一种浸泡喷淋双模式清洗机的制作方法

本技术涉及硅料清洗，具体为一种浸泡喷淋双模式清洗机。

背景技术：

1、硅料的清洗目的是使硅料表面清洁无杂质污染，从而保证硅料纯度，保证硅料的质量，避免污染物影响到以硅料为原料的产品的质量，根据污染物产生的原因,大致可将它们分为颗粒杂质、有机物杂质、金属污染物以及其他分凝系数较大的杂质，颗粒杂质常见的有氮化硅粉、灰尘、细砂；现有传统的硅料清洗设备均为分散式，一台设备只满足一种工艺条件，在占用较大的作业加工时间同时会浪费较多人力资源，缺乏对硅料进行多功能清洗的部件，鉴于此，我们提出一种浸泡喷淋双模式清洗机。

技术实现思路

1、为了弥补以上不足，本实用新型提供了一种浸泡喷淋双模式清洗机。

2、本实用新型的技术方案是：

3、一种浸泡喷淋双模式清洗机，包括浸泡箱，所述浸泡箱顶端上开设有进料口，还包括：

4、支腿，所述支腿位于所述浸泡箱下方，用于对所述浸泡箱进行支撑；

5、出料部，所述出料部位于所述浸泡箱上，所述出料部包括倾斜料板，通过所述浸泡箱中的多个升降滤水结构可将硅料从所述倾斜料板出倒出；

6、喷淋板，所述喷淋板位于所述浸泡箱的一端，所述喷淋板底端开设有多个滤孔，用于防止喷淋硅料的水体堆积在所述喷淋板中；

7、输送部，所述输送部位于所述喷淋板内，所述输送部包括输送带，通过所述输送带内的旋转结构可带动所述输送带旋转；

8、喷水部，所述喷水部位于所述喷淋板的一端，所述喷水部包括水箱，通过所述水箱内的增压结构可将水体进行增压喷洒。

9、优选的，所述出料部还包括位于所述浸泡箱左端的料塞板，所述浸泡箱的右侧设有水塞。

10、优选的，所述升降滤水结构为气缸和所述气缸底端铰接的滤板，所述滤板和浸泡箱内壁之间紧密贴合。

11、优选的，所述喷淋板的右端外壁和浸泡箱左端外壁之间固定连接。

12、优选的，所述旋转结构由转轴和用于驱动所述转轴旋转的第一动力源所构成，所述转轴上固定连接有转筒，所述转筒上环绕固定连接有齿牙。

13、优选的，所述喷水部还包括多个水管，每个所述水管上均固定连接有多个喷头。

14、优选的，所述增压结构为水泵，所述水泵和水箱内壁之间固定连接。

15、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：通过将硅料从进料口中投放进浸泡箱中，硅料会在滤板上通过加入酸或碱类的清洗剂水体内进行浸泡，大概浸泡20分钟后，可去除硅料上大部分砂浆，启动滤板上左右两端的气缸，带动滤板上升，上升至料塞板处时，左侧气缸停止上升，右侧持续上升使滤板呈现向左倾斜状态，硅料从倾斜料板处滑出，滑落至输送带上，可启动电机带动转轴旋转，使转轴可带动连接的转筒进行旋转，转筒上的齿牙会同步进行旋转，启动水箱中的水泵，将水体从水管上的喷头喷淋出，进而可对输送带上移动的硅料进行表面二次清洗，此喷淋清洗过程会持续30秒到60秒，以去除浸泡后硅片上残留的少量砂浆。

技术特征：

1.一种浸泡喷淋双模式清洗机，包括浸泡箱(1)，所述浸泡箱(1)顶端上开设有进料口(11)，其特征在于，还包括：

2.如权利要求1所述的浸泡喷淋双模式清洗机，其特征在于：所述出料部(3)还包括位于所述浸泡箱(1)左端的料塞板(34)，所述浸泡箱(1)的右侧设有水塞(33)。

3.如权利要求1所述的浸泡喷淋双模式清洗机，其特征在于：所述升降滤水结构为气缸(31)和所述气缸(31)底端铰接的滤板(32)，所述滤板(32)和浸泡箱(1)内壁之间紧密贴合。

4.如权利要求1所述的浸泡喷淋双模式清洗机，其特征在于：所述喷淋板(4)的右端外壁和浸泡箱(1)左端外壁之间固定连接。

5.如权利要求1所述的浸泡喷淋双模式清洗机，其特征在于：所述旋转结构由转轴(52)和用于驱动所述转轴(52)旋转的第一动力源所构成，所述转轴(52)上固定连接有转筒(53)，所述转筒(53)上环绕固定连接有齿牙(54)。

6.如权利要求1所述的浸泡喷淋双模式清洗机，其特征在于：所述喷水部(6)还包括多个水管(62)，每个所述水管(62)上均固定连接有多个喷头(63)。

7.如权利要求1所述的浸泡喷淋双模式清洗机，其特征在于：所述增压结构为水泵，所述水泵和水箱(61)内壁之间固定连接。

技术总结
本技术涉及硅料清洗技术领域，具体为一种浸泡喷淋双模式清洗机，包括浸泡箱；通过将硅料从进料口中投放进浸泡箱中，硅料会在滤板上通过加入酸或碱类的清洗剂水体内进行浸泡，大概浸泡20分钟后，可去除硅料上大部分砂浆，启动滤板上左右两端的气缸，带动滤板上升，上升至料塞板处时，左侧气缸停止上升，右侧持续上升使滤板呈现向左倾斜状态，硅料从倾斜料板处滑出，滑落至输送带上，可启动电机带动转轴旋转，使转轴可带动连接的转筒进行旋转，转筒上的齿牙会同步进行旋转，启动水箱中的水泵，将水体从水管上的喷头喷淋出，进而可对输送带上移动的硅料进行表面二次清洗，此喷淋清洗过程会持续30秒到60秒，以去除浸泡后硅片上残留的少量砂浆。

技术研发人员：汪庆,陆夏贞,陆浩然,陆昌文,詹云峰,刘菊平,汪县生,廖国洪
受保护的技术使用者：浙江华友电子有限公司
技术研发日：20221116
技术公布日：2024/1/11