感应烹饪器具的制作方法

文档序号:34700962发布日期:2023-07-06 21:50阅读:35来源:国知局

本技术涉及感应烹饪器具,特别涉及一种具有玻璃面板阻隔的感应烹饪器具。


背景技术:

1、现有的测温技术代表产品有热电堆测温技术,热电堆探测器能探测波长大于3μm的红外线,但对波长小于3μm的红外线,基本没有响应。感应烹饪器具,如电磁炉所用的玻璃面板(典型的如微晶面板)透红外线波段<2.8μm,所以透过微晶玻璃的红外线,热电堆探测器基本感应不到。

2、在现有技术中,公开了使用铟镓砷传感器作为感应烹饪器具的电磁炉,可以根据微晶玻璃的特性,匹配合适的红外探头,来提升电磁炉的测温和控温的精度。如专利cn2019218056461公开了一种红外测温装置及电磁灶,其红外测温装置包括铟镓砷红外探测器、探测器保护壳和信号处理电路板以及屏蔽壳和滤光片。但由于滤光片安装结构比较复杂,导致探测器组件很难制作的很小,且安装复杂;而且滤光片为单独的配件,成本较高。


技术实现思路

1、本实用新型的主要目的是提出一种感应烹饪器具,旨在解决现有的感应烹饪器具,其探测器的滤光片安装结构比较复杂,难以制作且成本较高的技术问题。

2、为实现上述目的,本实用新型提出一种感应烹饪器具,所述感应烹饪器具包括:

3、烹饪主体,设有用于放置锅具的玻璃面板,所述玻璃面板的外表面设置有油墨,且形成有特定波段红外线的红外透光区和非红外透光区;

4、加热线盘,设于所述烹饪主体内,用于感应加热放置于所述玻璃面板的锅具;以及,

5、红外测温探测器,所述红外测温探测器的敏感元件感光面正对所述红外透光区设置。

6、可选地,所述红外透光区的形状包括圆形和方形中的一种。

7、可选地,所述红外透光区位于所述玻璃面板的中心。

8、可选地,所述红外透光区的面积大小为16mm²~400mm²。

9、可选地,红外测温探测器为红外线敏感波段在0.9μm~1.7μm的铟稼砷光电二极管。

10、可选地,所述红外透光区的高透区在1.25μm~1.8μm波段;截止区在0.7μm~1.2μm波段;所述截止区和所述高透区之间的分界区为1.2μm~1.25μm。

11、可选地,所述分界区的波段范围大小为0.02μm~0.1μm。

12、可选地,所述非红外透光区的截止区在0.7μm~1.8μm波段。

13、可选地,所述烹饪主体的外表还设有控制组件。

14、本实用新型的技术方案中,通过油墨在所述玻璃面板设置红外透光区,来透过特定波长的红外线,设置非红外透光区,使得所述玻璃面板不可透过特定波长红外线,防止干扰光透过面板其它区域反射或折射进来,减少了环境干扰光对红外探测器敏感元件感光面的干扰,实现滤光片的作用,省去了独立的滤光片,简化了探测器的组装结构,可缩小探测器的体积,并能降低成本。



技术特征:

1.一种感应烹饪器具,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的感应烹饪器具,其特征在于,所述红外透光区(112)的形状包括圆形和方形中的一种。

3.如权利要求1所述的感应烹饪器具,其特征在于,所述红外透光区(112)位于所述玻璃面板(11)的中心。

4.如权利要求1所述的感应烹饪器具,其特征在于,所述红外透光区(112)的面积大小为16mm²~400mm²。

5.如权利要求1所述的感应烹饪器具,其特征在于,红外测温探测器(3)为红外线敏感波段在0.9μm~1.7μm的铟稼砷光电二极管。

6.如权利要求1或5所述的感应烹饪器具,其特征在于,所述红外透光区(112)的高透区在1.25μm~1.8μm波段;截止区在0.7μm~1.2μm波段;所述截止区和所述高透区之间的分界区为1.2μm~1.25μm。

7.如权利要求6所述的感应烹饪器具,其特征在于,所述分界区的波段范围大小为0.02μm~0.1μm。

8.如权利要求1或5所述的感应烹饪器具,其特征在于,所述非红外透光区(113)的截止区在0.7μm~1.8μm波段。

9.如权利要求1所述的感应烹饪器具,其特征在于,所述烹饪主体(1)的外表还设有控制组件(12)。


技术总结
本技术公开了一种感应烹饪器具,所述感应烹饪器具包括烹饪主体、加热线盘和红外测温探测器,所述烹饪主体设有用于放置锅具的玻璃面板,所述玻璃面板的外表面设置有油墨,且形成有红外透光区和非红外透光区;所述加热线盘设于所述烹饪主体内,用于感应加热放置于所述玻璃面板的锅具;所述红外测温探测器的敏感元件感光面正对所述红外透光区设置。本技术的技术方案中,所述红外透光区用来透过特定波长的红外线,所述非红外透光区用以使所述玻璃面板不可透过特定波长红外线,减少了环境干扰光对红外探测器敏感元件感光面的干扰,实现滤光片的作用,省去了独立的滤光片,简化了探测器的组装结构,可缩小探测器的体积,并能降低成本。

技术研发人员:管兴勇
受保护的技术使用者:杭州越磁科技有限公司
技术研发日:20230410
技术公布日:2024/1/13
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