脱模膜及发光二极管的制造方法

专利名称：脱模膜及发光二极管的制造方法
技术领域：
本发明涉及脱模膜及发光二极管的制造方法。
背景技术：
发光二极管能以低功率获得高亮度，并且寿命长，因此被用于各种照明、招牌、液晶显示面板的背光源、汽车的尾灯等。发光二极管通过使N型半导体与P型半导体接合，电子与空穴在该界面上结合而产生能量，并发出光。发光二极管与荧光灯相比，耗电量约为二分之一，寿命从结构方面来看是半永久的，而且不含汞等有害物质，产生的热量少，因此作为环境负荷小的节能型、高可靠性的光源受到关注。发光二极管的发光元件为点发光，光向所有方向发射。因此，为了将从发光元件发出的光的方向集聚到发光二极管的正面方向而达到提高正面亮度的目的，多数情况下，在发光二极管中形成大致半球型或炮弹型的透镜部。此外，对于透镜部，需要赋予发光元件以电绝缘性，而且保护发光元件免受湿气等外部环境影响的功能。因此，透镜部通过用光衰减少且耐热性优良的透明的密封树脂进行密封而形成。作为密封树脂，使用有机硅树脂、环氧树脂等热固性树脂等。作为发光二极管的制造方法，可例举例如利用压缩成形法或传递成形法来形成透镜部(树脂密封部)的制造方法。即，可例举以使发光元件位于模具的密封树脂成形部(以下称为“腔”)内的规定位置的方式配置安装有发光元件的基板，并向腔内填充密封树脂而形成透镜部的方法。该制造方法的生产性优良。但是，在利用上述成形法的发光二极管的制造中，由于使用模具，因此在透镜部从模具难以脱模时，如果强行将发光二极管脱模，则会存在透镜部发生损伤或破裂而成品率下降的情况。作为解决上述问题的方法，可例举下述⑴及(ii)的方法。(i)在发光元件的密封工序中，在密封树脂中添加内部脱模剂的方法(例如专利文献1)。(ii)在用脱模膜覆盖模具的腔面的状态下向腔内填充密封树脂而形成透镜部，再将透镜部从脱模膜脱模的方法(例如专利文献幻。在该方法中，使脱模膜利用真空吸引以追随腔形状的方式而拉伸变形，在使其吸附于腔面的状态下形成透镜部。现有技术文献专利文献专利文献1 日本专利特许第2523512号公报专利文献2 日本专利特开2008-114428号公报

发明内容
发明所要解决的技术问题方法⑴中，由于脱模剂的添加，密封树脂的透明性受到损害，存在发光二极管的亮度下降的问题。方法(ii)中，没有因为脱模剂而损害密封树脂的透明性，所以不存在发光二极管的亮度下降的问题。但是，方法(ii)存在下述问题。方法(ii)中，由于脱模膜沿着与大致呈半球状(大致半球型、炮弹型)的透镜部对应的腔，因此脱模膜可三维地变形。因此，随着形成的透镜部的形状、即腔的形状，脱模膜发生大的变形，有时会有在该脱模膜上产生气孔、膜发生部分断裂的情况。如果在脱模膜产生气孔及发生断裂，则会在该部分的模具的腔面附着挥发的密封树脂成分及密封树脂本身。此时，在附着于模具的树脂成分等的影响下，得到的发光二极管的透镜部发生变形而成为不良品，因此成品率降低。还有，为了解决该问题，将需要对附着于模具的密封树脂等的洗净工序、从制造装置取出模具以及再装入模具的工序，因此制造成本提高。此外，近年来，为了以低成本一次制造大量的发光二极管，使用以狭小间距形成有多个腔的模具的一次性成型逐渐增加。在这样的形状复杂的模具中，脱模膜产生气孔及发生断裂的可能性增加。本发明的目的在于提供不易产生气孔及发生断裂，可适用于使用具有多个腔的模具的发光二极管的大量生产且利用模具的发光二极管制造用的脱模膜。此外，本发明的目的还在于提供一种采用上述脱模膜，稳定地制造品质良好的发光二极管的方法。