本发明涉及碳化硅炉设备领域,具体涉及一种cvd炉的mts换热器。
背景技术:
1、cvd炉在镀膜过程中,需要用到h2、n2、hcl、mts等多种气体,根据工艺要求,镀膜过程中使用的mts是120℃左右的mts气体,而常温下mts是液体。基于此,我们设计了一种能将mts液体加热至mts气体的换热器装置,可以将mts气体输送到cvd炉内进行镀膜。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的问题,本发明提供一种cvd炉的mts换热器,以解决上述至少一种技术问题。
2、本发明的技术方案是:一种cvd炉的mts换热器,包括装置主体,其特征在于,所述装置主体包括一换热器罐体,所述换热器罐体包括换热器底盖、下换热器、换热器中段、上换热器和换热器顶盖组成,每两者之间使用ptfe垫进行密封;
3、下换热器和上换热器的两端法兰之间设置有115根换热管,mts气体通过换热管内壁管道进行流通,而下换热器或上换热器筒体内壁与换热管外壁之间形成的空隙是用来通热媒的硅油蒸汽进行加热的。
4、mts是无色液体,具有刺鼻恶臭,易燃易爆易潮解,遇到水或空气易分解生产刺激性的hcl气体,所以使用硅油蒸汽进行加热而不是水蒸汽,所有连接处都要进行密封牢靠,否则容易泄漏,造成不必要的损失。
5、进一步优选,所述mts换热器装置连接一mts蒸发装置,所述mts蒸发装置内设有一mts储罐,所述mts储罐内存储有mts液体,所述mts液体从mts储罐的底端管道流入到mts液体进口处,热媒的硅油蒸汽从第一热媒进口处进入,从第一热媒出口处流出,硅油蒸汽给下换热器的换热管内壁处流通的mts加热。
6、进一步优选,所述第一热媒进口处上端设置有第一热电偶。
7、用来测量进口处的硅油蒸汽温度,一般温度在120℃左右。
8、进一步优选,所述第一热媒出口处上端设置有第一热媒排气辅件。用来调节下换热器的筒体内壁与换热管外壁间的压力,控制在1atm左右。
9、进一步优选,所述mts储罐与mts气体进口处设有一管道,所述管道上设置有手动阀。当mts储罐内压力过高时(超过0.22mpa),打开此处的手动阀,有一小部分mts气体流入到mts气体进口处,此处的mts气体温度可以比较低,因为此处的mts气体是从mts液体进口处回流过来的。
10、进一步优选,所以换热器中段的上方又设置了上换热器给mts气体进一步加热,硅油蒸汽从第二热媒进口进入,第二热媒出口流出,同时也设置了第二热电偶进行测温,第二热媒排气辅件调压排气。
11、进一步优选,所述换热器中段的外壁安装有压力计和第三热电偶。当mts气体进入到换热器中段时,有直接测量mts气体压力的压力计,测量温度的热电偶。
12、进一步优选,mts气体从mts气体出口流出,经过mts蒸发装置的管道处进行测压、测温、测流量,最后流向cvd炉中用于镀膜。
1.一种cvd炉的mts换热器,包括装置主体,其特征在于,所述装置主体包括一换热器罐体,所述换热器罐体包括换热器底盖、下换热器、换热器中段、上换热器和换热器顶盖组成,每两者之间使用ptfe垫进行密封;
2.根据权利要求1所述的一种cvd炉的mts换热器,其特征在于,所述mts换热器装置连接一mts蒸发装置,所述mts蒸发装置内设有一mts储罐,所述mts储罐内存储有mts液体,所述mts液体从mts储罐的底端管道流入到mts液体进口处,热媒的硅油蒸汽从第一热媒进口处进入,从第一热媒出口处流出,硅油蒸汽给下换热器的换热管内壁处流通的mts加热。
3.根据权利要求2所述的一种cvd炉的mts换热器,其特征在于,所述第一热媒进口处上端设置有第一热电偶。
4.根据权利要求2所述的一种cvd炉的mts换热器,其特征在于,所述第一热媒出口处上端设置有第一热媒排气辅件。
5.根据权利要求1所述的一种cvd炉的mts换热器,其特征在于,所述mts储罐与mts气体进口处设有一管道,所述管道上设置有手动阀,当mts储罐内压力过高时,打开此处的手动阀,有一小部分mts气体流入到mts气体进口处,此处的mts气体温度可以比较低,因为此处的mts气体是从mts液体进口处回流过来的。
6.根据权利要求1所述的一种cvd炉的mts换热器,其特征在于,所以换热器中段的上方又设置了上换热器给mts气体进一步加热,硅油蒸汽从第二热媒进口进入,第二热媒出口流出,同时也设置了第二热电偶进行测温,第二热媒排气辅件调压排气。
7.根据权利要求6所述的一种cvd炉的mts换热器,其特征在于,所述换热器中段的外壁安装有压力计和第三热电偶。
8.根据权利要求2所述的一种cvd炉的mts换热器,其特征在于,mts气体从mts气体出口流出,经过mts蒸发装置的管道处进行测压、测温、测流量,最后流向cvd炉中用于镀膜。