研发人员:陈登双 肖林 陆锋 符正亮
受保护的技术使用者:常州恒方大高分子材料科技有限公司
技术研发日:2021.01.08
技术公布日:2021/10/8
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