解决技术问题所采用的技术方案为了解决上述技术问题，本发明采用了以下的构成。[1] 一种脱模膜，为配置于模具的腔面的脱模膜，该模具用密封树脂密封发光二极管的发光元件而形成大致呈半球状的透镜部，其中，上述脱模膜的厚度为16 175 μ m，按照JIS K 7127测得的在110°C的断裂伸长率为600 3000%。[2]如上述[1]所述的脱模膜，其中，上述脱模膜是由氟树脂构成的膜。[3]如上述[2]所述的脱模膜，其中，上述氟树脂膜为乙烯-四氟乙烯共聚物。[4]如上述[3]所述的脱模膜，其中，上述乙烯-四氟乙烯共聚物为乙烯和四氟乙烯和(全氟丁基)乙烯的共聚物。[5]如上述[1] W]中任一项所述的脱模膜，其中，上述大致呈半球状的透镜部为炮弹型透镜部，该透镜部的半球部分的直径为0. 2 5mm。[6] 一种发光二极管的制造方法，其为利用模具，用密封树脂密封发光元件来制造发光二极管的方法，其具有下述工序(a) (e)(a)以覆盖模具的腔的方式来配置上述[1] [5]中任一项所述的脱模膜的工序；(b)将上述脱模膜真空吸引至模具的腔面侧的工序；(c)将发光元件配置于腔内的规定位置的工序；(d)向腔内填充密封树脂，利用该密封树脂密封上述发光元件而获得发光二极管的工序；(e)将发光二极管从模具内取出的工序。发明的效果本发明的脱模膜是利用模具的发光二极管制造用的脱模膜，不易产生气孔及发生断裂。因此，也适合用于使用具有多个腔的模具的发光二极管的大量生产。此外，利用本发明的制造方法，能够稳定地制造品质良好的发光二极管。
附图的简单说明

图1是示出本发明的发光二极管的一例的概略主视图。(A)大致半球型、(B)炮弹型。图2是示出本发明的模具的一例的剖视图。图3是示出本发明的发光二极管的制造方法中的一道工序的剖视图。图4是示出本发明的发光二极管的制造方法中的一道工序的剖视图。图5是示出本发明的发光二极管的制造方法中的一道工序的剖视图。图6是示出本发明的发光二极管的制造方法中的一道工序的剖视图。图7是示出本发明的发光二极管的制造方法中的一道工序的剖视图。图8是示出本发明的发光二极管的制造方法中的一道工序的剖视图。实施发明的方式<脱模膜>本发明的脱模膜(以下称为“本脱模膜”)是用密封树脂密封发光二极管的发光元件而形成大致呈半球状的透镜部且配置于腔面的脱模膜。即，本脱模膜为，在透镜部的制造时，以覆盖模具的腔面的方式进行配置，且位于形成的透镜部与腔面之间，从而提高制得的发光二极管从模具脱离的脱模性的膜，其中，上述模具具有与发光二极管的透镜部的形状相对应的形状的腔。对于本脱模膜，要求具备脱模性、表面平滑性、能够耐受成形时的模具的110 140°C左右的温度的耐热性、能够耐受密封树脂的流动及加压力的强度。作为本脱模膜，从脱模性、耐热性、强度、高温下的伸长率方面考虑，优选由选自聚烯烃及氟树脂中的1种以上的树脂构成的膜，更加优选由氟树脂构成的膜。本脱模膜可以是并用氟树脂和非氟树脂的膜，也可以是掺合有无机添加剂、有机添加剂等的膜。作为聚烯烃，从脱模性及模具追随性方面考虑，优选聚甲基戊烯。聚烯烃可以单独使用1种，也可以2种以上并用。作为氟树脂，可例举乙烯/四氟乙烯共聚物(以下称为“ETFE”)、聚四氟乙烯、全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物等。其中，从高温下的伸长率大的角度来看，特别优选ETFE。氟树脂可以单独使用1种，也可以2种以上并用。ETFE中的基于四氟乙烯(以下称为“TFE”)的重复单元与基于乙烯(以下称为“E”)的重复单元的含有比例(TFE/E)以摩尔比计优选为80/20 40 60，更加优选 70/30 45/55，特别优选65/35 50/50。