坩埚的制作方法

本申请涉及石墨烯导热膜石墨化，具体涉及一种用于石墨烯导热膜在艾奇逊炉石墨化的坩埚。

背景技术：

1、现有技术中，石墨烯导热膜的石墨化方式有感应炉、艾奇逊炉两种方式，通过感应炉方式生产石墨烯导热膜，从产能方面，由于感应炉体积小，单炉装载量小，石墨化产能低，且后期维护保养费用高，量产成本高；从性能方面，由于感应炉最高温度能达到3050℃，在最高温度保温时长一般不超过3小时，由于高温段允许的保温时长有限，导致石墨烯导热膜石墨化不彻底，性能较低。艾奇逊炉用于石墨烯导热膜石墨化，最高温度能达到3200℃，且高温段持续时间长达20小时以上；艾奇逊炉体积大，单炉装载量大，通过艾奇逊炉将石墨烯导热膜石墨化的方式生产的石墨烯烯膜导热率高，石墨化成本低，但在石墨化过程中，盛装石墨烯导热膜的坩埚通常为粉体碳材料石墨化坩埚，石墨化过程中会进入大量电阻填充料等粉尘杂质，影响石墨烯导热膜的品质。

技术实现思路

1、为了克服上述现有技术存在的问题，本申请的主要目的在于提供一种能够防止粉尘杂质进入的坩埚。

2、为了实现上述目的，本申请具体采用以下技术方案。

3、本申请提供了一种坩埚，所述坩埚包括：

4、坩埚体，所述坩埚体开设有容纳腔和开口，所述开口位于所述坩埚体的一端；

5、内嵌板，所述内嵌板设置于所述开口处，以封堵所述容纳腔；

6、坩埚盖，所述坩埚盖盖合于所述开口处，且所述坩埚盖和所述内嵌板之间具有空腔；

7、多孔材料层，所述多孔材料层设置于所述空腔内。

8、在一些实施例中，所述多孔材料层的下表面与所述内嵌板的上表面接触，所述多孔材料层的上表面与所述坩埚盖的内表面接触。

9、在一些实施例中，所述开口内壁设有凸台，所述内嵌板设置于所述凸台。

10、在一些实施例中，所述凸台与所述坩埚盖顶部内表面的垂直距离大于或等于所述内嵌板和所述多孔材料层的厚度之和。

11、在一些实施例中，所述凸台与所述坩埚体的第一表面的距离大于或等于所述内嵌板和所述多孔材料层的厚度之和。

12、在一些实施例中，所述凸台与所述坩埚盖顶部内表面的垂直距离为20mm～50mm。

13、在一些实施例中，所述多孔材料层包括多孔石墨球层、碳粉层、碳黑层和碳毡层中的至少一者。

14、在一些实施例中，所述内嵌板上开设有通孔，所述通孔贯穿所述内嵌板的上表面和下表面。

15、在一些实施例中，所述通孔设有两个，两个所述通孔间隔分布。

16、在一些实施例中，所述内嵌板设为圆形，在所述内嵌板的径向上，两个所述通孔分别位于所述内嵌板圆心的两侧，且每个所述通孔与所述内嵌板圆心的距离相同。

17、相比于现有技术，本申请的坩埚包括坩埚体、内嵌板、坩埚盖和多孔材料层，坩埚体开设有容纳腔和开口，开口位于坩埚体的一端，内嵌板设置于开口处，以封堵容纳腔，坩埚盖盖合于开口处，且坩埚盖和内嵌板之间具有空腔，多孔材料层设置于空腔内；当该坩埚在艾奇逊炉中石墨化的过程中，本申请通过多孔材料层过滤粉尘，能够有效防止电阻填充料等粉尘杂质进入坩埚内，从而保证了石墨烯导热膜的品质。

技术特征：

1.一种坩埚，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述多孔材料层的下表面与所述内嵌板的上表面接触，所述多孔材料层的上表面与所述坩埚盖的内表面接触。

3.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述开口内壁设有凸台，所述内嵌板设置于所述凸台。

4.根据权利要求3所述的坩埚，其特征在于，所述凸台与所述坩埚盖顶部内表面的垂直距离大于或等于所述内嵌板和所述多孔材料层的厚度之和。

5.根据权利要求3所述的坩埚，其特征在于，所述凸台与所述坩埚体的第一表面的距离大于或等于所述内嵌板和所述多孔材料层的厚度之和。

6.根据权利要求4所述的坩埚，其特征在于，所述凸台与所述坩埚盖顶部内表面的垂直距离为20mm～50mm。

7.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述多孔材料层包括多孔石墨球层、碳粉层、碳黑层和碳毡层中的至少一者。

8.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述内嵌板上开设有通孔，所述通孔贯穿所述内嵌板的上表面和下表面。

9.根据权利要求8所述的坩埚，其特征在于，所述通孔设有两个，两个所述通孔间隔分布。

10.根据权利要求9所述的坩埚，其特征在于，所述内嵌板设为圆形，

技术总结
本申请公开了一种坩埚，该坩埚包括坩埚体、内嵌板、坩埚盖和多孔材料层，所述坩埚体开设有容纳腔和开口，所述开口位于所述坩埚体的一端，所述内嵌板设置于所述开口处，以封堵所述容纳腔，所述坩埚盖盖合于所述开口处，且所述坩埚盖和所述内嵌板之间具有空腔，所述多孔材料层设置于所述空腔内。本申请通过在内嵌板与坩埚盖之间设置有多孔材料层，以当该坩埚在艾奇逊炉中石墨化的过程中，能够通过多孔材料层过滤粉尘，从而能够有效防止电阻填充料等粉尘杂质进入坩埚内，保证了石墨烯导热膜的品质。

技术研发人员：罗善发,罗贵军,张艳,王乾龙,江海,钟起权,韦撞,刘志宏
受保护的技术使用者：深瑞墨烯科技（福建）有限公司
技术研发日：20230220
技术公布日：2024/1/15