本实施方式涉及已清洁的封装基板制造方法及已清洁的封装基板。
背景技术：
1、在制造电子部件时，在半导体晶圆上实现电路被称为前端(fe：front-end)工艺(fe)，并且以能够实际产品中使用的状态组装晶圆被称为后端(be：back-end)工艺(be)，在该后端工艺中包括封装工艺。
2、近来，作为最近实现电子产品快速发展的半导体行业的四项核心技术，有半导体技术、半导体封装技术、制造过程技术及软件技术。半导体技术正在以各种形式发展，例如，微米以下的纳米单位的线宽、一千万个以上的单元(cell)、高速运行及释放大量热量等，但是可能还得不到相对完整封装上述半导体的技术支持。因此，认为半导体的电性能可以取决于封装技术和相应的电连接，而不是取决于半导体技术本身的性能。
3、在示例中，正在进行将玻璃基板适用于高端封装基板的研究。通过在玻璃基板上形成通孔并将导电材料适用于该通孔，从而可以缩短元件和主板之间的导线长度，还可以获得优异的电特性。
4、为了在玻璃基板上形成精细的通孔并连接重新布线层等，严格的清洁过程是必不可少的。尤其，在适用细线(fine line)时，灰尘等杂质更具杀伤力。
技术实现思路
1、提供本
技术实现要素：
是为了以简化的形式介绍在下面的详细描述中进一步描述的概念的选择。本发明内容不旨在识别要求保护的主题的关键特征或基本特征，也不旨在用作确定要求保护的主题的范围的帮助。
2、在一般方面，已清洁的封装基板制造方法包括在准备过程中，将目标基板设置在腔室内；及在除去过程中，在目标基板的至少一个表面上喷射电离空气，以使颗粒状杂质分离，并且获得已清洁的封装基板，其中，目标基板是玻璃封装基板和封装基板中的至少一者，并且其中，封装基板包括玻璃封装基板和设置在玻璃封装基板的至少一个表面上的再布线层。
3、除去过程可以被配置成通过将软x射线照射到目标基板来抑制由于电离空气导致的静电的出现。
4、在除去过程中，腔室的气氛可以具有以沿与重力方向相反的方向的力施加的空气流动。
5、在除去过程中，喷射的电离空气可以是惰性气体和干燥空气中的一者。
6、在除去过程中，基板的剩余电位可以为0v。
7、在除去过程中，腔室内的空间可以维持在0.9个大气压以下的低压气氛处。
8、在除去过程中，可以在基板的第一表面上和基板的第二表面中的一者上执行喷射电离空气，并且空气可以以基板的第一表面为基准以30度至150度的角度流动。
9、玻璃封装基板可以包括沿其厚度方向贯穿的通孔，并且通孔具有的开口的最大长度可以为300μm以下。
10、封装基板的再布线层可以包括盲孔，并且盲孔包括的开口的最大长度可以为20μm以下。
11、其他特征和方面将从以下详细描述、附图和权利要求中显而易见。
1.一种已清洁的封装基板制造方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述除去过程被配置成通过将软x射线照射到所述目标基板来抑制由于电离空气导致的静电的出现。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述除去过程中，腔室的气氛具有以沿与重力方向相反的方向的力施加的空气流动。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述除去过程中，喷射的所述电离空气是惰性气体和干燥空气中的一者。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述除去过程中，所述基板的剩余电位为0v。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述除去过程中，所述腔室内的空间维持在0.9个大气压以下的低压气氛处。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述除去过程中，在所述基板的第一表面和所述基板的第二表面中的一者上执行喷射所述电离空气，并且其中，所述空气以所述基板的第一表面为基准以30度至150度的角度流动。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述玻璃封装基板包括沿所述玻璃封装基板的厚度方向贯穿的通孔，并且其中，所述通孔具有的开口的最大长度为300μm以下。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述封装基板的再布线层包括盲孔，并且其中，所述盲孔包括的开口的最大长度为20μm以下。
10.一种封装基板，所述封装基板通过根据权利要求1所述的已清洁的封装基板制造方法制造。