真空气相沉积反应法制备硅化石墨专用石墨坩埚的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及坩祸，具体涉及一种专用于真空气相沉积反应法制备硅化石墨的石墨坩祸，属于坩祸技术领域。
【背景技术】
[0002]典型真空气相沉积反应法制备硅化石墨材料的方法为:将含纯硅和助剂的硅化反应原料刷涂在制品表面，放入石墨坩祸，再将石墨坩祸置于真空炉内，控制真空度0.95，先缓慢升温至600°C恒温5?30min，再升温至1600?1800°C，恒温5?30min，使硅液化并渗入碳素材料孔隙。最后在1800?2400°C、真空度高于0.97条件下处理0.5?5h，使硅气化并与碳素材料发生气相沉积反应得到硅化石墨材料。
[0003]通常所使用的石墨坩祸操作不方便，且熔融、气化的硅容易泄漏造成重叠安放的坩祸相互粘结，或泄漏与真空炉加热材料反应而损坏真空炉。
【实用新型内容】
[0004]针对现有技术存在的上述不足，本实用新型的目的在于提供一种真空气相沉积反应法制备硅化石墨的专用石墨坩祸，本石墨坩祸能有效防止坩祸间粘结、真空炉的损坏，且易操作，最大化利用了真空炉空间。
[0005]为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下:
[0006]真空气相沉积反应法制备硅化石墨专用石墨坩祸，所述石墨坩祸为圆柱筒形，在圆柱筒形上口设置一与上口齐平的环形内耳。
[0007]进一步地，所述圆柱筒形的石墨坩祸壁厚为15mm-20 mm ;环形内耳超出坩祸内壁5?15mm，环形内耳高度为5?20mm。
[0008]相比现有技术，本实用新型具有如下有益效果:
[0009]1、环形内耳更容易对坩祸进行握持，便于手工安放和从炉体中取出。
[0010]2、坩祸重叠放置时，内耳有密封作用，有利于防止熔融气化的硅泄漏与重叠坩祸接触面反应和炉体加热材料反应，有效防止坩祸之间发生粘结和损坏真空炉。
[0011]3、采用本实用新型的坩祸重叠安放时，只需在最上层坩祸加盖即可，使用方便。
【附图说明】
[0012]图1-本实用新型结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]如图1所示，本实用新型专用于真空气相沉积反应法制备硅化石墨的石墨坩祸，在圆柱筒形石墨坩祸I的上口设置一内耳2，使用时用于制备硅化石墨的基材放置于坩祸中，多个石墨坩祸I可重叠安放于圆柱形高温真空炉体中，最上层坩祸加盖。为保证石墨坩祸I强度，在高温下反复使用不破裂，圆柱筒形石墨坩祸I壁厚不小于15mm，通常为15-20mm。为了便于手工安放和从炉体中取出坩祸，石墨坩祸I上口设置一与上口齐平的内耳2，内耳为环形，超出i甘祸内壁5?15mm、高度5?20mm。石墨i甘祸I重叠放置时，内耳有密封作用，有利于防止熔融气化的硅泄漏，泄露的硅与重叠坩祸接触面反应，使坩祸之间发生粘结；泄露的硅与炉体加热材料反应，会损坏真空炉。
[0014]为了更好的利用炉体空间，石墨坩祸I与炉体内壁只需留5?20mm间隙，可以提高炉体空间利用率。重叠安放的石墨坩祸I之间也可以填充防粘剂防止相互粘结，采用本实用新型的石墨坩祸I重叠安放时，可每层加盖，也可只在最上层坩祸加盖，非常方便。
[0015]本实用新型的上述实施例仅仅是为说明本实用新型所作的举例，而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其他不同形式的变化和变动。这里无法对所有的实施方式予以穷举。凡是属于本实用新型的技术方案所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之列。
【主权项】
1.真空气相沉积反应法制备硅化石墨专用石墨坩祸，其特征在于:所述石墨坩祸为圆柱筒形，在圆柱筒形上口设置一与上口齐平的环形内耳。
2.根据权利要求1所述的真空气相沉积反应法制备硅化石墨专用石墨坩祸，其特征在于:所述圆柱筒形的石墨i甘祸壁厚为15mm_20 mm ;环形内耳超出i甘祸内壁5?15mm，环形内耳高度为5?2Ctam0
【专利摘要】本实用新型公开了一种真空气相沉积反应法制备硅化石墨专用石墨坩埚，所述石墨坩埚为圆柱筒形，在圆柱筒形上口设置一与上口齐平的环形内耳。石墨坩埚壁厚为15mm-20mm；环形内耳超出坩埚内壁5～15mm，环形内耳高度为5～20mm。本实用新型环形内耳更容易对坩埚进行握持，便于手工安放和从炉体中取出。坩埚重叠放置时，内耳有密封作用，有利于防止熔融气化的硅泄漏与重叠坩埚接触面反应和炉体加热材料反应，有效防止坩埚之间发生粘结和损坏真空炉。采用本实用新型的坩埚重叠安放时，只需在最上层坩埚加盖即可，使用方便。
【IPC分类】F27B14-10
【公开号】CN204514027
【申请号】CN201520150829
【发明人】彭达鸿
【申请人】自贡市鸿飞电碳制品有限责任公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年3月17日