只要基于TFE/E的各重复单元的含有比例在上述范围内，则ETFE的耐热性和机械物性优良。ETFE除包含基于E的重复单元及基于TFE的重复单元以外，也可以包含基于其它单体的重复单元。作为其它单体的具体例子，可例举含氟的下述单体(al) (a5)。单体(al)碳数3以下的氟代烯烃类。单体(a2)由X(CF2)nCY = CH2 (X、Y分别独立地为氢原子或氟原子，η表示2 8 的整数)表示的聚氟代烷基乙烯。单体(a3)氟代乙烯基醚类。单体(a4)含官能基团的氟代乙烯基醚类。单体(a5)具有脂肪族环结构的含氟单体。
作为单体(al)，可例举三氟乙烯、偏氟乙烯、氟代乙烯、氯代三氟乙烯等氟代烯烃， 六氟丙烯(以下称为“HFP”)，2-氢化五氟丙烯等。作为单体(a2)，优选η为2 6的单体，更加优选2 4的单体。作为具体例， 可例举 CF3CF2CH = CH2、CF3CF2CF2CF2CH = CH2 ((全氟丁基)乙烯，以下称为 “PFBE”)、 CF3CF2CF2CF2CF = CH2、CF2HCF2CF2CF = CH2、CF2HCF2CF2CF2CF = CH2 等。作为单体(a3)，可例举全氟(甲基乙烯基醚)、全氟(乙基乙烯基醚)、全氟(丙基乙烯基醚)(以下称为“PPVE”),CF2 = CFOCF2CF (CF3)O (CF2) 2CF3、CF2 = CFO (CF2)3O (CF2)2CF3^ CF2 = CFO (CF2CF (CF3) 0) 2 (CF2) 2CF3> CF2 = CFOCF2CF (CF3)O (CF2) 2CF3、CF2 = CFOCF2CF = CF2、 CF2 = CFO(CF2)2CF = CF2 等。作为单体(a4)，可例举CF2 = CFO (CF2) 3C02CH3>CF2 = CFOCF2CF (CF3) 0 (CF2) 3C02CH3> CF2 = CFOCF2CF (CF3) 0 (CF2) 2S02F 等。作为单体(a5)，可例举全氟0，2-二甲基-1，3-间二氧杂环戊烯)、2，2，4_三氟-5-三氟甲氧基-1，3-间二氧杂环戊烯、全氟O-亚甲基-4-甲基-1，3- 二氧戊环)等。此外，作为其它的单体，可例举不含氟的下述单体(bl) (b4)。单体(bl)烯烃。单体(b2):乙烯基酯。单体(b3):乙烯基醚。单体(b4)酸酐。作为单体(bl)，可例举丙烯、异丁烯等。作为单体(b2)，可例举乙酸乙烯酯等。作为单体(b3)，可例举乙基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、环己基乙烯基醚、羟丁基乙烯基醚等作为单体(b4)，可例举马来酸酐、衣康酸酐、柠康酸酐、降冰片烯二酸酐(5-降冰片烯-2，3-二羧酸酐)等。这些其它单体可以单独使用1种，也可以2种以上并用。作为ETFE中的其它单体，优选单体(a2)、HFP、PPVE、乙酸乙烯酯，更加优选HFP、 PPVE、CF3CF2CH = CH2、PFBE，最优选 PFBE。ETFE含有基于其它单体的重复单元时，其他单体相对于全部单体100摩尔％的含量优选为0. 01 20摩尔％，更加优选0. 10 15摩尔％，特别优选0. 20 10摩尔％。如果其他单体的含量在上述范围内，则ETFE的耐热性和机械物性优良。ETFE含有基于PFBE的重复单元时，PFBE相对于全部单体100摩尔％的含量优选为0. 