一种能避免晶元污染的清洗腔的制作方法

1.本实用新型涉及一种清洗腔，尤其涉及一种能避免晶元污染的清洗腔。


背景技术：

2.在半导体制造领域中，晶圆需要进行spm和apm的相关清洗，特别是在高温状态下对晶圆进行spm和apm处理时，由于清洗腔的上方为敞开的，这样spm和apm在高温下产生的酸和碱可能飞溅出来，同时酸和碱的气体也会从下往上流，从而在清洗腔的内壁或顶部中残留一些酸性物质和碱性物质，长时间存在后，酸性物质和碱性物质会混合会生成盐，导致清洗腔内部环境的清洁度变低，晶圆在清洗腔进行清洗后可能会在晶圆表面残留有杂质颗粒，造成晶圆的清洁度达不到要求。


技术实现要素：

3.本实用新型目的是为了克服现有技术的不足而提供一种在腔体上方设置开有进液口和进料口的片材，片材左右移动时，将进液口和进料口对准腔体分别进行药液臂的喷液和晶圆的取放，避免了在腔体内部产生酸碱反应的结晶而造成晶圆污染的能避免晶元污染的清洗腔。
4.为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种能避免晶元污染的清洗腔，包括：
5.腔体，所述腔体内具有容纳空间，用于放置承载晶圆的承载台；
6.片材，覆盖在所述腔体的上方，并往腔体的两端延伸，所述片材上开有用于药液臂喷液的进液口以及取放晶圆的进料口；
7.其中，所述片材可在所述腔体上方进行左右移动，使得进液口或进料口位于腔体的上方。
8.进一步，所述片材通过卷绕机构可在所述腔体上进行左右移动，所述卷绕机构包括卷绕辊以及卷绕机，所述片材的一端设置在卷绕辊上，另一端设置在卷绕机上，所述卷绕机与所述卷绕辊配合驱动片材在所述腔体上方左右移动。
9.进一步，所述片材的材质为聚氟乙烯。
10.进一步，所述腔体外一侧还设有位于所述片材下方的清洗喷头；其中，当所述进料口位于腔体上方时，所述进液口的位置与所述清洗喷头上下对应设置。
11.进一步，所述进液口呈倾斜的长条形。
12.进一步，所述进料口呈圆形。
13.由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
14.本实用新型方案的能避免晶元污染的清洗腔，在腔体的上方设置了一个可进行左右卷绕的片材，然后利用片材上的进液口实现了对药液臂的药液喷射，避免了在腔体内产生酸碱结合的结晶而造成晶圆的污染，并利用进料口实现晶圆的取放操作，使得晶圆取放在腔体内部进行，降低晶圆受到污染的可能性，整体的结构简单，操作方便，符合晶圆的高
清洁度需求。
附图说明
15.下面结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明：
16.图1为本实用新型中实施例一的结构示意图；
17.图2为本实用新型一实施例中片材上的进液口位于晶圆上方的局部俯视图；
18.图3为本实用新型一实施例中片材上的进料口位于腔体上方时的局部俯视图；
19.图4为本实用新型中实施例二的结构示意图；
20.其中：腔体1、片材2、清洗喷头3、晶圆10、承载台11、进液口20、进料口21、卷绕机22、卷绕辊23。
具体实施方式
21.下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
22.实施例一
23.参阅图1-3，本实用新型一实施例所述的一种能避免晶元污染的清洗腔，包括一腔体1和片材2，腔体1内具有容纳空间，容纳空间内设有承载台11，承载台11上设有被夹紧的晶圆10，晶圆10在腔体1内可以进行各种高温酸或碱清洗液的清洗。
24.片材2设置在腔体1的上方并往腔体1的两端延伸出去，片材2可以将腔体1的上方敞开空间进行密封，片材2上设有相对设置的进液口20和进料口21，进液口20用于晶圆10清洗时酸性和碱性药液臂的进入，进料口21用于机械臂取放晶圆10时的通过。
25.其中，本实施例中的进液口20呈倾斜45
°
的长条形，进料口21呈圆形，上述进液口20和进料口21的形状不限于此，只能分别能满足药液臂的喷液和机械臂对晶圆取放功能即可。
26.片材2可以通过一个卷绕机构在腔体1上进行左右移动，本实施例中的卷绕机构包括卷绕辊23以及卷绕机22，片材2的一端设置在卷绕辊23上，另一端设置在卷绕机22上；使用时，卷绕机22与卷绕辊23配合驱动片材2在腔体1的上方左右移动，当片材2上的进液口20正好位于晶圆10上方时，此时进料口21远离腔体1；片材2上的进料口21正好位于承载台11上方时，此时进液口20远离腔体1。
27.另外，片材2采用的是柔性材质，这样可以方便通过卷绕机构对片材2进行卷绕以及在片材2的相应位置中加工出进液口20和进料口21，本实施例中的片材2采用聚氟乙烯，其具有优异的耐高低温性能、介电性能、化学稳定性、耐候性、不燃性、不粘性和低的摩擦系数等特性，能够满足晶圆在清洗时的需求。
28.参阅图2，具体工作过程如下：当需要进行酸或者碱处理时，首先通过卷绕机构将片材2上的进液口20移动至晶圆10的上方，然后利用喷出酸碱药液的药液臂在进液口20处对晶圆10进行高温酸性和碱性的喷液处理，这样药液臂在喷液时就不会有药液飞射到腔体1的内壁上，并且酸性和碱性的气体也不会上升到腔体1内的上部反应生产盐，确保了腔体1内部的清洁度，降低了晶圆在清洗后有颗粒存在的可能。
29.参阅图3，当需要进行晶圆10的取放操作时，通过卷绕机构将片材2上的进料口21移动至承载台11的上方，利用进料口21实现了对晶圆10的取放操作，整个取放过程都在腔
体1的内部环境中进行，降低了晶圆10受到污染的可能。
30.实施例二
31.参阅图4，本实施例与实施例一之间的区别在于：本实施例中的进液口20位于进料口21的左侧，在腔体1外左侧还设有位于片材2下方的清洗喷头3；工作时，当进料口21位于腔体1上方时，进液口20的位置与清洗喷头3上下对应设置，这样可以在取放晶圆时，对进液口20进行清水清洗，避免在进液口处由于酸碱反应，产生了盐的结晶，影响晶圆后续清洗的清洁度。
32.综上所述，本实用新型的能避免晶元污染的清洗腔，在腔体的上方设置了一个可进行左右卷绕的片材，然后利用片材上的进液口实现了对药液臂的药液喷射，避免了在腔体内产生酸碱结合的结晶而造成晶圆的污染，并利用进料口实现晶圆的取放操作，使得晶圆取放在腔体内部进行，降低晶圆受到污染的可能性，整体的结构简单，操作方便，符合晶圆的高清洁度需求。
33.以上仅是本实用新型的具体应用范例，对本实用新型的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本实用新型权利保护范围之内。


