一种水处理的方法、装置及电子设备与流程

本申请涉及水处理，尤其涉及一种水处理的方法、装置及电子设备。

背景技术：

1、氯胺具备稳定特性，并且，可在进入水中后，逐步水解为可破坏细菌细胞膜的次氯酸，从而达到长效杀菌的目的。现无论是生活用水，还是生产用水，抑或是科研用水均经氯胺消毒处理。尤其为了避免长距离水输送、水源不洁净所引起的有机物、微生物、细菌和藻类等污染水的问题，投消毒剂一侧(例如自来水厂)一般会在水中投入超量的消毒剂，即投入超量的氯胺进行杀菌消毒。

2、一般地，仅经氯胺处理的水一般并不能达到使用人群的使用标准，例如半导体行业、电子行业、医药行业以及精细化工行业等，这些行业一般需要超纯水、去离子水或其它更高纯度的水。一般还需通过反渗透对经氯胺消毒的水进行处理，以去除其中离子(次氯酸根)，再辅以电除盐、以及离子交换等方法对水进一步进行提纯。然而，反渗透所涉及的反渗透膜，包括电除盐以及离子交换的装置因其材料特性——有机高分子材料，而难以在强氧化环境中稳定保持水处理能力；而次氯酸是具备强氧化性的，这导致随着水处理时间增加，前述反渗透膜等逐渐受到破坏，其对于水处理的效果逐渐下降。

3、目前为降低次氯酸的强氧化性，缓解氯胺对反渗透膜、电除盐以及离子交换的装置的破坏，常见的方法为活性炭脱氯以及亚硫酸氢钠脱氯。但氯胺与活性炭之间的反应性低，去除氯胺效果并不理想。较之活性炭脱氯，尽管亚硫酸氢钠可以还原更大量的氯胺，但亚硫酸氢钠的加入导致水中细菌的滋生，尤其是分泌粘液的细菌大量生长。并且，为了配合过量氯胺(杀菌剂)的添加，亚硫酸氢钠的投入也是过量的，这促使水中相对更为容易地滋生细菌，使反渗透装置面临较高的细菌污染风险。由此可见，现有技术中缺乏一种有效去除氯胺的方法。

技术实现思路

1、本申请提供了一种水处理的方法、装置及电子设备，用以去除水中氯胺以及氯胺水解得到的次氯酸，以避免强氧化性物质对于高分子材料例如反渗透膜的破坏，达到延长执行水处理方法的设备的使用寿命的目的。

2、第一方面，本申请实施例提供一种水处理的方法，包括：

3、向第一待处理水中加入可溶性强碱，得到ph为9.5-10.5的第二待处理水；其中，所述第一待处理水中含氯胺；

4、向所述第二待处理水中加入亚硫酸氢钠，得到氧化还原电位为150-250mv的第三待处理水；

5、基于反渗透原理，去除所述第三待处理水中的次氯酸根，得到余氯含量小于0.05ppm的纯净水。

6、一种可能的实施方式，所述可溶性强碱选自：氢氧化钠、氢氧化钾、和碳酸钠中的至少一种。

7、一种可能的实施方式，所述第二待处理水的ph为9.8-10.2。

8、一种可能的实施方式，所述第三待处理水的氧化还原电位为180-220mv。

9、一种可能的实施方式，所述第一待处理水的硬度为0.1meq/l。

10、一种可能的实施方式，所述向第一待处理水中加入强碱之前，还包括：

11、确定所述第一待处理水中余氯含量；

12、响应于所述第一待处理水中余氯含量大于0.2ppm，利用活性炭处理所述第一待处理水，使经所述活性炭处理的所述第一待处理水中余氯含量小于0.1ppm。

13、第二方面，本申请实施例还提供一种水处理的装置，包括：

14、第一单元：用于向第一待处理水中加入可溶性强碱，得到ph为9.5-10.5的第二待处理水；其中，所述第一待处理水中含氯胺；

15、第二单元：用于向所述第二待处理水中加入亚硫酸氢钠，得到氧化还原电位为150-250mv的第三待处理水；

16、去除单元：用于基于反渗透原理，去除所述第三待处理水中的次氯酸根，得到余氯含量小于0.05ppm的纯净水。

17、一种可能的实施方式，所述第二待处理水的ph为9.8-10.2。

18、一种可能的实施方式，所述第三待处理水的氧化还原电位为180-220mv。

19、一种可能的实施方式，所述装置还包括附加单元，所述附加单元具体用于确定所述第一待处理水中余氯含量；响应于所述第一待处理水中余氯含量大于0.2ppm，利用活性炭处理所述第一待处理水，使经所述活性炭处理的所述第一待处理水中余氯含量小于0.1ppm。

20、第三方面，本申请实施例还提供一种可读存储介质，包括，

21、存储器，

22、所述存储器用于存储指令，当所述指令被处理器执行时，使得包括所述可读存储介质的装置完成如第一方面及任一种可能的实施方式所述的方法。

23、本发明至少具备以下有益效果：

24、(1)通过强碱例如氢氧化钠促进次氯酸电离，并生成易于电离的次氯酸钠，从而在添加量不超过现有技术1/2的亚硫酸氢钠的还原作用下，使水中余氯含量低于0.05ppm，从而有效避免强氧化性的次氯酸对于反渗透膜等高分子材料的水处理设备的破坏。

25、(2)通过强碱，使水中环境为无益于粘液细菌产生的碱性环境(9.5-10.5)，在此基础上，由于加入亚硫酸氢钠之后的氧化还原电位orp同样为不利于粘液细菌的环境；避免现有技术中加入亚硫酸氢钠导致orp降至100mv导致粘液细菌滋生，加重水中细菌处理压力的问题。

26、(3)由于水中硅酸以及硼酸可在强碱作用下离子化，所以在去除所述第三待处理水中的次氯酸根的同时，还有效降低了水中硅、硼的含量，使最终得到的纯净水的纯度得以进一步提升。

技术特征：

1.一种水处理的方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述可溶性强碱选自：氢氧化钠、氢氧化钾、和碳酸钠中的至少一种。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二待处理水的ph为9.8-10.2。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三待处理水的氧化还原电位为180-220mv。

5.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述第一待处理水的硬度为0.1meq/l。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述向第一待处理水中加入强碱之前，还包括：

7.一种水处理的装置，其特征在于，包括：

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第二待处理水的ph为9.8-10.2。

9.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置还包括附加单元，所述附加单元具体用于确定所述第一待处理水中余氯含量；响应于所述第一待处理水中余氯含量大于0.2ppm，利用活性炭处理所述第一待处理水，使经所述活性炭处理的所述第一待处理水中余氯含量小于0.1ppm。

10.一种可读存储介质，其特征在于，包括，

技术总结
本申请提供了一种水处理的方法、装置及电子设备，用以去除水中氯胺以及氯胺水解得到的次氯酸，以避免强氧化性物质对于高分子材料例如反渗透膜的破坏，达到延长执行水处理方法的设备的使用寿命的目的。该方法包括：向第一待处理水中加入可溶性强碱，得到PH为9.5‑10.5的第二待处理水；其中，所述第一待处理水中含氯胺；向所述第二待处理水中加入亚硫酸氢钠，得到氧化还原电位为150‑250mV的第三待处理水；基于反渗透原理，去除所述第三待处理水中的次氯酸根，得到余氯含量小于0.05ppm的纯净水。

技术研发人员：王鹏,李刚
受保护的技术使用者：世源科技工程有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/11