10 15摩尔％，更加优选0. 20 10摩尔％，特别优选0. 30 5摩尔％。如果PFBE 的含量在上述范围内，则ETFE的耐热性和机械物性优良。作为构成脱模膜的树脂，在ETFE中，特别优选E、TFE和PFBE的共聚物(以下称为 “含 PFBE 的 ETFE ” )。本发明中使用的ETFE的熔体流动速率(MFR)优选为2 40g/10分钟，更加优选 5 30g/10分钟，特别优选10 20g/10分钟。如果ETFE的MFR在上述范围内，则ETFE的成形性提高，本脱模膜的机械特性也提高。上述MFR是根据ASTM D3159使用^g负荷，于297°C测定的值。
本脱模膜的厚度为16 175 μ m,优选16 150 μ m,更加优选沈 150 μ m,进一步优选50 100 μ m。如果厚度为16 μ m以上，则能够抑制膜产生气孔及发生断裂。如果厚度为175 μ m以下，则本脱模膜容易变形，模具对腔形状的追随性提高，因此本脱模膜能够紧紧地密合于腔面，能够稳定地制造品质良好的发光二极管。此外，模具的腔越大，本脱模膜的厚度在上述范围内越是以薄为宜。此外，越是具有多个腔的复杂的模具，本脱模膜的厚度在上述范围内越是以薄为宜。本脱模膜的110°C的断裂伸长率为600 3000%，优选620 2000%，更加优选 640 1500%。如果断裂伸长率为600%以上，则本脱模膜容易变形，d对模具的腔形状的追随性提高，因此能够抑制本脱模膜产生气孔、发生部分断裂。如果断裂伸长率为3000%以下，则本脱模膜的伸长的部分的厚度变得极薄，能够抑制覆盖模具的腔面的膜发生较大的厚度不均。因此，能够稳定地制造具有良好形状的透镜部、呈现优良的光学特性的发光二极管。断裂伸长率通过按照JIS K 7127的方法，对厚度50 μ m的试验膜，在温度110°C、 拉伸速度50mm/分钟的条件下进行拉伸试验来测定。本脱模膜的断裂伸长率可通过调整树脂的分子量及结晶度进行调整。具体而言， 树脂的分子量越高，断裂伸长率变得越大。此外，树脂的结晶度越低，断裂伸长率变得越大。本脱模膜的表面优选为平滑。通过使用表面平滑的本脱模膜，容易形成高品质的透镜部，光学特性优良的发光二极管的制造变得容易。如果膜的一侧表面设为梨皮状，并将该表面作为模具的腔侧使用，则对腔的真空吸附变得容易，但是该膜的使用存在使透镜部发生变形而使透镜精度下降的可能性。具体而言，本脱模膜的表面的10点平均粗度(Rz)在镜面的情况下优选为0. 01 0. 1 μ m。在梨皮表面的情况下，优选0. 15 3.5 μ m。如果上述Rz为0. 15 μ m以上，则促进本脱模膜向腔的真空吸附。此外，如果上述Rz为3. 5μπι以下，则容易抑制在发光二极管的透镜部表面形成凹凸。上述Rz是以JIS Β0601为基准测定的值。本脱模膜可通过使用上述组成的树脂，利用具备具有规定的缝隙宽度的T模 (T-die)的挤出机的熔融成形进行制造。以上说明的本脱模膜在利用模具制造具有大致呈半球状的透镜部的发光二极管时使用。本发明的大致呈半球状的透镜部包括大致半球型的透镜部及炮弹型的透镜部。炮弹型的透镜部是指由圆柱形状的树脂密封部分和其上的大致呈半球状的透镜部构成的形状的透镜部。图I(A)中，示出具有大致半球型的透镜部的发光二极管的一例。此外，图I(B)中， 示出具有炮弹型的透镜部的发光二极管的一例。发光二极管IA如图1 (A)所示，在基板Ila上安装发光元件12a，用密封树脂密封发光元件1 而形成大致半球型的透镜部13a。将发光二极管IA制成白色发光二极管时， 在用分散有荧光体的树脂将发光元件1 封入的状态下，用密封树脂密封其周边而形成透镜部13a。透镜部13a的直径(I1优选为0. 1 30mm，更加优选0. 5 20mm。
