本技术涉及多晶硅生产废水处理回收,特别涉及一种多晶硅生产废水的处理回收系统。
背景技术:
1、电子级多晶硅是集成电路的关键基础材料,其使用改良西门子法生产,生产过程中会产生大量的清洗废水,其中含有大量的单质硅,具体的:1、多晶硅生产过程中需要用高纯水对反应设备、管道和反应釜等进行定期清洗,以去除在产品硅棒生产过程中附着在上述设备、管道和反应釜内壁上的不定型硅粉;2、在后处理清洗工序,会对破碎后的硅块进行冲洗;由于破碎过程会产生微细硅粒、硅粉,会影响产品质量,需要用高纯水将破碎后硅块表面的硅粉清除干净,以减少对后续程序的污染。且由于大部分硅粉粒径较小(d50=0.5μm),在废液中处于悬浮状态,难以通过沉降过滤。因此目前只能通过化学絮凝、压滤等方法处理,而其中单质硅被压滤在滤泥中,被当做滤泥进行处理,导致单质硅的浪费,未实现单质硅本身价值,同时增加了滤泥的处理成本等问题。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种连接结构简单,增加了企业经济效益,且避免了单质硅浪费的多晶硅生产废水的处理回收系统。
2、本实用新型由如下技术方案实施:本专利的目的提供一种多晶硅生产废水的处理回收系统,其包括废水管线、吸附树脂储料装置、碱液管线、吸附池、压滤机、后处理系统、盐酸管线、脱附池和离心机;所述废水管线的出水端、所述吸附树脂储料装置的出料口和所述碱液管线的出液口均与所述吸附池的进口连接;所述吸附池的出液口与所述压滤机的进液口连通,所述压滤机的出水口与所述后处理系统的氟离子沉降池的进水口连通;所述压滤机的滤泥出口和所述盐酸管线的出液端均与所述脱附池的进口连接,所述脱附池的泥浆出口与所述离心机的进泥口连通,所述离心机的树脂出口与所述吸附池的进口连通。
3、进一步的,所述后处理系统包括按照废水处理方向依次连接设置的所述氟离子沉降池、絮凝池、沉淀池、调节池和接触氧化池;石灰乳药箱的出口与所述氟离子沉降池的进药口连通;混凝剂药箱和絮凝剂药箱的出口均与所述絮凝池的进药口连通。
4、进一步的,其还包括污泥暂存池,所述氟离子沉降池和所述沉淀池的污泥出口均与所述污泥暂存池的进口连通。
5、进一步的,在所述接触氧化池内设有曝气器,所述曝气器的进风口与外设的曝气鼓风机的出风口连通。
6、进一步的,在所述吸附池、所述脱附池、所述氟离子沉降池、所述絮凝池和所述调节池内分别设置有搅拌机构。
7、本实用新型的优点:本实用新型连接结构简单,易实现,在对电子级多晶硅生产废水进行常规处理之前,通过树脂吸附硅粉,之后经过压滤得到的滤泥,滤泥与盐酸混合,使硅粉从树脂上解吸,最后经过离心机分离,树脂重新回到吸附池再次吸附废水中的硅粉,分离出的硅泥被回收用于光伏多晶硅制造或者售卖,极大的增加了企业的经济效益,避免了单质硅的浪费;同时,减少了后续污泥的处理成本。
1.一种多晶硅生产废水的处理回收系统,其特征在于,其包括废水管线、吸附树脂储料装置、碱液管线、吸附池、压滤机、后处理系统、盐酸管线、脱附池和离心机;所述废水管线的出水端、所述吸附树脂储料装置的出料口和所述碱液管线的出液口均与所述吸附池的进口连接;所述吸附池的出液口与所述压滤机的进液口连通,所述压滤机的出水口与所述后处理系统的氟离子沉降池的进水口连通;所述压滤机的滤泥出口和所述盐酸管线的出液端均与所述脱附池的进口连接,所述脱附池的泥浆出口与所述离心机的进泥口连通,所述离心机的树脂出口与所述吸附池的进口连通。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产废水的处理回收系统,其特征在于,所述后处理系统包括按照废水处理方向依次连接设置的所述氟离子沉降池、絮凝池、沉淀池、调节池和接触氧化池;石灰乳药箱的出口与所述氟离子沉降池的进药口连通;混凝剂药箱和絮凝剂药箱的出口均与所述絮凝池的进药口连通。
3.根据权利要求2所述的一种多晶硅生产废水的处理回收系统,其特征在于,其还包括污泥暂存池,所述氟离子沉降池和所述沉淀池的污泥出口均与所述污泥暂存池的进口连通。
4.根据权利要求2所述的一种多晶硅生产废水的处理回收系统,其特征在于,在所述接触氧化池内设有曝气器,所述曝气器的进风口与外设的曝气鼓风机的出风口连通。
5.根据权利要求2-4任一所述的一种多晶硅生产废水的处理回收系统,其特征在于,在所述吸附池、所述脱附池、所述氟离子沉降池、所述絮凝池和所述调节池内分别设置有搅拌机构。