技术特征：
1.一种能避免晶元污染的清洗腔，其特征在于，包括：腔体(1)，所述腔体(1)内具有容纳空间，用于放置承载晶圆的承载台；片材(2)，覆盖在所述腔体(1)的上方，并往腔体(1)的两端延伸，所述片材(2)上开有用于药液臂喷液的进液口(20)以及取放晶圆的进料口(21)；其中，所述片材(2)可在所述腔体(1)上方进行左右移动，使得进液口(20)或进料口(21)位于腔体(1)的上方。2.如权利要求1所述的能避免晶元污染的清洗腔，其特征在于：所述片材(2)通过卷绕机构可在所述腔体(1)上进行左右移动，所述卷绕机构包括卷绕辊(23)以及卷绕机(22)，所述片材(2)的一端设置在卷绕辊(23)上，另一端设置在卷绕机(22)上，所述卷绕机(22)与所述卷绕辊(23)配合驱动片材(2)在所述腔体(1)上方左右移动。3.如权利要求1所述的能避免晶元污染的清洗腔，其特征在于：所述片材(2)的材质为聚氟乙烯。4.如权利要求1所述的能避免晶元污染的清洗腔，其特征在于：所述腔体(1)外一侧还设有位于所述片材(2)下方的清洗喷头(3)；其中，当所述进料口(21)位于腔体(1)上方时，所述进液口(20)的位置与所述清洗喷头(3)上下对应设置。5.如权利要求1所述的能避免晶元污染的清洗腔，其特征在于：所述进液口(20)呈倾斜的长条形。6.如权利要求1所述的能避免晶元污染的清洗腔，其特征在于：所述进料口(21)呈圆形。

技术总结
本实用新型公开了一种能避免晶元污染的清洗腔，包括腔体，腔体内具有容纳空间，用于放置承载晶圆的承载台；片材覆盖在腔体的上方，并往腔体的两端延伸，片材上开有用于药液臂喷液的进液口以及取放晶圆的进料口；片材可在腔体上方进行左右移动，使得进液口或进料口位于腔体的上方；本实用新型的能避免晶元污染的清洗腔，在腔体的上方设置了一个可进行左右卷绕的片材，然后利用片材上的进液口实现了对药液臂的药液喷射，避免了在腔体内产生酸碱结合的结晶而造成晶圆的污染，并利用进料口实现晶圆的取放操作，使得晶圆取放在腔体内部进行，降低晶圆受到污染的可能性，整体的结构简单，操作方便，符合晶圆的高清洁度需求。符合晶圆的高清洁度需求。符合晶圆的高清洁度需求。


技术研发人员：余涛 庞金元
受保护的技术使用者：若名芯装备（苏州）有限公司
技术研发日：2022.07.29
技术公布日：2022/12/13