一种增强硅片清洗效果的方法与流程

1.本发明涉及硅片处理技术领域，具体涉及一种增强硅片清洗效果的方法。


背景技术：

2.为提高硅片表面的洁净度，在硅片加工过程中会设计多道清洗，通常的清洗流程依次是上料槽、处理槽、下料槽、甩干。上料槽通常是一个纯水槽，用来预清洗硅片，该槽一般配有鼓泡和溢流功能，清洗效果受鼓泡和纯水溢流流量的影响，清洗效果有限。原上料槽示意图见图1。


技术实现要素：

3.本发明是为解决上述技术问题而进行的，通过改良清洗方法，兼顾了颗粒问题又不会破坏边缘氧化层，提供了一种增强硅片清洗效果的方法。
4.为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：
5.本发明提供了一种增强硅片清洗效果的方法，其特征在于，包括如下步骤：
6.步骤一，将预清洗的硅片放入第一上料槽，第一上料槽的水位浸没硅片，第一上料槽的进水方向与硅片的移动方向相反；
7.步骤二，硅片进入第二上料槽，第二上料槽的水位高于第一上料槽的水位，第二上料槽内的纯水溢流到第一上料槽，形成二级溢流，第二上料槽的进水方向与硅片的移动方向相反；
8.步骤三，硅片依次经过处理槽、下料槽，并最后进行甩干。
9.本发明通过将原先1个上料槽由1个大槽改设计为2个槽，硅片先进第一上料槽，再进第二上料槽，除保留原鼓泡和溢流的功能外，另外增加逆流漂洗和二级溢流功能。逆流漂洗：传统的进水方式是一根进水管从槽上方直接注入到槽内。逆流漂洗是将进水管延长至槽底，且进水方向和硅片移动方向相反，使注入的纯水到达冲洗硅片表面的效果。二级溢流是将第二上料槽较洁净的纯水溢流至1槽，既保证了硅片清洗效果又节约了纯水。
10.进一步优选，所述步骤一中通过机械手将硅片放入第一上料槽内，并鼓泡溢流或超声波清洗4-5分钟。
11.进一步优选，所述第一上料槽的后端部和所述第二上料槽的后端部设有进水管，所述进水管呈l形，所述进水管的一侧开口朝上，所述进水管的另一侧开口位于底部。
12.进水方向和硅片移动方向相反，达到逆流漂洗的作用。
13.进一步优选，所述进水管设有四根，且呈矩阵式排布在所述第一上料槽和所述第二上料槽中。
14.进一步优选，位于第一上料槽中的进水管长度大于位于第二上料槽中的进水管长度。
15.进一步优选，所述第一上料槽与所述第二上料槽位于一槽体中，且所述槽体内设有一隔板将槽体分为第一上料槽和第二上料槽，所述第一上料槽的体积大于所述第二上料
槽的体积，所述隔板的高度小于所述槽体的深度。
16.本发明优化隔板的高度从而能够将第二上料槽中的上层纯水引入到第一上料槽中从而起到了节约成本的效果。
17.进一步优选，所述第一上料槽的左侧板上开设有多个溢流孔，且所述溢流孔位于侧板的上端部。
18.便于将第一上料槽中的纯水溢流出去。
附图说明
19.图1为原清洗方法结构示意图；
20.图2为本发明的清洗流程图；
21.图3为第一上料槽和第二上料槽的立体结构示意图；
22.图4为本发明的进水管的结构示意图。
23.附图标记：1、第一上料槽；2、第二上料槽；3、进水管；4、溢流孔
具体实施方式
24.下面结合本发明的附图和实施例对本发明的实施作详细说明，以下实施例是在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
25.参见图2-图4，本发明提供了一种增强硅片清洗效果的方法，包括如下步骤：
26.步骤一，将预清洗的硅片放入第一上料槽1，第一上料槽的水位浸没硅片，第一上料槽的进水方向与硅片的移动方向相反；
27.步骤二，硅片进入第二上料槽2，第二上料槽的水位高于第一上料槽的水位，第二上料槽内的纯水溢流到第一上料槽，形成二级溢流，第二上料槽的进水方向与硅片的移动方向相反；
28.步骤三，硅片依次经过处理槽、下料槽，并最后进行甩干。
29.本发明通过将原先1个上料槽由1个大槽改设计为2个槽，硅片先进第一上料槽，再进第二上料槽，除保留原鼓泡和溢流的功能外，另外增加逆流漂洗和二级溢流功能。逆流漂洗：传统的进水方式是一根进水管从槽上方直接注入到槽内。逆流漂洗是将进水管延长至槽底，且进水方向和硅片移动方向相反，使注入的纯水到达冲洗硅片表面的效果。二级溢流是将第二上料槽较洁净的纯水溢流至1槽，既保证了硅片清洗效果又节约了纯水。
30.进一步优选，步骤一中通过机械手将硅片放入第一上料槽内，并鼓泡溢流或超声波清洗4-5分钟。
31.进一步优选，第一上料槽的后端部和第二上料槽的后端部设有进水管3，进水管呈l形，进水管的一侧开口朝上，进水管的另一侧开口位于底部。
32.进水方向和硅片移动方向相反，达到逆流漂洗的作用。
33.进一步优选，进水管设有四根，且呈矩阵式排布在第一上料槽和第二上料槽中。
34.进一步优选，第一上料槽与第二上料槽位于一槽体中，且槽体内设有一隔板将槽体分为第一上料槽和第二上料槽，第一上料槽的体积大于第二上料槽的体积，隔板的高度小于槽体的深度。
35.本发明优化隔板的高度从而能够将第二上料槽中的上层纯水引入到第一上料槽中从而起到了节约成本的效果。
36.进一步优选，第一上料槽的左侧板上开设有多个溢流孔4，且溢流孔位于侧板的上端部。
37.便于将第一上料槽中的纯水溢流出去。
38.以上已对本发明创造的较佳实施例进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。


