一种均匀加入粗砷的下料装备的制作方法

本发明属于三氧化二砷加料装置领域，尤其涉及一种均匀加入粗砷的下料装备。

背景技术：

1、目前，将粗砷投入到碳化硅炉膛的方式是通过漏斗投料，粗砷通过漏斗滑落至碳化硅炉膛，粗砷滑落过程中难免划伤碳化硅炉膛，且通过漏斗一次加入量大，炉内反应不充分，导致剩余粗砷反应不完全，产出黑化的三氧化二砷，从而造成料的浪费。

技术实现思路

1、为解决粗砷滑落划伤炉膛的问题，本发明提供一种均匀加入粗砷的下料装备，本发明直接将粗砷送入炉底，有效降低对禄堂的划伤，并且本发明能够定量多次的加入粗砷，使反应更充分。

2、本发明提供的技术方案是：一种均匀加入粗砷的下料装备，包括碳化硅炉膛和回型的壳体，回型壳体的两端为圆弧形，回型壳体伸入到碳化硅炉膛内且与炉膛内壁无接触，壳体内设置有输送装置，输送装置包括两个输送轮和一条输送带，两个输送轮置于壳体的两端，输送带套装在两个输送轮上，输送带与壳体之间存有间距，间距用于运输物料，输送带上设置有推动粗砷物料由上至下移动的推料块；壳体的上端带有进料口，壳体下端带有出料口，输送带输送的过程中，粗砷物料通过进料口进入输送带的两个推料块之间，粗砷物料到达出料口后，在重力的作用下调入碳化硅炉膛内。

3、作为进一步的技术方案是：推料块为三角形结构，三角形的一个底为输送带本体；三角形的另两个底一个为板，一个为伸缩杆；其中板的一端铰接在输送带上，伸缩杆的一端也铰接在输送带上，伸缩杆的另一端伸入到板的中部，伸入到板内的伸缩杆的端部铰接有一根插杆，板内开设有插孔，插杆插入到插孔内，插孔内设置有弹簧。

4、本发明的有益效果为：

5、1、与现有技术通过漏斗向碳化硅炉膛加入粗砷相比较，本发明设计了伸入到碳化硅炉膛内的壳体，壳体内设置有输送装置，输送装置的输送带与壳体之间存有的间距用于输送粗砷物料，输送带上的推料块间隔均匀，因此存于两个推料块之间的粗砷量也均匀，加之输送带均速转动，从而实现了均匀下料，彻底的解决了现有技术中漏斗不能均匀下料的问题。

6、2、本发明壳体可以伸入到碳化硅炉膛内，距离碳化硅底部距离更近，下料滑落的距离更短，因此下料过程中能够有效的降低对碳化硅炉膛的划伤，更有利于保护碳化硅炉膛。且壳体上方设置有升降装置，可一边下料一边提升壳体的高度，保证了粗砷下料滑落至炉膛的距离始终一致，对避免炉膛的划伤起到了积极的作用。

7、3、本发明三角形结构的推料块的设计使得板能够有一定角度的转动，使得在推料的过程中的推面面积达到最大化，能够推动更多物料；由于三角形的其中一个底是输送带本体，因此在经过输送轮时，该底变为弧形，直线长度减小，为了适应这一变化，本发明三角形的顶角和边长可变，因此使得输送带的松紧不受安装了推料块而发生变化。

技术特征：

1.一种均匀加入粗砷的下料装备，包括碳化硅炉膛(5)，其特征在于：包括回型的壳体(4)，回型壳体(4)伸入到碳化硅炉膛(5)内且与炉膛内壁无接触，壳体(4)内设置有输送装置，输送装置包括两个输送轮(7)和一条输送带(8)，两个输送轮(7)置于壳体(4)的两端，输送带(8)套装在两个输送轮(7)上，输送带(8)与壳体(4)之间存有间距，输送带(8)上设置有推动粗砷物料移动的推料块(6)；壳体(4)的上端带有进料口，壳体(4)下端带有出料口(9)。

2.根据权利要求1所述的一种均匀加入粗砷的下料装备，其特征在于：所述的推料块(6)为三角形结构，三角形的一个底为输送带(8)本体。

3.根据权利要求2所述的一种均匀加入粗砷的下料装备，其特征在于：三角形的另两个底一个为板(601)，一个为伸缩杆(602)；其中板(601)的一端铰接在输送带(8)上，伸缩杆(602)的一端也铰接在输送带(8)上，伸缩杆(602)的另一端伸入到板(601)的中部，伸入到板(601)内的伸缩杆(602)的端部铰接有一根插杆(603)，板(601)内开设有插孔，插杆(603)插入到插孔内，插孔内设置有弹簧(604)。

4.根据权利要求3所述的一种均匀加入粗砷的下料装备，其特征在于：伸入到板(601)内的伸缩杆(602)的端部还设置有滑轮，滑轮与板(601)滑动配合。

5.根据权利要求1所述的一种均匀加入粗砷的下料装备，其特征在于：壳体(4)的进料口处设置有漏斗(3)，漏斗(3)与进料口连通。

6.根据权利要求1所述的一种均匀加入粗砷的下料装备，其特征在于：壳体(4)的上方设置有用于升降壳体(4)高度的升降装置。

技术总结
一种均匀加入粗砷的下料装备，涉及三氧化二砷加料装置技术领域，包括回型的壳体，壳体的两端为圆弧形，回型壳体伸入到碳化硅炉膛内且与炉膛内壁无接触，壳体内设置有输送装置，输送装置包括两个输送轮和一条输送带，两个输送轮置于壳体的两端，输送带套装在两个输送轮上，输送带与壳体之间存有间距，输送带上设置有推动粗砷物料移动的推料块；壳体的上端带有进料口，壳体下端带有出料口。本发明解决了传统漏斗下料不均匀且将碳化硅炉膛划伤的问题，使用本发明后，不仅实现了均匀加料，还有效的降低了炉膛的划伤，起到的非常积极的实用效果。

技术研发人员：苑魁,于会永,冯佳锋,赵中阳,赵春锋
受保护的技术使用者：大庆溢泰半导体材料有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13