一种能够净化处理半导体生产废气的设备的制作方法

本技术涉及废气处理，特别是涉及一种能够净化处理半导体生产废气的设备。

背景技术：

1、随着科技的飞速发展，半导体工业在国民经济中的地位日益重要。然而，半导体生产过程中，各种化学反应会产生大量废气，这些废气若未经处理达标，将会对环境产生严重危害。

2、目前，很多半导体厂家会配置喷淋式净化设备对该废气进行净化处理。但是，发明人发现这类喷淋式尾气净化设备，喷淋方式存在一定程度上的废气逃逸空间和时间，且长时间的喷淋容易导致水流过多堵塞住进气管，使得无法继续进行废气处理，因此并不能长期稳定高质量地进行废气净化处理。

3、近年来，等离子体技术在环保领域的应用越来越广泛，等离子体技术具有高能量、高活性、高反应性等特点，可以有效地分解有机污染物。等离子体体技术是一种新的物质改性及深度氧化工艺。低温等离子体是通过气相、液相放电产生的高能电子，形成电子雪崩，由此引起局部电子高温，直接作用于有害物分子化学键，同时在放电场产生·oh、·h、·o、o3等强氧化性物质对有害物质进行改性及深度氧化，从而达到低成本、高效化治理恶臭气体及废气的效果。

4、因此，有必要将等离子体技术应用于半导体废气处理，并在传统净化设备结构上进行优化升级，从而克服传统处理方法的不足，提高废气的净化效率，降低能耗和二次污染。

技术实现思路

1、本实用新型提供了一种能够净化处理半导体生产废气的设备，有利于解决现有一些半导体生产废气净化处理时无法长期稳定高质量地进行废气净化处理的问题。

2、本实用新型是这样实现的：

3、一种能够净化处理半导体生产废气的设备，该设备包括混合器，所述混合器的输入端设有用于输送气源的输入器，所述混合器的所述混合器的输出端连接有燃烧器，所述燃烧器内部设有燃烧腔，所述燃烧器连接有延伸至所述燃烧腔内部的燃烧器，所述燃烧腔内进出端分别设有与外部电源模块电性连接的正负电机端，能够在燃烧腔内针对废气形成等离子体区，所述燃烧器后侧依次连接设有冷却器和输出器；其中，所述输入器包括主输入管以及环设于所述主输入管外侧的副输入管，所述主输入管用于输送持续输送辅助气体，所述副输入管用于持续输送半导体生产所产生的废气，所述主输入管、副输入管和混合器协同构成废气和辅助气体在进入所述燃烧腔前先在混合器内部充分混合的匀气结构。

4、在上述技术方案的基础上，所述混合器为筒状结构，所述主输入管连接于所述混合器输入端的轴向端面上，所述副输入管连接于所述混合器输入端的径向外圆周上。

5、在上述技术方案的基础上，若干个所述副输入管以所述混合器的轴向中心线为中心呈中心对称设置。

6、在上述技术方案的基础上，所述燃烧器包括主体部，所述主体部输入端设有第一电极端，所述主体部的输出端设有第二电极端，所述第一电极端在工作时呈阴极，所述第二电极端在工作时呈阳极。

7、在上述技术方案的基础上，所述第一电极端和第二电极端均为壳体结构，所述第一电极端内部具有与混合器内部空间连通的进气腔，所述第二电极端内部设有与冷却器内部空间连通的出气腔，所述进气腔和出气腔靠近燃烧腔一侧均设有通气孔。

8、在上述技术方案的基础上，若干所述副输入管在混合器内部的进气口形成螺旋进气结构。

9、在上述技术方案的基础上，所述冷却器设置有用于连接外部管件的外接控制器，所述外接控制器具有开合控制结构。

10、在上述技术方案的基础上，所述冷却器设有液冷模块。

11、在上述技术方案的基础上，所述输入器、混合器、燃烧器、冷却器和输出器依次连接，并协同构成u型气流路径结构。

12、相较于现有技术，本实用新型至少包括以下优点：

13、本实用新型通过设置依次连接的输入器、混合器、燃烧器、冷却器和输出器，利用输入器中的主输入管和副输入管进行废气和辅助气体的均匀混合输入，并且利用燃烧器内部的正负电极端行程等离子体区，能够对废气中的有害气体进行分解，从而协同燃烧器将该分解前后的可燃气体进行燃烧净化处理，这有别于传统技术中的喷淋式净化方式，因此能够避免像喷淋方式存在一定程度上的废气逃逸空间和时间，以及长期喷淋管路堵塞的现象出现，所以，本使用新型能够有利于长期稳定高质量地进行废气净化处理。

