技术特征：
1.一种水处理装置，其特征在于，包括：导水组件(10)，所述导水组件(10)上设置有出水部(100)；高压电极(300)和地电极(301)，所述高压电极(300)与所述地电极(301)之间形成放电间隙；介质层组件(20)，所述介质层组件(20)设置在所述放电间隙内，所述介质层组件(20)具有与所述出水部(100)连通的引流部(200)，所述引流部(200)沿所述放电间隙的延伸方向延伸。2.根据权利要求1所述的水处理装置，其特征在于，所述导水组件(10)包括导水部件(11)，所述导水部件(11)包括第一导水板(111)和第二导水板(112)，所述第一导水板(111)和所述第二导水板(112)间隔设置以形成导水空间(110)，所述导水组件(10)还包括进水部(103)，所述进水部(103)和所述出水部(100)均与所述导水空间(110)连通。3.根据权利要求2所述的水处理装置，其特征在于，所述导水组件(10)还包括外周板(12)，所述外周板(12)与所述第一导水板(111)的外周边和所述第二导水板(112)的外周边均连接；所述进水部(103)和所述出水部(100)均设置在所述第二导水板(112)上，所述外周板(12)的一端凸出于所述第二导水板(112)以与所述第二导水板(112)围成插设区域(120)，所述介质层组件(20)的至少部分插设在所述插设区域(120)内。4.根据权利要求3所述的水处理装置，其特征在于，所述第二导水板(112)上设置有支撑凸缘(113)，所述介质层组件(20)的端部位于所述支撑凸缘(113)和所述外周板(12)之间；所述外周板(12)凸出于所述第二导水板(112)的一端与所述高压电极(300)的端部对接，所述支撑凸缘(113)远离所述第二导水板(112)的一端与所述地电极(301)的端部对接。5.根据权利要求2所述的水处理装置，其特征在于，所述导水组件(10)还包括导水管(13)，所述导水管(13)与所述进水部(103)连通。6.根据权利要求1至5中任一项所述的水处理装置，其特征在于，所述出水部(100)包括第一出水口(101)和第二出水口(102)，所述引流部(200)包括第一导水槽(201)和第二导水槽(202)，所述第一出水口(101)与所述第一导水槽(201)连通，所述第二出水口(102)与所述第二导水槽(202)连通。7.根据权利要求6所述的水处理装置，其特征在于，所述介质层组件(20)包括：第一介质层(21)和第二介质层(22)，所述第一介质层(21)和所述第二介质层(22)间隔设置，所述第一导水槽(201)设置在所述第一介质层(21)上，所述第二导水槽(202)设置在所述第二介质层(22)上。8.根据权利要求7所述的水处理装置，其特征在于，所述第一介质层(21)的一个侧壁面与所述高压电极(300)相贴合，所述第一导水槽(201)设置在所述第一介质层(21)的另一个侧壁面上；和/或所述第二介质层(22)的一个侧壁面与所述地电极(301)相贴合，所述第二导水槽(202)设置在所述第二介质层(22)的另一个侧壁面上。9.根据权利要求1至5中任一项所述的水处理装置，其特征在于，所述水处理装置还包括：支撑座(30)，所述导水组件(10)包括导水部件(11)，所述出水部(100)设置在所述导水部件(11)上，所述支撑座(30)设置在所述高压电极(300)和所述地电极(301)的远离所述导
水组件(10)的一端，所述高压电极(300)和所述地电极(301)均可拆卸地设置在所述支撑座(30)上；和/或所述高压电极(300)和所述地电极(301)均为管状，所述高压电极(300)套设在所述地电极(301)的外侧，所述介质层组件(20)为环形，所述介质层组件(20)环绕所述地电极(301)设置。10.根据权利要求1至5中任一项所述的水处理装置，其特征在于，所述导水组件(10)包括导水部件(11)，所述导水部件(11)设置在所述高压电极(300)、所述地电极(301)以及所述介质层组件(20)的一端；所述介质层组件(20)包括第一介质层(21)和第二介质层(22)，所述第一介质层(21)与所述高压电极(300)连接，所述第二介质层(22)与所述地电极(301)连接；其中，所述第一介质层(21)靠近所述导水部件(11)的一端凸出于所述高压电极(300)靠近所述导水部件(11)的一端；和/或所述第二介质层(22)靠近所述导水部件(11)的一端凸出于所述地电极(301)靠近所述导水部件(11)的一端。
技术总结
本实用新型提供了一种水处理装置，包括：导水组件，导水组件上设置有出水部；高压电极和地电极，高压电极与地电极之间形成放电间隙；介质层组件，介质层组件设置在放电间隙内，介质层组件具有与出水部连通的引流部，引流部沿放电间隙的延伸方向延伸。本实用新型的水处理装置解决了现有技术中的水处理装置效率较低的问题。低的问题。低的问题。
技术研发人员：王铭昭 张述文 马明宇 伍晨迪 施国志 王墅
受保护的技术使用者：珠海格力电器股份有限公司
技术研发日：2021.12.10
技术公布日：2022/8/2