蓝宝石晶片退火前清洗方法与流程

本公开涉及半导体，更具体地及一种蓝宝石晶片退火前清洗方法。

背景技术：

1、蓝宝石即-al2o3单晶，俗称刚玉，具有优异的光学性能、机械性能和化学稳定性，其强度高、硬度大、耐冲刷，可在接近2000℃高温的恶劣条件下工作，因而被广泛的应用于红外军事装置、高强度激光的窗口材料、半导体gan/al2o3发光二极管(led)，大规模集成电路soi和sos及超导纳米结构薄膜等，系理想的衬底材料。

2、蓝宝石晶片的加工工序一般包括晶棒加工、切片、双面磨边、倒角、退火前清洗、退火、贴片、单面研磨、抛光、清洗等，但是在退火前清洗工序中容易造成由于退火前清洗不彻底导致退火后晶片表面不良，如表面脏污、白点(也称白班)、水纹(也称色差)、亮点等表面不良。

3、蓝宝石加工时双面研磨必须用到碳化硼的表面研磨，考虑蓝宝石衬底硬度大、加工难。但通过碳化硼研磨后，蓝宝石表面存在大量研磨粉末难以去除，这些问题长久以来一直是蓝宝石加工中间环节的难点，特别是8英寸蓝宝石晶片面积大，很难将残留的碳化硼粉末去除干净，严重影响退火后蓝宝石衬底的良率。目前行业内采用传统的药剂+超声+手挫洗的清洗模式，虽然有一定的清洗效果，但整体效果一般，而且稳定性非常差，局部存在污染等因素。

技术实现思路

1、鉴于背景技术中存在的问题，本公开的一目的在于提供一种蓝宝石晶片退火前清洗方法，其能够有效地去除在加工工序中造成的蓝宝石晶片的表面上的残留的碳化硼粉末。

2、本公开的另一目的在于提供一种蓝宝石晶片退火前清洗方法，其能够有效地去除研磨后蓝宝石晶片的表面上的金属颗粒、碳化硼研磨液中的悬浮剂、分散剂等杂质或残留。

3、本公开的又一目的在于提供一种蓝宝石晶片退火前清洗方法，其能够有效地去除研磨后蓝宝石晶片的表面上的脏污、色差、油污等表面不良。

4、本公开的还一目的在于提供一种蓝宝石晶片退火前清洗方法，其能够减少手工搓洗环节。

5、本公开的再一目的在于提供一种蓝宝石晶片退火前清洗方法，其能够实现至少大尺寸的8英寸蓝宝石晶片退火后表面无油污、极大地降低色差、白斑、亮点等不良，提高了至少大尺寸的8英寸蓝宝石晶片退火后的良率。

6、由此，提供一种蓝宝石晶片退火前清洗方法，所述蓝宝石晶片退火前清洗方法至少适用于8英寸的蓝宝石晶片表面碳化硼研磨后且在退火前的清洗，所述蓝宝石晶片退火前清洗方法包括步骤：s1，采用碱性金属清洗剂配制成的水溶液超声清洗；s2，采用去离子水超声清洗；s3，将蓝宝石晶片置于纯水中双面刷洗，刷洗过程中保持冲水；s4，采用酸溶液超声清洗；s5，采用去离子水双面冲洗蓝宝石晶片，同时转动蓝宝石晶片；s6，采用碱溶液超声清洗；s7，采用去离子水双面冲洗蓝宝石晶片，同时转动蓝宝石晶片；s8，采用去离子水超声清洗；s9，采用去离子水双面冲洗蓝宝石晶片，同时转动蓝宝石晶片；s10，将蓝宝石晶片放置在自动甩干机中甩干。

7、本公开的有益效果如下。

8、本公开的蓝宝石晶片退火前清洗方法能够有效地去除在加工工序中造成的蓝宝石晶片的表面上的残留的碳化硼粉末。

9、此外，本公开的蓝宝石晶片退火前清洗方法能够有效地去除研磨后蓝宝石晶片的表面上的金属颗粒、碳化硼研磨液中的悬浮剂、分散剂等杂质或残留。

10、此外，本公开的蓝宝石晶片退火前清洗方法能够有效地去除在加工工序中造成的蓝宝石晶片的表面上的脏污、色差、油污等表面不良。

11、另外，本公开的蓝宝石晶片退火前清洗方法能够减少手工搓洗环节。

12、本公开的蓝宝石晶片退火前清洗方法能够实现至少大尺寸的8英寸蓝宝石晶片退火后表面无油污、极大地降低色差、白斑、亮点等不良，提高了至少大尺寸的8英寸蓝宝石晶片退火后的良率。

技术特征：

1.一种蓝宝石晶片退火前清洗方法，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的蓝宝石晶片退火前清洗方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的蓝宝石晶片退火前清洗方法，其特征在于，

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技术总结
提供一种蓝宝石晶片退火前清洗方法，所述蓝宝石晶片退火前清洗方法至少适用于8英寸的蓝宝石晶片表面碳化硼研磨后且在退火前的清洗，所述蓝宝石晶片退火前清洗方法包括步骤：S1，采用碱性金属清洗剂配制成的水溶液超声清洗；S2，采用去离子水超声清洗；S3，将蓝宝石晶片置于纯水中双面刷洗，刷洗过程中保持冲水；S4，采用酸溶液超声清洗；S5，采用去离子水双面冲洗蓝宝石晶片，同时转动蓝宝石晶片；S6，采用碱溶液超声清洗；S7，采用去离子水双面冲洗蓝宝石晶片，同时转动蓝宝石晶片；S8，采用去离子水超声清洗；S9，采用去离子水双面冲洗蓝宝石晶片，同时转动蓝宝石晶片；S10，将蓝宝石晶片放置在自动甩干机中甩干。

技术研发人员：请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名,陈应红
受保护的技术使用者：广东先导先进材料股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1