技术特征：

1.一种能够净化处理半导体生产废气的设备，其特征在于，该设备包括混合器(1)，所述混合器(1)的输入端设有用于输送气源的输入器，所述混合器(1)的所述混合器(1)的输出端连接有燃烧器(3)，所述燃烧器(3)内部设有燃烧腔(a)，所述燃烧器(3)连接有延伸至所述燃烧腔(a)内部的燃烧器(3)，所述燃烧腔(a)内进出端分别设有与外部电源模块电性连接的正负电机端，能够在燃烧腔(a)内针对废气形成等离子体区(e)，所述燃烧器(3)后侧依次连接设有冷却器(4)和输出器(5)；其中，所述输入器包括主输入管以及环设于所述主输入管外侧的副输入管，所述主输入管用于输送持续输送辅助气体，所述副输入管用于持续输送半导体生产所产生的废气，所述主输入管、副输入管和混合器(1)协同构成废气和辅助气体在进入所述燃烧腔(a)前先在混合器(1)内部充分混合的匀气结构。

2.根据权利要求1所述的一种能够净化处理半导体生产废气的设备，其特征在于，所述混合器(1)为筒状结构，所述主输入管连接于所述混合器(1)输入端的轴向端面上，所述副输入管连接于所述混合器(1)输入端的径向外圆周上。

3.根据权利要求2所述的一种能够净化处理半导体生产废气的设备，其特征在于，若干个所述副输入管以所述混合器(1)的轴向中心线为中心呈中心对称设置。

4.根据权利要求1所述的一种能够净化处理半导体生产废气的设备，其特征在于，所述燃烧器(3)包括主体部(31)，所述主体部(31)输入端设有第一电极端(32)，所述主体部(31)的输出端设有第二电极端(33)，所述第一电极端(32)在工作时呈阴极，所述第二电极端(33)在工作时呈阳极。

5.根据权利要求4所述的一种能够净化处理半导体生产废气的设备，其特征在于，所述第一电极端(32)和第二电极端(33)均为壳体结构，所述第一电极端(32)内部具有与混合器(1)内部空间连通的进气腔(b)，所述第二电极端(33)内部设有与冷却器(4)内部空间连通的出气腔(c)，所述进气腔(b)和出气腔(c)靠近燃烧腔(a)一侧均设有通气孔(d)。

6.根据权利要求3所述的一种能够净化处理半导体生产废气的设备，其特征在于，若干所述副输入管在混合器(1)内部的进气口形成螺旋进气结构。

7.根据权利要求1所述的一种能够净化处理半导体生产废气的设备，其特征在于，所述冷却器(4)设置有用于连接外部管件的外接控制器(7)，所述外接控制器(7)具有开合控制结构。

8.根据权利要求1所述的一种能够净化处理半导体生产废气的设备，其特征在于，所述冷却器(4)设有液冷模块。

9.根据权利要求1所述的一种能够净化处理半导体生产废气的设备，其特征在于，所述输入器、混合器(1)、燃烧器(3)、冷却器(4)和输出器(5)依次连接，并协同构成u型气流路径结构。

技术总结
本技术涉及废气处理技术领域，一种能够净化处理半导体生产废气的设备，该设备包括混合器，所述混合器的输入端设有用于输送气源的输入器，所述混合器的所述混合器的输出端连接有燃烧器，所述燃烧器内部设有燃烧腔，所述燃烧器连接有延伸至所述燃烧腔内部的燃烧器，所述燃烧腔内进出端分别设有与外部电源模块电性连接的正负电机端，能够在燃烧腔内针对废气形成等离子体区，所述燃烧器后侧依次连接设有冷却器和输出器。本技术有利于解决现有一些半导体生产废气净化处理时无法长期稳定高质量地进行废气净化处理的问题。

技术研发人员：白晓锌,蔡项勉,陈瑞勇
受保护的技术使用者：厦门钧摩芯半导体有限公司
技术研发日：20231122
技术公布日：2024/7/23