大直径晶圆收纳盒的制作方法

文档序号:36448417发布日期:2023-12-21 14:14阅读:30来源:国知局
大直径晶圆收纳盒的制作方法

本技术涉及半导体制造,具体为大直径晶圆收纳盒。


背景技术:

1、晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之ic产品,晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%。

2、目前由于半导体晶圆制造对于成本的诉求日益增高,而大面积晶圆在单位产出芯片的数量和单位成本具有优势,因此半导体硅衬底片的尺寸也趋于大直径化,从最早的2英寸、3英寸发展到当今的8英寸、12英寸及研发中的18英寸,晶圆面积日益增加,随之带来的12寸晶圆片收纳也有了新的要求,为满足生产过程中晶圆的收纳,保护晶圆不被破坏,因此,需要一种大直径晶圆收纳盒。


技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供大直径晶圆收纳盒,以解决上述背景技术中提出的目前由于半导体晶圆制造对于成本的诉求日益增高,而大面积晶圆在单位产出芯片的数量和单位成本具有优势,因此半导体硅衬底片的尺寸也趋于大直径化,从最早的2英寸、3英寸发展到当今的8英寸、12英寸及研发中的18英寸,晶圆面积日益增加,随之带来的12寸晶圆片收纳也有了新的要求,为满足生产过程中晶圆的收纳,保护晶圆不被破坏的问题。

2、为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:大直径晶圆收纳盒,包括盒体,所述盒体的顶部活动卡合设置有盒盖,所述盒体和盒盖的内侧皆设置有放置腔,所述盒体内侧的放置腔内壁环绕活动设置有载片圈,所述载片圈的顶部活动放置有晶圆,所述盒体和盒盖的内侧靠近四个边角处皆设置有锁紧座。

3、优选的,所述盒体内侧的锁紧座顶部表面皆设置有锁紧块,且盒盖内侧的锁紧座表面皆设置有锁紧孔。

4、优选的,所述盒体的外侧表面皆环绕开设有加固孔,且加固孔对应的盒盖外沿表面皆环绕设置有加固柱。

5、优选的,所述盒体的两侧外沿表面皆开设插接槽,且插接槽对应的盒盖外沿表面皆设置有插接块。

6、优选的,所述载片圈的外侧表面环绕设置有卡块,且载片圈的材质采用为橡胶。

7、与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

8、该大直径晶圆收纳盒,在进行晶圆收纳放置使用过程中,通过将载片圈放入收纳盒内腔,能够保证晶圆无挤压等现象,并且盒体内部收纳结构为非连续,可有效保证收纳晶圆的同时具有一定的张力缓解作用,避免转运过程出现应力集中,进一步保证收纳的晶圆不受磕碰导致损坏,大大提升了晶圆储存的安全性,在实际生产中,对于晶圆的收纳及转运有着重要的意义。



技术特征:

1.大直径晶圆收纳盒,包括盒体(12),其特征在于:所述盒体(12)的顶部活动卡合设置有盒盖(3),所述盒体(12)和盒盖(3)的内侧皆设置有放置腔(5),所述盒体(12)内侧的放置腔(5)内壁环绕活动设置有载片圈(9),所述载片圈(9)的顶部活动放置有晶圆(8),所述盒体(12)和盒盖(3)的内侧靠近四个边角处皆设置有锁紧座(1)。

2.根据权利要求1所述的大直径晶圆收纳盒,其特征在于:所述盒体(12)内侧的锁紧座(1)顶部表面皆设置有锁紧块(7),且盒盖(3)内侧的锁紧座(1)表面皆设置有锁紧孔(6)。

3.根据权利要求1所述的大直径晶圆收纳盒,其特征在于:所述盒体(12)的外侧表面皆环绕开设有加固孔(11),且加固孔(11)对应的盒盖(3)外沿表面皆环绕设置有加固柱(2)。

4.根据权利要求1所述的大直径晶圆收纳盒,其特征在于:所述盒体(12)的两侧外沿表面皆开设插接槽(10),且插接槽(10)对应的盒盖(3)外沿表面皆设置有插接块(4)。

5.根据权利要求1所述的大直径晶圆收纳盒,其特征在于:所述载片圈(9)的外侧表面环绕设置有卡块(13),且载片圈(9)的材质采用为橡胶。


技术总结
本技术公开了大直径晶圆收纳盒,包括盒体,所述盒体的顶部活动卡合设置有盒盖,所述盒体和盒盖的内侧皆设置有放置腔,所述盒体内侧的放置腔内壁环绕活动设置有载片圈,所述载片圈的顶部活动放置有晶圆,所述盒体和盒盖的内侧靠近四个边角处皆设置有锁紧座,所述盒体内侧的锁紧座顶部表面皆设置有锁紧块,且盒盖内侧的锁紧座表面皆设置有锁紧孔。该大直径晶圆收纳盒,在进行晶圆收纳放置使用过程中,通过将载片圈放入收纳盒内腔,能够保证晶圆无挤压等现象,并且盒体内部收纳结构为非连续,可有效保证收纳晶圆的同时具有一定的张力缓解作用,避免转运过程出现应力集中,保证收纳的晶圆不受磕碰导致损坏。

技术研发人员:李晓宝,刘建伟,雍琪浩,葛涛,祝斌,叶成玉,王彦君,孙晨光,张沛,郭红慧
受保护的技术使用者:中环领先半导体材料有限公司
技术研发日:20230413
技术公布日:2024/1/15
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