专利名称：具有防止污垢堆积和腐蚀能力的半导体废气处理装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种具防止污垢堆积和腐蚀能力的半导体废气处理装置。
背景技术：
目前，在半导体生产制造过程中，均会产生有毒的废气，为了避免该废气对环境造成污染与公害，必须先将该废气内的有害物质进行过滤去除后，才能排入大气中。
在半导体制作车间惯用的解决方式是将半导体过程中产生的废气注入到废气处理槽内，再经废气处理槽下方的通道进入到废气清洗过滤槽内，在清洗过滤槽内首先利用高温迫使废气中的物质发生催化分解作用，使废气分解成无害物质，再借助于废气处理槽下端的喷洒装置将废气中可溶于水的有害物质加以融解，并借助于喷洒装置对高温废气进行冷却，使废气在排出时不会污染环境。
另外，半导体制造车间为了防止在废气处理槽的管壁内发生污垢堆积的现象，采用一种刮除装置对废气处理槽内壁进行刮除操作，以避免在管壁内积叠过多的粉末，从而造成废气处理槽的堵塞。
在实际使用过程中，虽然在高温反应时废气中的大部份有害物质都能够被分解成无害物质，但是废气中的氟、氯碳化物气体会反应成单一氟化气体，该单一氟化气体具有强烈的腐蚀性，并且温度越高，该单一氟化气体的腐蚀性就越强，虽说该单一氟化气体能够溶于水，但是多少还会对管壁造成腐蚀，经过长时间使用后，还是会发生管壁受腐蚀而破裂的现象。
上述刮除装置并无法有效地刮除废气处理槽的管壁内所积叠的粉末，在长时间运转后，还是必需停机进行预防性的清除作业，将附着于废气处理槽内壁上的附著物进行清除，以避免管壁内积叠的粉末，造成废气处理槽的堵塞。
半导体12寸晶圆厂所产生的废气中的氟、氯碳化物的含量比8寸晶圆厂产生废气中的氟、氯碳化物的含量要高出许多，若无法有效地将氟、氯碳化物加以反应排除，在处理12寸晶圆厂所产生的废气时，管壁因受腐蚀而破裂的现象将更加频繁。
因此，如何寻求一种具有较佳防止污垢堆积及防腐蚀能力的装置来处理废气处理槽内壁上的污垢和腐蚀现象，以成为本技术领域中的当务之急。
发明内容
本实用新型急需解决在废气处理槽内壁上发生污垢堆积和对内壁发生腐蚀的现象。
本实用新型中具有防止污垢堆积和腐蚀能力的半导体废气处理装置是针对半导体废气处理设备中的废气处理槽进行设计的，其主要包括有一顶座、一废气处理槽和一导引环。其中，所述废气处理槽组设于顶座的下方，在其中心处设有一反应室，在该反应室的外围形成有一层环状容水室，该容水室具有一入水口和一排水口，并且在该容水室的顶端设有一与反应室相连通的环状溢流槽，在该溢流槽处组设有导引环。
其中，可在所述容水室溢流槽的位置处设有一感应探棒。
同时，也可在所述顶座中心设有一感应探棒，该感应探棒在其周围设有多支氢气喷管和多支废气输送管，并在所述氢气喷管的前端设多个喷火口，以及在喷火口旁设有一点火棒。
另外，还可在该导引环上端延制有一环状的肋片。
本实用新型中的废气处理装置是针封半导体废气处理设备中的废气处理槽所设计的，能借助于高温火焰催化分解废气中的有害物质，同时，在废气反应室的内壁面上形成一道环状水墙，该环状水墙能够隔离废气中的粉末及腐蚀物质，从而避免了粉末及腐蚀物与壁面的接触，进行而解决了半导体制程中的废气处理槽内壁上发生污垢堆积和腐蚀的向题。
下面将结合附图对本实用新型中的具体实施例作进一步详细说明。
图1是本实用新型中处理装置的立体分解图；图2是本实用新型中氢气喷管的剖视示意图；图3是本实用新型中废气输送管的剖视示意图；图4是本实用新型中废气处理槽的局部剖视示意图；图5是本实用新型中导引环的局部剖视示意图；图6是本实用新型中废气处理装置在使用状态时的局部剖视示意图；图7是本实用新型中废气处理装置的另一实施例图。
