一种去除密封圈中金属离子的方法与流程

本申请涉及密封圈，具体涉及一种去除密封圈中金属离子的方法。

背景技术：

1、对于如屏幕制作，半导体涂层，刻蚀等领域使用的密封圈，通常需要具备高度的纯净性、耐腐蚀性、耐高温性和低挥发性等特性，有洁净度、颗粒物析出及金属离子含量限制的要求。其通常使用的密封圈材质包括全氟醚橡胶、硅橡胶、聚四氟乙烯(ptfe)、聚酰亚胺、聚硅氮橡胶等。

2、但在密封圈制备时，密封装置的构造材料或工作环境中的腐蚀会使得金属离子杂质进入密封圈内，特别是在高温、高压、强腐蚀性环境下，金属离子的积聚成为一个严重问题。

3、目前减少密封圈中金属离子的技术主要集中于前期密封圈的制备以及设备清洁度方面，但这些方面存在一些局限性，例如，高成本、制备复杂度、使用寿命限制等问题。密封圈后处理方法的现有技术比如酸洗的方法，常温酸洗效果差，密封圈内的金属离子难以去除。

技术实现思路

1、本申请的目的是克服现有技术的不足，提供一种去除密封圈中金属离子的方法，利用高温高压水蒸汽把密封圈中的大部分金属离子去除且不破坏的密封圈力学性能。

2、本申请提供一种去除密封圈中金属离子的方法，包括：

3、步骤一，将密封圈放入盛有水的pvt装置内，pvt装置升温至100～180℃，压强升至1～5mpa；

4、步骤二，pvt装置升温至180～220℃，压强升至5～9mpa；

5、步骤三，pvt装置升温至220～260℃，压强升至9～15mpa；

6、步骤四，pvt装置停止加热，温度降至常温常压后取出密封圈。

7、在一些实施例中，所述密封圈材质为全氟醚橡胶、聚硅氮橡胶或氟基共聚体橡胶；所述密封圈完全浸入水中。

8、在一些实施例中，所述pvt装置能够连续升温至350℃并保持压强稳定。

9、在一些实施例中，所述步骤三pvt装置升温至220～260℃，压强升至9～15mpa后还包括以下步骤：pvt装置升温至260～300℃，压强升至15～17mpa。

10、在一些实施例中，所述pvt装置升温至260～300℃，压强升至15～17mpa后还包括以下步骤：pvt装置升温至300～350℃，压强升至17～21mpa。

11、进一步地，所述步骤一中pvt装置升温至100～180℃，压强升至1～5mpa后保持1～2小时。

12、进一步地，所述步骤二中pvt装置升温至180～220℃，压强升至5～9mpa后保持1～2小时。

13、进一步地，所述步骤三中pvt装置升温至220～260℃，压强升至9～15mpa后保持1～2小时。

14、进一步地，所述pvt装置升温至260～300℃，压强升至15～17mpa后保持0.5～1小时。

15、进一步地，所述pvt装置升温至300～350℃，压强升至17～21mpa后保持5～10分钟。

16、有益效果：

17、本申请通过压强-体积-温度(pvt)工艺，利用密封圈在250～350℃、15～21mpa的高温高压条件下的稳定性，在高温高压下条件下水蒸气逐步升温，逐步打开微观通道，使水蒸气更好的侵入到密封圈中，达到去除密封圈中的金属离子同时不破坏的密封圈力学性能的效果。

技术特征：

1.一种去除密封圈中金属离子的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种去除密封圈中金属离子的方法，其特征在于，所述密封圈材质为全氟醚橡胶、聚硅氮橡胶或氟基共聚体橡胶；所述密封圈完全浸入水中。

3.根据权利要求1所述的一种去除密封圈中金属离子的方法，其特征在于，所述pvt装置能够连续升温至350℃并保持压强稳定。

4.根据权利要求1所述的一种去除密封圈中金属离子的方法，其特征在于，所述步骤三pvt装置升温至220～260℃，压强升至9～15mpa后还包括以下步骤：pvt装置升温至260～300℃，压强升至15～17mpa。

5.根据权利要求4所述的一种去除密封圈中金属离子的方法，其特征在于，所述pvt装置升温至260～300℃，压强升至15～17mpa后还包括以下步骤：pvt装置升温至300～350℃，压强升至17～21mpa。

6.根据权利要求1所述的一种去除密封圈中金属离子的方法，其特征在于，所述步骤一中pvt装置升温至100～180℃，压强升至1～5mpa后保持1～2小时。

7.根据权利要求1所述的一种去除密封圈中金属离子的方法，其特征在于，所述步骤二中pvt装置升温至180～220℃，压强升至5～9mpa后保持1～2小时。

8.根据权利要求1所述的一种去除密封圈中金属离子的方法，其特征在于，所述步骤三中pvt装置升温至220～260℃，压强升至9～15mpa后保持1～2小时。

9.根据权利要求4所述的一种去除密封圈中金属离子的方法，其特征在于，所述pvt装置升温至260～300℃，压强升至15～17mpa后保持0.5～1小时。

10.根据权利要求5所述的一种去除密封圈中金属离子的方法，其特征在于，所述pvt装置升温至300～350℃，压强升至17～21mpa后保持5～10分钟。

技术总结
本申请涉及密封圈技术领域，具体涉及一种去除密封圈中金属离子的方法。本申请提供一种去除密封圈中金属离子的方法，包括：步骤一，将密封圈放入盛有水的PVT装置内，PVT装置升温至100～180℃，压强升至1～5MPa；步骤二，PVT装置升温至180～220℃，压强升至5～9MPa；步骤三，PVT装置升温至220～260℃，压强升至9～15MPa；步骤四，PVT装置停止加热，温度降至常温常压后取出密封圈。通过本申请的方法可以达到将密封圈中的大部分金属离子去除且不破坏的密封圈力学性能的效果。

技术研发人员：宋炜,吴晓彤,贾晓红,王玉明
受保护的技术使用者：天鼎源创超低温技术（苏州）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/8/13