本发明属于芯片清洗技术领域，具体涉及一种芯片清理装置。
背景技术：
在芯片生产中,如其中混入杂质，就会影响电子的发射，进而影响电子管的放大性能及寿命。在面板上如果有其他的金属离子会造成发光变色、变暗、闪动并会造成气泡、条迹、漏光点等废次品。在光伏行业晶体管、集成电路生产中，水中的颗粒包括细菌如吸附在硅片表面，就会引起电路短路或特性变差。在生产时需用纯水进行清洗，同时要提高清洗效率。因此有必要设计一种新型的清洗装置。
技术实现要素：
根据以上现有技术的不足，本发明所要解决的技术问题是提出一种芯片清洗装置，通过箱体、活动支撑台和清洗装置，解决了传统清洗装置清洗不干净的问题，具有结构简单使用方便的特点。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种芯片清理装置包括箱体、活动支撑台和清洗装置，箱体的中间设有活动支撑台，活动支撑台包括第一滑轨、第二滑轨、第一滑块、第二滑块、电动伸缩杆、轴承、夹环和驱动电机，第一滑轨和第二滑轨对称设置在箱体的内侧壁，第一滑轨和第二滑轨垂直地面设置，第一滑块滑动安装在第一滑轨上，第二滑块滑动安装在第二滑轨上，在轴承的外侧壁对称转动设有两个电动伸缩杆，一个电动伸缩杆转动设置在第一滑块表面，另一个伸缩杆转动设置在第二滑块表面，在轴承内圈设有夹紧环，在外环上还设有驱动电机、驱动电机的一端与轴承内环摩擦接触。
作为一种优选的实施方式，清洗装置包括管道一、管道二、喷管、纯水仓、和雾化器，管道一和管道二均连通纸喷管，喷管位于箱体底部，喷管上设有喷头，喷头朝向上，管道一连接纯水仓，管道二连接雾化器。雾化器内设有氢氟酸，雾化器内设有氮气，通过氮气使得氢氟酸雾化形成氢氟酸雾。箱体的底部设有排水口，顶部设有排气口，排气口内设有单向阀。箱体侧壁设有湿度传感器，箱体侧壁还设有吸附层。
本发明有益效果是:本发明通过活动支撑台可以调节晶圆的清洗角度，在清洗装置的喷洗作用以及重力作用下，沟槽内的杂质更易脱离沟槽，极大地改善了芯片清洗不净的问题，提高了芯片产出良品率，管道二用于连接雾化器，雾化器内设有氢氟酸，雾化器内连通氮气。通过氮气使得氢氟酸雾化形成氢氟酸雾，氢氟酸雾溶于晶圆上残留的水渍中，然后和表面的sio2发生反应，产生sif4气体带走表面水渍。箱体的底部设有排水口，箱体顶部设有排气口，所述排气口内设有单向阀。排水口便于排出清洗后的清洗液，排气口便于排气，操作可靠。箱体侧壁设有湿度传感器，便于测量湿度，从而通过氢氟酸雾将水分带走，避免水渍残留。通过若干湿度传感器进行测量不同的湿度，可以针对性的通入相应量的氢氟酸雾，从而可靠去除水分；箱体侧壁还设有吸附层；设置吸附层，可直接吸附氢氟酸雾，降低相应区域的氢氟酸雾的用量。
附图说明
下面对本说明书附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：
图1是本发明的一种芯片清理装置具体实施方式的结构图。
其中，1、箱体，2、排气口，3、第一滑块，4、第一滑轨，5、驱动电机，6、喷管，7、排水口，8、喷头，9、管道一，10、雾化器，11、管道二，12、第二滑轨，13、第二滑块，14、电动伸缩杆，15、轴承，16、夹环。
具体实施方式
下面对照附图，通过对实施例的描述，本发明的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理、制造工艺及操作使用方法等，作进一步详细的说明，以帮助本领域技术人员对本发明的发明构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。
如图1所示，一种芯片清洗装置包括箱体、支撑台和清洗装置，箱体的中间设有通过驱动器驱动的活动支撑台，活动支撑台包括第一滑轨、第二滑轨、第一滑块、第二滑块、电动伸缩杆、轴承、夹环和驱动电机，第一滑轨和第二滑轨对称设置在箱体的内侧壁，第一滑轨和第二滑轨垂直地面设置，第一滑块滑动安装在第一滑轨上，第二滑块滑动安装在第二滑轨上，在轴承的外侧壁对称转动设有两个电动伸缩杆，一个电动伸缩杆转动设置在第一滑块表面，另一个伸缩杆转动设置在第二滑块表面，在轴承内圈设有夹紧晶圆的夹紧环，在外环上还设有驱动电机、驱动电机的一端与轴承内环摩擦接触，驱动电机转动可以带动内环转动、驱动电机转动可以带动，将晶圆放置在框架上，通过调节第一滑块、第二滑块和电动伸缩杆可以调节晶圆的倾斜角度。清洗装置包括管道一、管道二、喷管和雾化器，管道一和管道二均连通纸喷管，喷管位于箱体底部，喷管上设有喷头，喷头朝向上朝向晶圆，管道一连接纯水仓、管道二连接雾化器，溶液分别从喷管喷出用于清洗晶圆，去除表面残留的有机物和颗粒。
清洗装置用于驱动晶圆待清洗面朝下，当晶圆水平倒置时，可以实现待清洗面朝下，喷头喷洗所述待清洗面。当待清洗面朝下时，在清洗装置的喷洗作用以及重力作用下，沟槽内的杂质更易脱离沟槽，极大地改善了芯片清洗不净的问题，提高了芯片产出良品率。当所述清洗装置喷洗朝下的所述待清洗面第一时间段后，活动支撑台将待清洗面转动至与水平面之间形成一夹角，且所述清洗装置继续喷洗所述待清洗面第二时间段。这里所述待清洗面转动至与水平面之间形成一斜向上的钝角，清洗装置对待清洗面进行喷洗，而后芯片进行，斜向清洗过程，即活动支撑台可以继续驱动待清洗面转动至斜向位置，而清洗装置继续对待清洗面进行喷洗，通过重力作用下的喷洗以及后续变化位置后的斜向进一步喷洗，可以实现芯片待清洗面及芯片其他部位的整体性、全面性清洗。
管道二用于连接雾化器，雾化器内设有氢氟酸，雾化器内连通氮气。通过氮气使得氢氟酸雾化形成氢氟酸雾，氢氟酸雾溶于晶圆上残留的水渍中，然后和表面的sio2发生反应，产生sif4气体带走表面水渍。箱体的底部设有排水口，箱体顶部设有排气口，所述排气口内设有单向阀。排水口便于排出清洗后的清洗液，排气口便于排气，操作可靠。
箱体侧壁设有湿度传感器，便于测量湿度，从而通过氢氟酸雾将水分带走，避免水渍残留。通过若干湿度传感器进行测量不同的湿度，可以针对性的通入相应量的氢氟酸雾，从而可靠去除水分；箱体侧壁还设有吸附层；设置吸附层，可直接吸附氢氟酸雾，降低相应区域的氢氟酸雾的用量。
上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。