本发明涉及碳碳复合材料加工的领域，更具体涉及一种碳碳工件的表面清洁方法。
背景技术：
1、在单晶生长过程中，单晶炉的热系统主要是为单晶的无位错生长提供稳定的热环境，其主要包括加热器、热屏、保温筒、保温盖和电极等主要部件，材质均为碳碳。随着光伏行业的发展，尤其是晶体硅太阳电池的发展已经达到一定的高度，p型硅的效率基本可以达到19％，但是要追求更高效的电池片转换效率，因此n型晶体硅就成了比较理想的目标。众所周知，n型硅的少子寿命比p型硅高很多，但是同样有其缺陷，晶片的少子寿命中间高边缘低，这对晶体的整体少子寿命产生了很大的影响，从而影响其转换效率，因此我们站在晶体拉制的热场材质方面研究，减少热场材质中的金属杂质、灰分在高温过程中对晶棒表面杂质的扩散，提高晶棒边缘少子寿命，进而提高其整体的内在品质，生产高质高效的n型单晶硅棒。
2、制备碳碳工件的灰分要求必须提高，要求灰分＜200ppm，现阶段可使用高温纯化工艺对碳碳工件进行石墨化处理，通过高温焙烧和工艺气体定向流动，经过物理扩散、化学反应使杂质元素从基体中排出。但是在碳碳工件机械加工到成品之后，金属杂质和粉末无法得到有效的清理，传统的清理方式使用抹布蘸酒精进行擦拭，但是抹布会在产品表面残留布渣，而且清理不干净，导致单晶硅拉至过程中成晶率较低，因而还需要进一步的改进和发展。
技术实现思路
1、针对现有技术的种种不足，为了解决上述问题，现提出一种碳碳工件的表面清洁方法，并提供如下技术方案：
2、一种碳碳工件的表面清洁方法，将碳碳工件的表面喷涂含有柠檬酸的水溶液，静置后采用清洗溶液进行喷洗碳碳工件，将喷洗后的碳碳工件烘干后完成碳碳工件的表面清洁。
3、进一步的，所述柠檬酸的水溶液的浓度为5-10g/l，柠檬酸的水溶液的喷涂时间为5-20min。
4、进一步的，所述清洗溶液的配置过程包括：在水中滴加氯化氢试剂后再滴加乙醇试剂。
5、进一步的，所述清洗溶液中，氯化氢的浓度为40-60g/l；乙醇的浓度为200-300g/l。
6、进一步的，所述清洗溶液通过具有喷头的喷洗装置对碳复合材料进行喷洗。
7、进一步的，清洗溶液的喷洗压力为3-5mpa，喷洗时间为4-6min。
8、进一步的，所述烘干的温度为180-220℃，所述烘干的时间为1-3小时。
9、进一步的，喷洗后的碳碳工件采用烘箱进行无氧烘干处理。
10、进一步的，碳碳工件的表面喷涂含有柠檬酸的水溶液后静置50-80分钟再采用清洗溶液进行喷洗。
11、由于采用了以上技术方案，本发明的有益技术效果是：
12、1、本发明无需采用抹布进行擦拭碳碳工件，采用柠檬酸的水溶液首先对碳碳工件表面的残渣、杂质进行软化，然后采用清洗溶液对碳碳工件表面继续进行清洗，清洁彻底，符合拉单晶的使用要求，提高了单晶硅的成晶率；
13、2、本发明选用柠檬酸的水溶液首先进行喷涂，对碳碳工件的外表面进行提前软化，有利于后续清洗溶液的清洗，并且二者结合不会对碳碳工件的表面进行损伤。
1.一种碳碳工件的表面清洁方法，其特征在于，将碳碳工件的表面喷涂含有柠檬酸的水溶液，静置后采用清洗溶液进行喷洗碳碳工件，将喷洗后的碳碳工件烘干后完成碳碳工件的表面清洁。
2.根据权利要求1所述的碳碳工件的表面清洁方法，其特征在于，所述柠檬酸的水溶液的浓度5-10g/l，柠檬酸的水溶液的喷涂时间为5-20min。
3.根据权利要求1所述的碳碳工件的表面清洁方法，其特征在于，所述清洗溶液的配置过程包括：在水中滴加氯化氢试剂后再滴加乙醇试剂。
4.根据权利要求3所述的碳碳工件的表面清洁方法，其特征在于，所述清洗溶液中，氯化氢的浓度为40-60g/l；乙醇的浓度为200-300g/l。
5.根据权利要求1所述的碳碳工件的表面清洁方法，其特征在于，所述清洗溶液通过具有喷头的喷洗装置对碳复合材料进行喷洗。
6.根据权利要求5所述的碳碳工件的表面清洁方法，其特征在于，清洗溶液的喷洗压力为3-5mpa，喷洗时间为4-6min。
7.根据权利要求1所述的碳碳工件的表面清洁方法，其特征在于，所述烘干的温度为180-220℃，所述烘干的时间为1-3小时。
8.根据权利要求7所述的碳碳工件的表面清洁方法，其特征在于，喷洗后的碳碳工件采用烘箱进行无氧烘干处理。
9.根据权利要求1所述的碳碳工件的表面清洁方法，其特征在于，碳碳工件的表面喷涂含有柠檬酸的水溶液后静置50-80分钟再采用清洗溶液进行喷洗。