硅料清洗装置的制作方法

本技术属于多晶硅领域，具体而言，涉及硅料清洗装置。

背景技术：

1、电子级多晶硅纯度高达13个9，是制备半导体级晶圆的核心原料。硅单晶制备主要方法有直拉法和区熔法，目前半导体用晶圆主要采用直拉法。近年来为降低生产成本，提高产量，复投法直拉单晶逐渐推广，即在拉直过程中，不断投入硅料，而用于复投的硅料尺寸较小，一般为10mm～30mm，在清洗过程中堆积密实，硅块堆积料内部难以接触清洗液，由此导致清洗不充分。此外，在复投法直拉单晶的过程中，还需使用大尺寸硅料(尺寸一般为80mm～120mm)作为直拉单晶的铺底料，尺寸差异较大的硅料在清洗过程中堆积密度不同，清洗条件也会有差异。

技术实现思路

1、本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出硅料清洗装置。通过采用该装置对硅块进行清洗，可以促使清洗液快速渗透至硅块堆积料表面及内部，提高对硅料清洗的效果和效率。

2、在本实用新型的一个方面，本实用新型提出了一种硅料清洗装置。根据本实用新型的实施例，该清洗装置包括：清洗篮筐，所述清洗篮筐的底板和侧壁围合成容纳区，所述底板上间隔设置有多个第一镂空结构，所述侧壁上间隔设置有多个第二镂空结构；分隔板，所述分隔板设在所述容纳区内且将所述容纳区分隔为上下间隔的第一区和第二区，所述分隔板上设有多个第三镂空结构，其中，所述第三镂空结构为条状结构，所述第三镂空结构的延伸方向沿所述分隔板的长度方向设置，所述第三镂空结构的宽度为3mm～8mm，所述第三镂空结构的长度为所述分隔板长度的60％～90％。

3、与现有技术相比，本实用新型中通过在清洗篮筐的底板和侧壁分别设置多个第一镂空结构和第二镂空结构，可以使清洗液在容纳区内快速地流入、流出，增强清洗液的流通效果，提高清洗效率，减少容纳区内以及硅料表面清洗液的残留量，同时，在后续干燥过程中，也有利于增强干燥热风的流通，提高干燥效率；此外，本实用新型中通过设置分隔板，将容纳区分为上下间隔的第一区和第二区，可有效降低硅料尤其是小尺寸硅料的堆积密度，有利于促使清洗液进入硅块堆积料内部，同时通过在分隔板上设置第三镂空结构，可以促使清洗液快速且均匀地与硅块堆积料充分接触、流通，提高对硅料的清洗效率和效果，增加清洗过程中可能产生的热量的传递和散热，避免局部热量过高导致硅料表面产生酸斑，影响硅料的表观性能；进一步地，本实用新型通过控制第三镂空结构的宽度为3mm～8mm，不仅可以使清洗液顺利且快速地通过分隔板，增强清洗液流动性，提高清洗效果和效率，还能够防止硅料从第三镂空结构中掉落以及硅料在不同分隔区之间的窜动，有效避免硅料表面因相互碰撞而产生损伤，或增大硅料的堆积密度，影响硅料的清洗效果和表观质量；另外，本实用新型通过控制第三镂空结构的延伸方向沿分隔板的长度方向，且第三镂空结构的长度为分隔板长度的60％～90％，可以在保证支撑板支撑强度的同时，进一步增强清洗液在硅块堆积料内部的流动，提高对硅料尤其是小尺寸硅料的清洗效果。