发光二极管IB如图1⑶所示，将发光元件1 设置于与引线框lib —体形成的帽12b内，用Au线14b连接该光学元件1 和另一方的引线框11b，用密封树脂密封其周边而形成炮弹型的透镜部15b。将发光二极管IB制成白色发光二极管时，在将分散有荧光体的树脂填充到帽12b内而将发光元件1 封入的状态下，用密封树脂密封其周边而形成透镜部1恥。透镜部15b的半球部分的直径d2优选为0. 2 5mm，更加优选0. 5 3mm。透镜部15b的圆柱部分的高度d3优选为0. 2 8mm，更加优选0. 3 6mm。在制造具有上述的大致半球型或炮弹型的透镜部的发光二极管的过程中，本脱模膜沿着与该透镜部的形状对应的形状的腔发生变形而不会产生气孔及发生破裂，可密合于腔面。因此，能够稳定地制造品质良好的发光二极管。<发光二极管的制造方法>本发明的发光二极管的制造方法的特征在于，在利用模具、用密封树脂密封发光元件来制造发光二极管的方法中，使用本脱模膜。本发明的发光二极管的制造方法除了使用本脱模膜以外，可使用公知的制造方法。作为透镜部的形成方法，可例举压缩成形法或传递成形法。作为制造装置(模具)，可使用公知的压缩成形装置或传递成形装置。制造条件也可以使用与公知的发光二极管的制造方法中的条件相同的条件。本发明的发光二极管的制造方法包括下述工序(a) (e)(a)以覆盖模具的腔的方式来配置本脱模膜的工序；(b)将上述本脱模膜真空吸引至模具的腔面侧的工序；(c)将发光元件配置于腔内的规定位置的工序；(d)向腔内填充密封树脂，利用该密封树脂密封上述发光元件而获得发光二极管的工序；(e)将发光二极管从模具内取出的工序。下面，作为本发明的发光二极管的制造方法的一个实施方式例，对利用传递成形法制造上述发光二极管IA的情况进行详细说明。使用的模具3如图2所示，具有上模31和下模32。在上模31侧形成有与发光二极管IA的透镜部13a的形状对应的形状的腔33，和向腔33引导密封树脂的凹状的树脂导入部34。在下模32侧，如图2所示，形成有配置密封树脂的树脂配置部35，在树脂配置部 35内设有将密封树脂向上模31挤出的柱塞36。从容易形成高品质的透镜部、容易获得光学特性优良的发光二极管方面考虑，上模31的腔面33a优选为平滑。如果将腔面33a设为梨皮状，则虽然能够更有效地将本脱模膜真空吸引至腔面 33a，但会有得到的发光二极管IA的透镜部13a发生变形而透镜精度变差的可能性。工序(a)如图3所示，以覆盖模具3的上模31的腔33的方式配置本脱模膜4。本脱模膜4 较好是以覆盖腔33、树脂导入部34的整体的方式进行配置。工序(b)
通过在模具3的腔33的外部形成的沟进行真空吸引，对本脱模膜4与腔33及树脂导入部34之间的空间进行减压，如图4所示，拉伸本脱模膜4而使其变形，将其真空吸引至模具3的上模31。根据高温环境下的脱模膜4的强度、厚度及腔33的形状，脱模膜4未必密合于腔 33。如图4所示，在本实施方式的工序(b)的真空吸引阶段，本脱模膜4并未完全密合于腔面 33a。工序(c)如图5所示，将安装有发光元件12a的基板Ila设置于基板设置部37，并将模具3 闭合，将发光元件1 配置于腔33内的规定位置。此外，在树脂配置部35的柱塞36上配置密封树脂X。作为密封树脂X，通常使用透明树脂以用于密封发光二极管的发光元件。此外，还会使用含有以光扩散性为目的的添加剂等的乳白色的透明树脂。