本技术涉及一种半导体生产加工领域,尤其涉及一种半导体干燥装置,主要用于半导体晶圆的加热干燥。
背景技术:
1、dtl技术是dynamic thin layer的缩写,中文意思为“动态薄层”技术。即将晶圆放置于表面精密加工后的腔体中,腔体与晶圆待处理表面形成薄层通道。在该通道中通入特定的化学气液,对晶圆表面进行处理的技术。dtl技术可有效应用于半导体晶圆表面腐蚀、清洗、钝化、刻蚀等多项工艺,以及晶圆表面杂质、超微量污染提取和检测。
2、其中,在对半导体晶圆表面腐蚀、清洗等工艺中,半导体晶圆表面会存在一些残留的液体,需要进行干燥去除其表面的液体成分。
3、现有技术中,具有几种干燥方式,其一:采用擦拭方式将半导体晶圆表面的水分去除,这种方式效率低,而且容易对半导体晶圆表面造成污染。还有一种方式,如专利号:202123302457.2,专利名称为:一种机械手臂移动实现晶圆干燥,通过限位架对半导体晶圆进行限位,再通过上、下风刀对半导体晶圆进行干燥。这种结构中,其实也是存在以下不足:
4、1、限位架和半导体晶圆的接触面积大,这样半导体晶圆的边缘一半的位置就无法被干燥,导致半导体晶圆之间会在限位架处出现交叉污染的问题;
5、2、采用的时风刀干燥方式,吹力如果大一点的话,半导体晶圆可能变形而损坏,如果吹力小一点,又会影响干燥效率;
6、3、风刀设置在半导体晶圆的一侧,干燥效率不稳定。
技术实现思路
1、本实用新型目的是提供一种半导体干燥装置,通过使用该结构,提高了半导体的干燥效率,同时防止出现交叉污染,提高了产品工艺的稳定性以及质量。
2、为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种半导体干燥装置,包括壳体及设置于壳体内的加热机构,所述加热机构包括上加热机构及下加热机构,所述上加热机构与下加热机构之间构成干燥空间;
3、所述干燥空间内的下加热机构上设有多组对半导体进行支撑的半导体支架,多组所述半导体支架之间构成半导体支撑空间,所述半导体支撑空间设置于所述干燥空间内。
4、上述技术方案中,每组所述半导体支架的内端设有朝内延伸的半导体支撑板,所述半导体支撑板与所述半导体支架的连接处设有导向斜面,所述导向斜面由下至上倾斜向外设置,所述半导体支撑板的顶面与所述上加热机构及下加热机构之间具设有间距。
5、上述技术方案中,所述半导体支架为可上下浮动结构。
6、上述技术方案中,所述上加热机构包括上加热盘,所述上加热盘经上固定组件安装于所述壳体内壁的顶部;
7、所述下加热机构包括下加热盘,所述下加热盘经下固定组件安装于所述壳体内壁的底部,多组所述半导体支架安装于所述下固定组件的顶面上。
8、上述技术方案中,所述上加热盘及下加热盘的背面均设有至少一组温度传感器,所述上、下加热盘的正面正对所述半导体支撑空间设置。
9、上述技术方案中,所述上加热盘及下加热盘均为pfa加热板,所述pfa加热板包括晶格玻璃及覆盖于所述晶格玻璃正面的pfa膜。
10、上述技术方案中,所述上固定组件包括上固定板、多组上档条及多组压块,所述上固定板与所述壳体的内壁顶部相连,多组所述上档条环绕于所述上加热盘的外部,且所述上档条与所述上固定的底面相连;
11、多组所述压块间隔多组所述上档条的底面上,所述上加热盘的底部外缘处抵于所述压块的底面上,所述压块及上档条将所述上加热盘限位于所述上固定板的下方,且所述上加热盘与所述上固定板之间具有间距。
12、上述技术方案中,每组所述上档条的顶部设有朝内延伸的上延伸板,所述上加热盘设置于所述压块与所述上延伸板之间,使所述上固定板与上加热盘之间具有间距。
13、上述技术方案中,所述下固定组件包括下固定板及多组下档条,所述下固定板与所述壳体的内壁底部相连,多组所述下档条环绕于所述下加热盘的外部,所述下档条与所述下固定板相连,所述下加热盘经所述下档条安装于所述下固定板上方,且所述下加热盘与所述下固定板之间具有间距,多组所述半导体支架间隔安装于多组所述下档条的顶面上。
14、上述技术方案中,每组所述下档条的底部设有朝内延伸的下延伸板,所述下加热盘设置于所述下延伸板与所述半导体支架之间,使所述下固定板与下加热盘之间具有间距。
15、上述技术方案中,所述壳体的两端分别设有与所述壳体内部相连通的前开口及后开口,所述前开口上安装有前对接板,所述后开口上安装有排风组件,所述后开口与所述排风组件相连通;所述排风组件上安装有与所述加热机构电控连接的电气盖板。
16、上述技术方案中,所述上加热盘顶部与所述上固定组件之间具有上间距,所述上固定组件的前端及后端分别设有与所述上间距相连通的上槽口,两端所述上槽口与所述上间距之间构成上方散热通道,前端所述上槽口与所述前开口相连通,后端所述上槽口与所述后开口相连通;