4、另外，根据本实用新型上述实施例的硅料清洗装置还可以具有如下附加的技术特征：

5、任选地，所述分隔板平行于所述清洗篮筐的底板设置。

6、任选地，包括多个所述分隔板，所述多个分隔板沿所述清洗篮筐的高度方向间隔布置。

7、任选地，相连两个分隔板的间距为40mm～60mm。

8、任选地，所述分隔板与所述清洗篮筐可拆卸连接。

9、任选地，所述分隔板在所述底板所在平面的上的投影面积不大于所述底板的面积。

10、任选地，所述第三镂空结构在所述底板上的投影面积为所述分隔板在所述底板上投影面积的10％～80％。

11、任选地，所述第二镂空结构为条状结构，所述第二镂空结构的延伸方向沿所述清洗装置的高度方向设置，所述第二镂空结构的宽度为3mm～8mm，所述第二镂空结构的长度为所述侧壁高度的60％～90％，所述第二镂空结构在所述侧壁表面的面积占比为50％～80％。

12、任选地，所述第一镂空结构为条状结构，所述第一镂空结构的延伸方向沿所述清洗装置的长度方向设置，所述第一镂空结构的宽度为3mm～8mm，所述第一镂空结构的长度为所述底板长度的60％～90％，所述第一镂空结构在所述底板表面的面积占比为50～80％。

13、任选地，所述清洗篮筐和所述分隔板的材质分别独立地为pvdf和/或pfa。

14、任选地，所述清洗篮筐的长度为300mm～550mm、宽度为250mm～350mm、高度为35mm～120mm。

15、任选地，所述分隔板、所述侧壁和所述底板的厚度分别独立地为8mm～12mm。

16、本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

技术特征：

1.一种硅料清洗装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述分隔板平行于所述清洗篮筐的底板设置。

3.根据权利要求2所述的清洗装置，其特征在于，包括多个所述分隔板，所述多个分隔板沿所述清洗篮筐的高度方向间隔布置。

4.根据权利要求3所述的清洗装置，其特征在于，相连两个分隔板的间距为40mm～60mm。

5.根据权利要求1或4所述的清洗装置，其特征在于，所述分隔板与所述清洗篮筐可拆卸连接。

6.根据权利要求1或4所述的清洗装置，其特征在于，所述分隔板在所述底板所在平面的上的投影面积不大于所述底板的面积。

7.根据权利要求6所述的清洗装置，其特征在于，所述第三镂空结构在所述底板上的投影面积为所述分隔板在所述底板上投影面积的10％～80％。

8.根据权利要求7所述的清洗装置，其特征在于，所述第二镂空结构为条状结构，所述第二镂空结构的延伸方向沿所述清洗装置的高度方向设置，所述第二镂空结构的宽度为3mm～8mm，所述第二镂空结构的长度为所述侧壁高度的60％～90％，所述第二镂空结构在所述侧壁表面的面积占比为50％～80％。

9.根据权利要求7所述的清洗装置，其特征在于，所述第一镂空结构为条状结构，所述第一镂空结构的延伸方向沿所述清洗装置的长度方向设置，所述第一镂空结构的宽度为3mm～8mm，所述第一镂空结构的长度为所述底板长度的60％～90％，所述第一镂空结构在所述底板表面的面积占比为50～80％。

10.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，满足下列条件中的至少之一：

技术总结
本技术公开了硅料清洗装置。该硅料清洗装置包括清洗篮筐和分隔板，清洗篮筐的底板和侧壁围合成容纳区，底板上间隔设置有多个第一镂空结构，侧壁上间隔设置有多个第二镂空结构；分隔板设在容纳区内且将容纳区分隔为上下间隔的第一区和第二区，分隔板上设有多个第三镂空结构，其中，第三镂空结构为条状结构，第三镂空结构的延伸方向沿分隔板的长度方向设置，第三镂空结构的宽度为3mm～8mm，第三镂空结构的长度为分隔板长度的60％～90％。通过采用该装置对硅块进行清洗，可以促使清洗液快速渗透至硅块堆积料表面及内部，提高对硅料清洗的效果和效率。

技术研发人员：张天雨,田新,蒋文武,吴鹏,闫家强
受保护的技术使用者：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
技术研发日：20230425
技术公布日：2024/1/15