本技术涉及半导体制造设备领域,特别涉及一种半导体清洗设备。
背景技术:
1、通过光刻可将预先设计的图案转移至晶圆或基板上,从而在晶圆或基板上形成半导体结构。其中,在光刻制程中,光刻胶作为掩膜,完成对晶圆或基板非蚀刻区域的保护后,要将光刻胶洗净,避免残留的光刻胶影响后续的半导体制程。
2、为洗净光刻胶,常使用多种混合化学药液清洗半导体结构的表面,而在清洗制程中,衬底表面常出现离子残留,导致半导体结构出现缺陷,进而影响到半导体的制程良率。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种半导体清洗设备,能够提升对待清洗件的清洗效果,并提升半导体制程良率。
2、为解决上述技术问题,本实用新型是通过以下技术方案实现的:
3、本实用新型提供一种半导体清洗设备,至少包括:
4、汇流筒;
5、支撑台,设置在所述汇流筒内,所述支撑台和所述汇流筒同轴排布;
6、转动结构,连接于所述支撑台,允许所述转动结构带动所述支撑台自转;
7、升降结构,连接于所述支撑台,允许所述升降结构带动所述支撑台沿所述汇流筒的轴向移动;以及
8、复合喷枪,安装在所述汇流筒上,所述复合喷枪包括多个喷淋管,且所述喷淋管的管口朝向所述支撑台的台面。
9、在本实用新型一实施例中,所述支撑台上固定有多个吸附盘,所述吸附盘表面放置待清洗件。
10、在本实用新型一实施例中,所述支撑台内安装有通气管,所述通气管贯穿所述支撑台,且所述通气管的出气端朝向所述待清洗件的背侧。
11、在本实用新型一实施例中,所述汇流筒的筒壁上设置有多个流道,所述流道与所述支撑台的表面平行,且多个所述流道平行分布。
12、在本实用新型一实施例中,切换所述喷淋管时,允许所述吸附盘移动至对应的所述流道内。
13、在本实用新型一实施例中,所述流道包括汇流板,所述汇流板固定在所述汇流筒的筒壁上,且所述汇流板环绕分布在所述支撑台外部。
14、在本实用新型一实施例中,所述汇流板包括斜坡段,所述斜坡段靠近所述支撑台,且所述斜坡段靠近所述支撑台的一端高于远离所述支撑台的一端。
15、在本实用新型一实施例中,所述汇流板包括收集段,所述收集段连接于所述斜坡段和所述汇流筒,且所述收集段的坡度小于所述斜坡段的坡度。
16、在本实用新型一实施例中,所述流道包括挡板,所述挡板固定在所述汇流板上,且所述挡板分隔所述收集段和所述斜坡段。
17、在本实用新型一实施例中,所述喷淋管上安装有电磁阀,所述电磁阀电性连接于控制台。
18、如上所述,本实用新型提供了一种半导体清洗设备,能够清洗去除半导体结构表面的制程残留物,清洗过程能够保护半导体结构不受损,且清洗液不易回流聚集在半导体基板的背侧,不会对半导体结构造成缺陷。根据本实用新型的半导体清洗设备,能高效去除半导体结构表面的制程残留物,在多种化学试剂的切换过程中,能保证半导体结构表面的化学试剂膜不出现断层,能够避免粒子粘结在半导体结构表面,导致半导体结构缺陷。根据本实用新型提供的半导体清洗设备,能够提升对半导体结构清洗的良率。
19、当然,实施本实用新型的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
1.一种半导体清洗设备,其特征在于,至少包括:
2.根据权利要求1所述的一种半导体清洗设备,其特征在于,所述支撑台上固定有多个吸附盘,所述吸附盘表面放置待清洗件。
3.根据权利要求2所述的一种半导体清洗设备,其特征在于,所述支撑台内安装有通气管,所述通气管贯穿所述支撑台,且所述通气管的出气端朝向所述待清洗件的背侧。
4.根据权利要求3所述的一种半导体清洗设备,其特征在于,所述汇流筒的筒壁上设置有多个流道,所述流道与所述支撑台的表面平行,且多个所述流道平行分布。
5.根据权利要求4所述的一种半导体清洗设备,其特征在于,切换所述喷淋管时,允许所述吸附盘移动至对应的所述流道内。
6.根据权利要求4所述的一种半导体清洗设备,其特征在于,所述流道包括汇流板,所述汇流板固定在所述汇流筒的筒壁上,且所述汇流板环绕分布在所述支撑台外部。
7.根据权利要求6所述的一种半导体清洗设备,其特征在于,所述汇流板包括斜坡段,所述斜坡段靠近所述支撑台,且所述斜坡段靠近所述支撑台的一端高于远离所述支撑台的一端。
8.根据权利要求7所述的一种半导体清洗设备,其特征在于,所述汇流板包括收集段,所述收集段连接于所述斜坡段和所述汇流筒,且所述收集段的坡度小于所述斜坡段的坡度。
9.根据权利要求8所述的一种半导体清洗设备,其特征在于,所述流道包括挡板,所述挡板固定在所述汇流板上,且所述挡板分隔所述收集段和所述斜坡段。
10.根据权利要求1所述的一种半导体清洗设备,其特征在于,所述喷淋管上安装有电磁阀,所述电磁阀电性连接于控制台。