本发明涉及电子元件清洗领域，尤其涉及一种有碳污染的电子元件的清洗方法。
背景技术：
在半导体领域(例如集成电路)的极紫外(euv)光刻技术中，在euv光辐照下，系统中的碳氢化合物会裂解产生游离碳，游离碳会被吸附沉积到集成电路的电子元件的表面，形成碳污染。这种碳污染会影响电路电子元件的性能，因此须及时清洗电子元件表面的碳沉积污染。
传统的表面处理方法是通过高温加热裂解氢气产生高温的氢原子，高温氢原子会使多层膜结构发生变化，具有一定动能的氢原子轰击电子元件表面从而清洗电子元件表面的碳物质。然而，由于氢原子活跃的化学性质使氢原子相互碰撞或与金属材料接触时极易重新结合为氢气分子，因此此种清洗方法的清洗效率低下。
故此，亟需一种改进电子元件的清洗方法以克服上述的缺陷。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种电子元件的清洗方法，其能高效清洗电子元件表面上的碳污染物，且避免清洗对电子元件产生不利影响。
为实现上述目的，本发明的电子元件的清洗方法，包括：
将电子元件置于清洗腔；
调节所述清洗腔内的真空度为预定值；
向所述清洗腔通入氩气并控制射频频率为10～20mhz以产生激发态氩；以 及
向所述清洗腔通入氢气并控制温度为2000～2400k以产生激发态氢。
较佳地，还包括控制所述氩气的通入方向不与电子元件的表面对准。
较佳地，通入所述氩气和所述氢气的流量控制为1～2sccm。
较佳地，所述预定值大于500pa。
较佳地，还包括抽出所述清洗腔内的挥发性气体。
与现有技术相比，本发明电子元件的清洗方法利用激发态氩与激发态氢在局部真空环境下结合形成激发态配合物arh，将激发态配合物arh应用于电子元件表面碳污染的清洗，保持粒子活性，避免氢原子重新结合为分子，提高清洗源粒子浓度，从而提高清洗效率而且该清洗方法以化学反应为主，避免了氢原子对电子元件表面的直接轰击，减少物理反应的发生，从而避免对电子元件产生不良影响。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明电子元件的清洗方法作进一步说明，但不因此限制本发明。
本发明电子元件的清洗方法尤其适用于受到碳污染的电子元件，但并不因此受限。本发明的一个实施例包括以下步骤：
将电子元件置于清洗腔；
调节所述清洗腔内的真空度为预定值；
向所述清洗腔通入氩气并控制射频频率为10～20mhz以产生激发态氩；
向所述清洗腔通入氢气并控制温度为2000～2400k以产生激发态氢。
具体地，该清洗腔连接真空泵、等离子体发射器以及氢原子发射器，电子元件被置于清洗腔内进行清洗。
作为一个优选方案，调节清洗腔内的真空度在500pa以上，以保证清洗腔内的局部真空环境。以流量为1～2sccm通入氩气，并启动射频等离子体发射器，控制射频频率为10～20mhz，例如在实施例为13～14mhz，在此环境下氩气被裂 解为激发态氩粒子。较佳地，控制氩气的通入方向不与电子元件的表面对准，从而防止电子元件的表面被氩等离子体直接轰击而造成电子元件表面损伤。
继而，以流量为1～2sccm通入氩气，启动氢原子发射器，并控制加热温度至2000-2400k以产生氢原子与腔内的氩粒子结合为激发态配合物arh，该配合物arh充满清洗腔内，避免氢原子因与清洗腔内表面接触而重新结合为分子。由此，配合物arh与电子元件上的碳或含碳化合物充分发生化学反应，产生挥发性碳氢化合物，从而清洗电子元件上的碳污染物。在本步骤中，还可延长氢原子到达电子元件的实际距离，将有助于降低氢原子温度从而避免对电子元件产生不良影响。
更佳地，还可包括利用真空泵将挥发性碳氢化合物和恢复到基态的氩气抽出。
综上，本发明电子元件的清洗方法利用激发态氩与激发态氢在局部真空环境下结合形成激发态配合物arh，将激发态配合物arh应用于电子元件表面碳污染的清洗，保持粒子活性，避免氢原子重新结合为分子，提高清洗源粒子浓度，从而提高清洗效率。而且该清洗方法以化学反应为主，避免了氢原子对电子元件表面的直接轰击，减少物理反应的发生，从而避免对电子元件产生不良影响。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。