1.本发明涉及半导体技术领域，具体为一种减薄载台的清洗方法。
背景技术：
2.硅片放在减薄载台上进行减薄研磨，减薄载台设有若干陶瓷孔，会吸附杂质进去，减薄载台内的杂质仅通过自净化无法清洁干净，从而减薄研磨过程中，杂质会造成硅片产生小坑(dimple)，原有的清洗方式是停线，将减薄载台拆下来，光拆除就需要6小时，然后用酒精浸泡，再用气枪对陶瓷孔进行按个吹气排除杂质，整个过程需要重复2-3次，然后再将减薄载台重新安装调试，安装后再净化，整个过程需要至少50个小时，严重影响生产进度。
技术实现要素：
3.本发明提供了一种减薄载台的清洗方法。
4.一种减薄载台的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
5.s1、调配清洁液，取一个容器，将界/表面活性剂与纯水按照一定比例倒入容器混合，得到清洁液；
6.s2、减薄载台开启真空吸附功能，将步骤s1中的清洁液均匀倒到减薄载台，直到减薄载台无法吸附为止，此时减薄载台浸泡在清洁液中一段时间；
7.s3、开启吹气、吹水功能，通过装置将减薄载台表面及陶瓷孔内的杂质吹出并清洗干燥，水量与气量调整到最大值，连续净化一段时间。
8.优选的，清洁液配比为界/表面活性剂：纯水＝:10～1:15；界/表面活性剂为日化精工株式会社生产的界/表面c。
9.优选的，容器为5000ml量杯。
10.优选的，浸泡时间最佳为10-30分钟。
11.优选的，净化时间最佳为1-2小时。
12.与现有技术相比，本发明的有益效果是：解决了减薄载台长期加工过程中杂质沉积堵塞的问题，降低硅片dimple率，提高产品良率。同时，本发明不用停线拆装减薄载台，直接在线清洗，大大提高了生产效率。
具体实施方式
13.下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
14.一种减薄载台的清洗方法，包括以下步骤：
15.s1、调配清洁液，取一个容器，将界/表面活性剂与纯水按照一定比例倒入容器混合，得到清洁液；清洁液配比为界/表面活性剂：纯水＝1:10～1:15；界/表面活性剂为日化精工株式会社生产的界/表面c。容器为5000ml量杯。
16.s2、减薄载台开启真空吸附功能，将步骤s1中的清洁液均匀倒到减薄载台，直到减薄载台无法吸附为止，此时减薄载台浸泡在清洁液中一段时间，浸泡时间最佳为10-30分
钟。
17.s3、开启吹气、吹水功能，通过装置将减薄载台表面及陶瓷孔内的杂质吹出并清洗干燥，水量与气量调整到最大值，连续净化一段时间，净化时间最佳为1-2小时。
18.实施例1
19.s1、调配清洁液，取一个5000ml量杯，200ml将界/表面活性剂与2000ml纯水倒入容器混合，得到清洁液；界/表面活性剂为日化精工株式会社生产的界/表面c。
20.s2、减薄载台开启真空吸附功能，将步骤s1中的清洁液均匀倒到减薄载台，直到减薄载台无法吸附为止，此时减薄载台浸泡在清洁液中10分钟。
21.s3、开启吹气、吹水功能，通过装置将减薄载台表面及陶瓷孔内的杂质吹出并清洗干燥，水量与气量调整到最大值，连续净化1小时。
22.实施例2
23.s1、调配清洁液，取一个5000ml量杯，200ml将界/表面活性剂与2500ml纯水倒入容器混合，得到清洁液；界/表面活性剂为日化精工株式会社生产的界/表面c。
24.s2、减薄载台开启真空吸附功能，将步骤s1中的清洁液均匀倒到减薄载台，直到减薄载台无法吸附为止，此时减薄载台浸泡在清洁液中20分钟。
25.s3、开启吹气、吹水功能，通过装置将减薄载台表面及陶瓷孔内的杂质吹出并清洗干燥，水量与气量调整到最大值，连续净化1.5小时。
26.实施例3
27.s1、调配清洁液，取一个5000ml量杯，200ml将界/表面活性剂与3000ml纯水倒入容器混合，得到清洁液；界/表面活性剂为日化精工株式会社生产的界/表面c。
28.s2、减薄载台开启真空吸附功能，将步骤s1中的清洁液均匀倒到减薄载台，直到减薄载台无法吸附为止，此时减薄载台浸泡在清洁液中30分钟。
29.s3、开启吹气、吹水功能，通过装置将减薄载台表面及陶瓷孔内的杂质吹出并清洗干燥，水量与气量调整到最大值，连续净化2小时。
30.通过本发明的清洁方法，解决了减薄载台长期加工过程中杂质沉积堵塞的问题，降低硅片dimple率，提高产品良率。同时，本发明不用停线拆装减薄载台，直接在线清洗，大大提高了生产效率。
31.尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
技术特征：
1.一种减薄载台的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、调配清洁液，取一个容器，将界/表面活性剂与纯水按照一定比例倒入容器混合，得到清洁液；s2、减薄载台开启真空吸附功能，将步骤s1中的清洁液均匀倒到减薄载台，直到减薄载台无法吸附为止，此时减薄载台浸泡在清洁液中一段时间；s3、开启吹气、吹水功能，通过装置将减薄载台表面及陶瓷孔内的杂质吹出并清洗干燥，水量与气量调整到最大值，连续净化一段时间。2.根据权利要求1所述的减薄载台的清洗方法，其特征在于：清洁液配比为界/表面活性剂：纯水＝:10～1:15；界/表面活性剂为日化精工株式会社生产的界/表面c。3.根据权利要求1所述的减薄载台的清洗方法，其特征在于：容器为5000ml量杯。4.根据权利要求1所述的减薄载台的清洗方法，其特征在于：浸泡时间最佳为10-30分钟。5.根据权利要求1所述的减薄载台的清洗方法，其特征在于：净化时间最佳为1-2小时。
技术总结
本发明公开了一种减薄载台的清洗方法，S1、调配清洁液，取一个容器，将界/表面活性剂与纯水按照一定比例倒入容器混合，得到清洁液；S2、减薄载台开启真空吸附功能，将步骤S1中的清洁液均匀倒到减薄载台，直到减薄载台无法吸附为止，此时减薄载台浸泡在清洁液中一段时间；S3、开启吹气、吹水功能，通过装置将减薄载台表面及陶瓷孔内的杂质吹出并清洗干燥，水量与气量调整到最大值，连续净化一段时间。本发明解决了减薄载台长期加工过程中杂质沉积堵塞的问题，降低硅片Dimple率，提高产品良率。同时，本发明不用停线拆装减薄载台，直接在线清洗，大大提高了生产效率。大大提高了生产效率。
技术研发人员：刘姣龙 刘建伟 邓欢 蒋文斌 李苏峰 秦岩松
受保护的技术使用者：中环领先半导体材料有限公司
技术研发日：2022.04.26
技术公布日：2022/8/5