一种晶圆清洗溢流槽及晶圆清洗设备的制作方法

本技术涉及半导体，特别是涉及一种晶圆清洗溢流槽及晶圆清洗设备。

背景技术：

1、半导体在湿法清洗设备工艺中，一般在化学槽后会放置一个溢流槽，用于清洗晶圆表面的化学液和杂质。在对晶圆表面进行清洗的过程中，一般是从溢流槽的底部不断注入清洗液体，随着清洗液体的不断注入直至溢流槽被灌满，过多的液体从溢流槽的顶端部位溢出；从溢流槽底部注入的清洗液体，向在溢流槽内流动过程中形成流经晶圆表面的稳定的水流场，进而达到清洗晶圆表面的物质的作用。但目前溢流槽在实际清洗的晶圆的过程中，随着晶圆的面积增大，容易出现晶圆表面清洗不均匀的问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是提供一种晶圆清洗溢流槽及晶圆清洗设备，能够在一定程度上提升晶圆清洗的均匀性和全面性。

2、为解决上述技术问题，本实用新型提供一种晶圆清洗溢流槽，包括：

3、顶端开口的水槽本体；

4、至少设置在所述水槽本体的底部和顶部的进水管；且位于所述水槽本体的顶部的所述进水管在所述水槽本体上的高度低于所述水槽本体的顶端溢出清洗液体的溢水高度；

5、每个所述进水管上均沿水管长度方向依次排布设置有多个喷流孔；

6、各个所述进水管均沿设定方向贯穿所述水槽本体；其中，所述设定方向为当被清洗晶圆放置于所述水槽本体内时和所述被清洗晶圆垂直的方向。

7、在本申请的一种可选地实施例中，所述水槽本体的顶部的两侧至少对称设置有两个第一进水管；且所述第一进水管中在所述水槽本体内位置最高的第一进水管和所述水槽本体的中心位置在竖直方向的高度差不小于所述被清洗晶圆的半径；

8、所述水槽本体的底部至少设置有三个第二进水管，且各个所述第二进水管之间呈弧形分布，以使各个所述第二进水管和所述水槽本体的中心位置之间的距离相同。

9、在本申请的一种可选地实施例中，所述水槽本体的顶部侧壁上设置有向外凸起的条形凹槽，用于容纳位于所述第二进水管。

10、在本申请的一种可选地实施例中，所述进水管上的各个所述喷流孔均为喷射液体的方向均指向所述水槽本体中心区域的水孔结构。

11、在本申请的一种可选地实施例中，所述进水管上的各个所述喷流孔均至少两个为一组设置；

12、同一组的各个所述喷流孔之间的间距小于相邻两组所述喷流孔之间的间距。

13、在本申请的一种可选地实施例中，所述喷流孔为线型喷流孔。

14、在本申请的一种可选地实施例中，各个所述进水管均和所述水槽本体之间可拆卸的连接。

15、在本申请的一种可选地实施例中，设置在所述水槽本体的底部的第一进水管的内壁直径大于设置在所述水槽本体的顶部的第二进水管的内壁直径。

16、在本申请的一种可选地实施例中，所述水槽本体的顶端开口边缘具有v型口。

17、一种晶圆清洗设备，包括如上任一项所述的晶圆清洗溢流槽。

18、本实用新型所提供的一种晶圆清洗溢流槽和晶圆清洗设备，该晶圆清洗溢流槽，包括顶端开口的水槽本体；至少设置在水槽本体的底部和顶部的进水管；且位于水槽本体的顶部的进水管在水槽本体上的高度低于水槽本体的顶端溢出清洗液体的溢水高度；每个进水管上均沿水管长度方向依次排布设置有多个喷流孔；各个进水管均沿设定方向贯穿水槽本体；其中，设定方向为当被清洗晶圆放置于水槽本体内时和被清洗晶圆垂直的方向。

19、本申请中相对于常规的溢流槽不同的是，在水槽本体的底部和顶部均设置有进水管，在实际对晶圆表面进行清洗的过程中，分别位于水槽本体的底部和顶部的进水管即可同步对晶圆表面进行喷水清洗，保证晶圆整个表面均可以处于稳定的水流场中，相较于目前常规的溢流槽中仅仅只在水槽底部设置进水管的方式而言，本申请中能够在一定程度上提升对晶圆清洗的均匀性和全面性，进而保证晶圆的清洗效果。

技术特征：

1.一种晶圆清洗溢流槽，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的晶圆清洗溢流槽，其特征在于，所述水槽本体的顶部的两侧至少对称设置有两个第一进水管；且所述第一进水管中在所述水槽本体内位置最高的第一进水管和所述水槽本体的中心位置在竖直方向的高度差不小于所述被清洗晶圆的半径；

3.如权利要求2所述的晶圆清洗溢流槽，其特征在于，所述水槽本体的顶部侧壁上设置有向外凸起的条形凹槽，用于容纳位于所述第二进水管。

4.如权利要求1所述的晶圆清洗溢流槽，其特征在于，所述进水管上的各个所述喷流孔均为喷射液体的方向均指向所述水槽本体中心区域的水孔结构。

5.如权利要求1所述的晶圆清洗溢流槽，其特征在于，所述进水管上的各个所述喷流孔均至少两个为一组设置；

6.如权利要求1所述的晶圆清洗溢流槽，其特征在于，所述喷流孔为线型喷流孔。

7.如权利要求1所述的晶圆清洗溢流槽，其特征在于，各个所述进水管均和所述水槽本体之间可拆卸的连接。

8.如权利要求1所述的晶圆清洗溢流槽，其特征在于，设置在所述水槽本体的底部的第一进水管的内壁直径大于设置在所述水槽本体的顶部的第二进水管的内壁直径。

9.如权利要求1所述的晶圆清洗溢流槽，其特征在于，所述水槽本体的顶端开口边缘具有v型口。

10.一种晶圆清洗设备，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的晶圆清洗溢流槽。

技术总结
本技术涉及半导体技术领域，具体公开了一种晶圆清洗溢流槽及晶圆清洗设备，晶圆清洗溢流槽包括顶端开口的水槽本体；至少设置在水槽本体的底部和顶部的进水管；且位于水槽本体的顶部的进水管在水槽本体上的高度低于水槽本体的顶端溢出清洗液体的溢水高度；每个进水管上均沿水管长度方向依次排布设置有多个喷流孔；各个进水管均沿设定方向贯穿水槽本体；其中，设定方向为当被清洗晶圆放置于水槽本体内时和被清洗晶圆垂直的方向。本申请中在水槽本体的底部和顶部均设置有进水管，位于水槽本体的底部和顶部的进水管即可同步对晶圆表面进行喷水清洗，保证晶圆整个表面均可以处于稳定的水流场中，提升对晶圆清洗的均匀性和全面性。

技术研发人员：陆佳慧,徐铭,刘大威,黄彧霈
受保护的技术使用者：江苏启微半导体设备有限公司
技术研发日：20230324
技术公布日：2024/1/14