17、所述下加热盘的底部与所述下固定组件之间具有下间距,下固定组件的前端及后端分别设有与所述下间距相连通的下槽口,两端所述下槽口与所述下间距之间构成下方散热通道;前端所述下槽口与所述前开口相连通,后端所述下槽口与所述后开口相连通。
18、上述技术方案中,所述排风组件上设有相互独立的电气腔及排气腔,所述电气盖板安装于所述电气盖板安装于所述电气腔内,所述排气腔上设有与后端所述上槽口、后端所述下槽口相连通的吸气槽。
19、由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
20、1.本实用新型中采用上、下加热机构之间构成一个狭小的、高温的干燥空间,利用半导体支架对晶圆进行支撑,由于晶圆也是热良导体,这样通过加热方式对半导体晶圆进行干燥,其表面的水分会快速蒸发,这样能够有效的提高干燥效率;
21、2.本实用新型中半导体支架上面设置半导体支撑板,通过多组半导体支撑板对晶圆进行支撑,利用多点对晶圆进行支撑,减少和晶圆的接触,有效避免交叉污染的问题,提高工艺稳定性和产品质量;
22、3.本实用新型中利用加热盘发热,而且不和晶圆接触,这样有效的避免加热盘和晶圆之间的交叉污染问题,保证晶圆的质量;
23、4.本实用新型中半导体支架为可以竖直上下浮动的机构,这样既便于下加热盘的更换,同时,也便于自动找平,降低找平难度,用以保证对半导体晶圆支撑的稳定性,保证干燥效果,也保证干燥质量。
1.一种半导体干燥装置,其特征在于:包括壳体及设置于壳体内的加热机构,所述加热机构包括上加热机构及下加热机构,所述上加热机构与下加热机构之间构成干燥空间;
2.根据权利要求1所述的半导体干燥装置,其特征在于:每组所述半导体支架的内端设有朝内延伸的半导体支撑板,所述半导体支撑板与所述半导体支架的连接处设有导向斜面,所述导向斜面由下至上倾斜向外设置,所述半导体支撑板的顶面与所述上加热机构及下加热机构之间具设有间距。
3.根据权利要求1所述的半导体干燥装置,其特征在于:所述半导体支架为可上下浮动结构。
4.根据权利要求1所述的半导体干燥装置,其特征在于:所述上加热机构包括上加热盘,所述上加热盘经上固定组件安装于所述壳体内壁的顶部;
5.根据权利要求4所述的半导体干燥装置,其特征在于:所述上加热盘及下加热盘的背面均设有至少一组温度传感器,所述上、下加热盘的正面正对所述半导体支撑空间设置。
6.根据权利要求4所述的半导体干燥装置,其特征在于:所述上加热盘及下加热盘均为pfa加热板,所述pfa加热板包括晶格玻璃及覆盖于所述晶格玻璃正面的pfa膜。
7.根据权利要求4所述的半导体干燥装置,其特征在于:所述上固定组件包括上固定板、多组上档条及多组压块,所述上固定板与所述壳体的内壁顶部相连,多组所述上档条环绕于所述上加热盘的外部,且所述上档条与所述上固定的底面相连;
8.根据权利要求7所述的半导体干燥装置,其特征在于:每组所述上档条的顶部设有朝内延伸的上延伸板,所述上加热盘设置于所述压块与所述上延伸板之间,使所述上固定板与上加热盘之间具有间距。
9.根据权利要求4所述的半导体干燥装置,其特征在于:所述下固定组件包括下固定板及多组下档条,所述下固定板与所述壳体的内壁底部相连,多组所述下档条环绕于所述下加热盘的外部,所述下档条与所述下固定板相连,所述下加热盘经所述下档条安装于所述下固定板上方,且所述下加热盘与所述下固定板之间具有间距,多组所述半导体支架间隔安装于多组所述下档条的顶面上。
10.根据权利要求9所述的半导体干燥装置,其特征在于:每组所述下档条的底部设有朝内延伸的下延伸板,所述下加热盘设置于所述下延伸板与所述半导体支架之间,使所述下固定板与下加热盘之间具有间距。
11.根据权利要求4所述的半导体干燥装置,其特征在于:所述壳体的两端分别设有与所述壳体内部相连通的前开口及后开口,所述前开口上安装有前对接板,所述后开口上安装有排风组件,所述后开口与所述排风组件相连通;所述排风组件上安装有与所述加热机构电控连接的电气盖板。
12.根据权利要求11所述的半导体干燥装置,其特征在于:所述上加热盘顶部与所述上固定组件之间具有上间距,所述上固定组件的前端及后端分别设有与所述上间距相连通的上槽口,两端所述上槽口与所述上间距之间构成上方散热通道,前端所述上槽口与所述前开口相连通,后端所述上槽口与所述后开口相连通;
13.根据权利要求12所述的半导体干燥装置,其特征在于:所述排风组件上设有相互独立的电气腔及排气腔,所述电气盖板安装于所述电气盖板安装于所述电气腔内,所述排气腔上设有与后端所述上槽口、后端所述下槽口相连通的吸气槽。