硅片翻转装置和硅片输送设备的制作方法

文档序号:35942458发布日期:2023-11-06 19:06阅读:33来源:国知局
硅片翻转装置和硅片输送设备的制作方法

本技术涉及太阳能电池制造设备,具体涉及一种硅片翻转装置和硅片输送设备。


背景技术:

1、光伏、半导体硅片线切脱胶后,需要将硅片放入插片水槽进行插片。插片前要对一叠硅片进行分片,并利用硅片翻转装置将硅片翻转90°。相关技术中,硅片翻转装置包括两条并列布置的输送带,两条输送带之间存在速度差,对硅片进行翻转过程中,输送带上的硅片容易因两条输送带之间的速度差发生晃动,硅片翻转装置上的硅片容易发生打滑问题,影响硅片的产量和质量。特别是随着硅片尺寸的增加,硅片翻转装置上更容易发生硅片打滑的问题。


技术实现思路

1、本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

2、为此,本实用新型的实施例提出一种硅片翻转装置,以提高硅片的产量和质量。

3、本实用新型实施例的硅片翻转装置包括机架、主动带轮、从动带轮和输送带,所述机架具有弧形的支撑部;所述主动带轮和所述从动带轮均可转动地设于所述机架上;所述输送带绕设于所述主动带轮和所述从动带轮上;其中,所述支撑部用于支撑所述输送带,以使所述输送带上的硅片翻转预设角度,所述输送带的数量为一个。

4、在一些实施例中,所述支撑部为支撑面。

5、在一些实施例中,所述支撑部上设有凹槽,以便所述输送带的一部分形成用于支撑硅片的凸起。

6、在一些实施例中,所述凹槽在所述输送带的宽度方向上设于所述支撑部的中部。

7、在一些实施例中,所述凹槽在所述输送带的长度方向上贯通所述支撑部的两端。

8、在一些实施例中,所述硅片翻转装置还包括刮板,所述刮板与所述机架连接,所述刮板具有与所述输送带的表面接触的刮除部。

9、在一些实施例中,所述刮板设于所述机架的背向所述支撑部的一侧;

10、所述输送带包括沿其长度方向相对设置的输入端和输出端,所述输入端在所述输送带的长度方向上相对所述输出端更靠近所述刮板设置。

11、在一些实施例中,所述刮板可拆卸地与所述机架连接。

12、在一些实施例中,所述硅片翻转装置还包括张紧组件,所述张紧组件包括张紧架、张紧轮和调节件,所述张紧架与所述机架连接;所述张紧轮可转动地与张紧架连接,所述张紧轮与所述输送带接触;所述调节件用于调节所述张紧架和所述机架之间的相对位置。

13、本实用新型实施例的硅片输送设备包括输送组件和硅片翻转装置,所述输送组件用于沿水平方向输送硅片;所述硅片翻转装置设于所述输送组件的下游,所述硅片翻转装置为上述任一实施例所述的硅片翻转装置

14、本实用新型实施例的硅片翻转装置在使用时,利用主动带轮转动带动输送带移动,并利用输送带带动从动带轮转动,从而放置在输送带上的硅片随输送带移动。通过将机架的用于支撑输送带的支撑部设为弧形,使得硅片在随输送带移动的过程中移动方向发生变化,最终使得硅片翻转预设角度,实现硅片的翻转。通过将输送带的数量设为一个,与相关技术中多条输送带并列布置相比,可以避免因输送带之间的速度差导致的硅片在输送带上晃动的问题,从而可以减少甚至避免输送带上的硅片发生打滑的问题,有利于提高硅片的产量和质量。



技术特征:

1.一种硅片翻转装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的硅片翻转装置,其特征在于,所述支撑部为支撑面。

3.根据权利要求2所述的硅片翻转装置,其特征在于,所述支撑部上设有凹槽,以便所述输送带的一部分形成用于支撑硅片的凸起。

4.根据权利要求3所述的硅片翻转装置,其特征在于,所述凹槽在所述输送带的宽度方向上设于所述支撑部的中部。

5.根据权利要求4所述的硅片翻转装置,其特征在于,所述凹槽在所述输送带的长度方向上贯通所述支撑部的两端。

6.根据权利要求1所述的硅片翻转装置,其特征在于,所述硅片翻转装置还包括刮板,所述刮板与所述机架连接,所述刮板具有与所述输送带的表面接触的刮除部。

7.根据权利要求6所述的硅片翻转装置,其特征在于,所述刮板设于所述机架的背向所述支撑部的一侧;

8.根据权利要求6所述的硅片翻转装置,其特征在于,所述刮板可拆卸地与所述机架连接。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的硅片翻转装置,其特征在于,所述硅片翻转装置还包括张紧组件,所述张紧组件包括:

10.一种硅片输送设备,其特征在于,包括:


技术总结
本技术公开了一种硅片翻转装置和硅片输送设备,所述硅片翻转装置包括机架、主动带轮、从动带轮和输送带,所述机架具有弧形的支撑部;所述主动带轮和所述从动带轮均可转动地设于所述机架上;所述输送带绕设于所述主动带轮和所述从动带轮上;其中,所述支撑部用于支撑所述输送带,以使所述输送带上的硅片翻转预设角度,所述输送带的数量为一个。本技术实施例的硅片翻转装置能够提高硅片的产量和质量。

技术研发人员:朱亮,谢龙辉,张江水,王俊
受保护的技术使用者:浙江求是半导体设备有限公司
技术研发日:20230414
技术公布日:2024/1/15
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