作为密封树脂X，优选有机硅树脂(商品名“1^5-3412々”、“1^5-34128”(以上为信越化学株式会社(信越化学社)制)等)、环氧树脂(日本化药株式会社(日本化薬社)制的SEJ-01R)等的热固化性树脂。(工序⑷)如图6所示，将下模32的柱塞36向上推，通过树脂导入部34向腔33内填充密封树脂X。接着，加热模具3，使密封树脂X固化，形成密封发光元件12a的透镜部13a。本实施方式中，在工序(d)，通过向腔33内填充密封树脂X，利用树脂压力将本脱模膜4进一步挤向腔面33a侧，使其拉伸、变形，从而密合于腔面33a。因此，形成与腔33的形状对应的大致半球型的透镜部13a。模具3的加热温度、即密封树脂X的加热温度优选为100 185°C，更加优选110 140°C。如果加热温度为100°C以上，则发光二极管的生产性提高。如果加热温度为185°C以下，则容易抑制密封树脂X的劣化。此外，在对因密封树脂X的热膨胀率引起的透镜部13a 的形状变化及发光二极管的保护有特别要求的情况下，较好是以上述范围内的尽量低的温度进行加热。密封树脂X的填充时的树脂压力优选为2 30MPa，更加优选3 lOMPa。如果压力为2MPa以上，则容易抑制密封树脂X的填充不足等缺陷的产生。如果压力为30MPa以下， 则容易获得品质良好的发光二极管。密封树脂X的树脂压力可利用柱塞36进行调整。(工序(e)):如图7所示，将附着有在树脂导入部34内密封树脂X已固化的固化物14a的状态下的发光二极管IA从模具3取出，切除固化物14a。本实施方式的制造方法中，在透镜部13a形成后的模具3内，在已形成的透镜部 13a与腔面33a之间配置有本脱模膜4，因此能够容易地将发光二极管IA从模具3A脱模。本实施方式中，并不限定于工序(a)及工序(b)和工序(C)的顺序。例如，也可以在将基板Ila及发光元件1 配置于腔内的规定位置(工序(C))后，将本脱模膜4配置在模具3的腔33上(工序(a))，再将该本脱模膜4真空吸引至模具3的腔面33a侧(工序 (b))。本发明的发光二极管的制造方法与上述的具有大致半球型的透镜部的发光二极管的制造同样进行，也适用于具有炮弹型的透镜部的发光二极管的制造。该情况下，使用具有与炮弹型的透镜部对应的腔且能够将发光元件设置在规定位置的模具实施上述工序 (a) (e)即可。此外，本发明的发光二极管也较好是通过使用本脱模膜的压缩成形法进行制造。 压缩成形法是如日本专利特开2008-114428号公报等中记载的通常用于发光二极管的制造的方法。如图8所示，可例举例如使用具有下述构件的压缩成形用模具50的方法具有与发光二极管的透镜部的形状对应的形状的多个腔阳(图8中为8个)的下模51、中模52、 上模53、和位于中模52与上模53之间的用于阻隔外界气体的0型圈M。工序(a)在下模51的各腔55上，以使用下模51和中模52夹住进行固定的方式来配置本脱模膜6。工序(b)将本脱模膜6真空吸引至下模51的各腔55。工序(c)、(d):向下模51的腔55上供给有机硅树脂或环氧树脂等具有透光性的液状密封树脂X。 然后，将在与各腔55对应的位置装有多个发光元件72 (发光二极管芯片等)的基板71 (引线框等)配置于上模53，闭合压缩成形用模具50，通过压缩成形将所需的多个发光元件一起密封，从而制造发光二极管。(工序(e)):将发光二极管从压缩成形用模具40取出。根据以上说明的本发明的制造方法，通过使用本脱模膜，能够以高成品率稳定地制造具有大致呈半球状的透镜部的高品质发光二极管。