技术特征：
1.一种增强硅片清洗效果的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，将预清洗的硅片放入第一上料槽，第一上料槽的水位浸没硅片，第一上料槽的进水方向与硅片的移动方向相反；步骤二，硅片进入第二上料槽，第二上料槽的水位高于第一上料槽的水位，第二上料槽内的纯水溢流到第一上料槽，形成二级溢流，第二上料槽的进水方向与硅片的移动方向相反；步骤三，硅片依次经过处理槽、下料槽，并最后进行甩干。2.根据权利要求1所述的一种增强硅片清洗效果的方法，其特征在于：所述步骤一中通过机械手将硅片放入第一上料槽内，并鼓泡溢流或超声波清洗4-5分钟。3.根据权利要求1所述的一种增强硅片清洗效果的方法，其特征在于：所述第一上料槽的后端部和所述第二上料槽的后端部设有进水管，所述进水管呈l形，所述进水管的一侧开口朝上，所述进水管的另一侧开口位于底部。4.根据权利要求3所述的一种增强硅片清洗效果的方法，其特征在于：所述进水管设有四根，且呈矩阵式排布在所述第一上料槽和所述第二上料槽中。5.根据权利要求4所述的一种增强硅片清洗效果的方法，其特征在于：位于第一上料槽中的进水管长度大于位于第二上料槽中的进水管长度。6.根据权利要求1所述的一种增强硅片清洗效果的方法，其特征在于：所述第一上料槽与所述第二上料槽位于一槽体中，且所述槽体内设有一隔板将槽体分为第一上料槽和第二上料槽，所述第一上料槽的体积大于所述第二上料槽的体积，所述隔板的高度小于所述槽体的深度。7.根据权利要求6所述的一种增强硅片清洗效果的方法，其特征在于：所述第一上料槽的左侧板上开设有多个溢流孔，且所述溢流孔位于侧板的上端部。

技术总结
本发明提供了一种增强硅片清洗效果的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，将预清洗的硅片放入第一上料槽，第一上料槽的水位浸没硅片，第一上料槽的进水方向与硅片的移动方向相反；步骤二，硅片进入第二上料槽，第二上料槽的水位高于第一上料槽的水位，第二上料槽内的纯水溢流到第一上料槽，形成二级溢流，第二上料槽的进水方向与硅片的移动方向相反；步骤三，硅片依次经过处理槽、下料槽，并最后进行甩干。本发明通过将原先1个上料槽由1个大槽改设计为2个槽，硅片先进第一上料槽，再进第二上料槽，除保留原鼓泡和溢流的功能外，另外增加逆流漂洗和二级溢流功能。逆流漂洗：传统的进水方式是一根进水管从槽上方直接注入到槽内。方式是一根进水管从槽上方直接注入到槽内。方式是一根进水管从槽上方直接注入到槽内。


技术研发人员：马爱 洪漪
受保护的技术使用者：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
技术研发日：2022.09.05
技术公布日：2023/1/11