超音波熔接装置及超音波熔接方法与流程

本发明涉及一种熔接装置及熔接方法，尤其涉及一种用于超音波熔接的熔接装置及熔接方法。

背景技术：

1、随着科技的创新与进步，各项电子产品不停的推层出新，然而电子产品容易受到液体的影响，进而因受潮生锈而损坏。

2、在现有的做法中，厂商常常橡胶环(例如是o形的橡胶环)作为防水的手段，进而避免液体流入电子产品的内部，甚至阻绝电子产品外部的气体。然而，橡胶环会有劣化、增加物料成本及组装不便等问题。

3、因此，如何能提供一种兼具方便且制程简易并能有效阻绝液体的防水装置及其制造方法，已经成为民营企业及学术单位投注大量资金、人力和时间的研究标的。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明的一目的在于提出一种可有解决上述问题的一种超音波熔接装置，其包括第一构件及第二构件。第一构件包括至少一第一熔接特征及至少一第二熔接特征，其中第一熔接特征与第二熔接特征沿着水平方向排列，且第一熔接特征与第二熔接特征在铅直方向上具有相异的尺寸。第二构件具有至少一熔接结构，熔接结构配置以接触第一熔接特征及第二熔接特征，以熔接第一构件及第二构件。

2、在本发明的一些实施方式中，至少一第一熔接特征包括多个第一熔接特征，至少一第二熔接特征包括多个第二熔接特征，其中多第一熔接特征及多第二熔接特征交错排列。

3、在本发明的一些实施方式中，每一第一熔接特征接触多第二熔接特征的相邻二者。

4、在本发明的一些实施方式中，第一熔接特征的水平宽度和第二熔接特征的水平宽度之比值介于1.5至3。

5、在本发明的一些实施方式中，第一熔接特征的垂直高度和第二熔接特征的垂直高度之比值介于1.2至6。

6、本发明的另一面向在于提供一种超音波熔接方法，包括：提供熔接装置，其包括第一构件及第二构件，其中第一构件包括第一熔接特征及第二熔接特征，第一熔接特征与第二熔接特征沿着水平方向排列，且第一熔接特征与第二熔接特征在铅直方向上具有相异的尺寸，第二构件包括至少一熔接结构；压合第一构件及第二构件，使得熔接结构接触第一熔接特征及第二熔接特征；以及通过熔接结构、第一熔接特征及第二熔接特征熔接第一构件及第二构件。

7、在本发明的一些实施方式中，至少一第一熔接特征包括多个第一熔接特征，至少一第二熔接特征包括多个第二熔接特征，其中多第一熔接特征及多第二熔接特征交错排列。

8、在本发明的一些实施方式中，每一第一熔接特征接触多第二熔接特征的相邻二者。

9、在本发明的一些实施方式中，第一熔接特征的水平宽度和第二熔接特征的水平宽度之比值介于1.5至3。

10、在本发明的一些实施方式中，第一熔接特征的垂直高度和第二熔接特征的垂直高度之比值介于1.2至6。

11、综上所述，本发明提供一种超音波熔接装置及使用其的超音波熔接方法，超音波熔接装置包括用于相互熔融接合的第一构件及第二构件，其中第一构件包括在垂直方向上相异的第一熔接特征及第二熔接特征，第二构件包括用于接触第一熔接特征及第二熔接特征的熔接结构。藉此，超音波熔接装置在进行超声波熔接制程时除了能控制第一熔接特征及第二熔接特征的融化方向外，超音波熔接装置更具有优异的结构强度并提供支撑效果。

12、以上所述仅用以阐述本发明所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其产生的功效等等，本发明的具体细节将在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。

技术特征：

1.一种超音波熔接装置，包括：

2.根据权利要求1所述的超音波熔接装置，其中所述至少一第一熔接特征包括多个第一熔接特征，所述至少一第二熔接特征包括多个第二熔接特征，其中所述多个第一熔接特征及所述多个第二熔接特征交错排列。

3.根据权利要求2所述的超音波熔接装置，其中每一所述多个第一熔接特征接触所述多个第二熔接特征的相邻二者。

4.根据权利要求1所述的超音波熔接装置，其中所述第一熔接特征的水平宽度和所述第二熔接特征的水平宽度之比值介于1.5至3。

5.根据权利要求1所述的超音波熔接装置，其中所述第一熔接特征的垂直高度和所述第二熔接特征的垂直高度之比值介于1.2至6。

6.一种超音波熔接方法，包括：

7.根据权利要求6所述的超音波熔接方法，其中所述至少一第一熔接特征包括多个第一熔接特征，所述至少一第二熔接特征包括多个第二熔接特征，其中所述多个第一熔接特征及所述多个第二熔接特征交错排列。

8.根据权利要求7所述的超音波熔接方法，其中每一所述多个第一熔接特征接触所述多个第二熔接特征的相邻二者。

9.根据权利要求6所述的超音波熔接方法，其中所述第一熔接特征的水平宽度和所述第二熔接特征的水平宽度的比值介于1.5至3。

10.根据权利要求6所述的超音波熔接方法，其中所述第一熔接特征的垂直高度和所述第二熔接特征的垂直高度的比值介于1.2至6。

技术总结
本发明提供一种超音波熔接装置及超音波熔接方法，所述超音波熔接装置包括第一构件及第二构件。第一构件包括至少一第一熔接特征及至少一第二熔接特征，其中第一熔接特征与第二熔接特征沿着水平方向排列，且第一熔接特征与第二熔接特征在铅直方向上具有相异的尺寸。第二构件具有至少一熔接结构，熔接结构配置以接触第一熔接特征及第二熔接特征，以熔接第一构件及第二构件。

技术研发人员：蔡仁杰,刘振维,邱政维,许益致
受保护的技术使用者：台达电子工业股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15