此外，本脱模膜能够在不产生气孔及发生破裂的情况下容易地拉伸、变形，因此也适用于具有多个腔的形状复杂的模具。因此，还能够以低成本、一次性地大量制造发光二极管。另外，本发明的发光二极管的制造方法并不限定于上述方法。例如，也可以使用腔内设有真空吸引孔的模具。如果使用该模具，则与使用上述模具3的方法相比，能够高效地将本脱模膜真空吸附于腔面。但是，吸附孔痕迹会介以脱模膜被转印至发光二极管的透镜部，因此透镜精度容易变差。下面，对本脱模膜的作用效果进行说明。以前，在使用模具形成透镜部的情况下，即使使用认为具有足够的断裂伸长率的脱模膜，也会有在该膜产生气孔及发生破裂的情况出现。例如，在形成大致半球型的透镜部的模具中，包含腔底部的截面(半圆)的圆周长度χ与腔的直径y的比(χ y)为 π/2 1(= Jir 2r)。由此，脱模膜可以最大程度地拉伸，即使在通过腔底部(中心) 的线上的部分，脱模膜可拉伸的比例(伸长率)理论上也在160%左右。因此，认为如果使用理论上断裂伸长率为200%的脱模膜，则能够在该薄膜不产生气孔及发生断裂的情况下制造发光二极管。但是，本发明人对该方面进行详细研究后判明，在大致呈半球状的发光二极管的制造中，如果断裂伸长率不在600%以上，则无法抑制在脱模膜产生气孔及发生破裂。认为其理由如下。在透镜部形成时，脱模膜依次从模具的腔边沿侧向腔底部逐渐密合于腔面。此时， 认为密合于模具的脱模膜被真空吸引，因此变得难以滑动，脱模膜的密合于腔面的部分几乎不再拉伸。换言之，认为腔内的脱模膜越接近腔底部其被拉伸而变形的程度越大。因此， 认为如果不使用具有比理论上认为足够的断裂伸长率远远高的断裂伸长率的脱模膜，则会导致膜产生气孔及发生破裂。实际上，脱模膜的气孔及破裂多发生于腔底部附近，认为该事实证实了上述考虑。
实施例下面示出实施例和比较例，对本发明进行详细说明。但是，本发明并不受到下述记载的限定。[断裂伸长率]脱模膜的断裂伸长率(单位％ )按照JIS K 7127进行测定。对厚度50 μ m的脱模膜用试验片型5现铃进行冲压，制作试验膜。对于该试验膜，在温度110°C、拉伸速度 50mm/分钟的条件下进行拉伸试验，测定断裂伸长率。[有无破裂、气孔]制造发光二极管后，用目视观察脱模膜的破裂、气孔的发生状况。[脱模膜对模具的追随性]制造发光二极管后，用目视并根据下述基准对脱模膜对模具的追随性进行评价。〇(良好)腔面与膜面之间无缝隙。X (不良)腔面与膜面之间有缝隙。[透镜部的形状评价]用目视并按照下述基准对制得的发光二极管的透镜部的形状进行评价。〇(良好)无局部的凹凸。X(不良)有因脱模膜的破裂引起的局部的凹凸。[实施例1](脱模膜的制造)作为氟树脂，使用聚合物组成为基于TFE的重复单元/基于E的重复单元/基于 PFBE的重复单元=56. 3/40. 7/3. 0(摩尔比)的ETFE (MFR (按照ASTM D3159标准，荷重5kg、 测定温度四7°0 :15g/10分钟)。利用调整了缝隙使厚度达到50 μ m的挤出机，于320°C 将上述ETFE熔融挤出，得到厚度50 μ m的脱模膜(ETFE膜)。该脱模膜在110°C的断裂伸长率为680%。(发光二极管的制造)作为发光元件，使用白色发光元件(工作电压3. 5V、消耗电流10mA)。此外，模具使用图2中例示的模具3。腔33的形状制成与直径0. 7mm的大致半球型的透镜部相对应的形状。以覆盖该模具3的腔33的方式来配置上述脱模膜。以使发光元件位于与腔33的中心(底部)相对应的位置的方式将安装有上述白色发光元件的基板配置于下模32。通过真空吸引将上述脱模膜真空吸引至上模31，再向腔33内填充透明有机硅树脂(LPS-3412A及LPS-3412B(以上为信越化学株式会社制)的等量混合物)。加热模具3使该树脂固化， 形成大致半球型的透镜部。模具的加热温度采用110°C，压力采用5MPa。此外，固化时间采用5分钟。然后，将发光二极管从模具内取出。[实施例2]除了以使厚度达到ΙΟΟμπι的条件调整缝隙以外，进行与实施例1同样的操作，得到厚度100 μ m的脱模膜(ETFE膜)。此外，使用该脱模膜，进行与实施例1同样的操作来制造发光二极管。[比较例1及2]除了以使厚度达到表1所示的厚度的条件调整缝隙以外，进行与实施例1同样的操作，得到脱模膜(ETFE膜)。此外，使用该脱模膜，进行与实施例1同样的操作来制造发光
二极管。[比较例3 6]作为氟树脂，使用聚合物组成为基于TFE的重复单元/基于E的重复单元/基于 PFBE的重复单元=52. 3/46. 4/1.3(摩尔比)的ETFE(MFR(按照ASTM D3159标准，荷重 ^g、测定温度297°C ) :11. 5g/10分钟)，以使厚度达到表1所示的厚度的条件调整缝隙，除此以外，进行与实施例1同样的操作，得到脱模膜。该脱模膜在110°C的断裂伸长率为550%。使用该脱模膜，进行与实施例1同样的操作来制造发光二极管。实施例及比较例的脱模膜的破裂、气孔的有无，对模具的追随性的评价以及透镜部的形状评价示于表1。[表1]
权利要求
1.一种脱模膜，为配置于模具的腔面的脱模膜，该模具用密封树脂密封发光二极管的发光元件而形成大致呈半球状的透镜部，其中，所述脱模膜的厚度为16 175 μ m，按照JIS K 7127测得的在110°C的断裂伸长率为600 3000%。
2.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，所述脱模膜是由氟树脂构成的膜。
3.如权利要求2所述的脱模膜，其特征在于，所述氟树脂膜为乙烯-四氟乙烯共聚物。
4.如权利要求3所述的脱模膜，其特征在于，所述乙烯-四氟乙烯共聚物为乙烯和四氟乙烯和(全氟丁基)乙烯的共聚物。
5.如权利要求1 4中任一项所述的脱模膜，其特征在于，所述大致呈半球状的透镜部为炮弹型透镜部，该透镜部的半球部分的直径为0. 2 5mm。
6.一种发光二极管的制造方法，其为利用模具，用密封树脂密封发光元件来制造发光二极管的方法，其特征在于，具有下述工序(a) (e)(a)以覆盖模具的腔的方式来配置权利要求1 5中任一项所述的脱模膜的工序；(b)将所述脱模膜真空吸引至模具的腔面侧的工序；(c)将发光元件配置于腔内的规定位置的工序；(d)向腔内填充密封树脂，利用该密封树脂密封所述发光元件而获得发光二极管的工序；(e)将发光二极管从模具内取出的工序。
全文摘要
本发明的目的在于提供不易产生气孔及发生断裂、可适用于使用具有多个腔的模具的发光二极管的大量生产、且利用模具的发光二极管制造用的脱模膜，以及使用该脱模膜的发光二极管的制造方法。脱模膜为配置于模具的腔面的脱模膜，该模具用树脂密封发光二极管的发光元件而形成大致呈半球状的透镜部，其中，所述脱模膜的厚度为16～175μm，按照JIS K 7127测得的在110℃的断裂伸长率为600～3000％。此外，本发明提供一种使用该脱模膜的发光二极管的制造方法。
文档编号B29C33/68GK102548725SQ20108004324
公开日2012年7月4日 申请日期2010年9月13日 优先权日2009年9月24日
发明者奥屋珠生 申请人:旭硝子株式会社