具体实施方式
本实用新型中具有防止污垢堆积和腐蚀能力的半导体废气处理装置是针封半导体废气处理设备中的废气处理槽进行设计的。如图1所示，该装置主要包括有一顶座1、一废气处理槽2和一导引环3。
如图2和图3所示，顶座1组设于导引环3的上方，并在其中心位置处设有一感应管11，该感应管11在其内部设有一感应探棒111，同时，在感应管11的周围设有多支氢气喷管12和多支废气输送管14。其中，废气输送管14与半导体废气排放管路相连接，氢气喷管12与外界的氢气供应管路相连接，并在该氢气喷管12前端设有多个喷火口121，以及在喷火口121旁组设有一点火棒13(如图2所示)。借助于点火棒13点燃从氢气喷管12的喷火口121处喷出的氢气，使喷火口121能够喷出高温火焰，从而能够对从废气输送管14中排出的废气进行高温催化分解，并利用感应棒111感应反应室21内的反应温度。
废气处理槽2组设于导引环3的下方，在其中心设有一反应室21，并在该反应室21外面包覆有一层环状的容水室22，该容水室22设有一入水口221及一排水口222(如图4所示)，排水口222设于容水室22的底部，入水口221设于排水口222的上方，并与外界水管相通。容水室22在其顶端开设有一环状的溢流槽223，该溢流槽223与反应室21相通(如图5所示)，容水室22又在溢流槽223的位置处设有一感应棒224，该感应棒224用于感应容水室22是否有水4进入。通过入水口221不断地向容水室22内输水，使水4从容水室22底部逐渐漫延至容水室22顶端的溢流槽223，再利用导引环3的导引使水4均匀地分流至整个溢流槽223，并经由在导引环3的环体31与反应室21的壁面211之间形成的间隙5使水4溢流至反应室21内，并在反应室21的壁面211上形成一环状水墙41(如图6所示)。
如图1所示，导引环3是在一环体31上端延制有一环状的肋片32，该导引环3是利用肋片32与顶座1及废气处理构2的法兰盘相结合(如图1所示)，并在肋片32与法兰盘之间设有一垫片，使导引环3的环体31能够被组设于废气处理槽2的溢流槽223的开口位置处(如图5所示)，并在导引环3的环体31与反应室21的壁面211之间形成一间隙5。借助于间隙5使容水室22中的水4能够流入到反应室21内，并在反应室21的壁面211上形成一环状水墙41(如图6所示)。
当使用本实用新型中的废气处理装置时，通过容水室22的入水口221不断地将水输入到容水室22内(如图4所示)，此时，水4会从容水室22的底部逐渐漫延至容水室22顶端的溢流槽223处，利用在溢流槽223的位置设有的感应探棒224来感应容水室22内是否有水4进入，以确保水4能够均匀地分布在整十个环状溢流槽223内，再利用由导引环3的环体31与反应室21的壁面211形成的间隙5流入到反应室21内，使得反应室21在其壁面211上形成一环状的水墙41(如图6所示)。同时，利用点火棒13点燃由氢气喷管12的喷火口121喷出的氢气(如图2所示)，使喷火口121喷出高温火焰。
当生产半导体产生的废气由废气输送管14输入反应室21时(如图3所示)，废气会因受到高温火焰而发生催化反应，使废气中的大部份有害物质被分解燃烧消失，借此来消除废气中占绝大部份的有害物质。
当废气受到高温催化后，大部份有害物质都会因分解而成为无害物质，但是废气中的氟、氯碳化物却会反应成为单一氟化气体，该单一氟化气体具有很强的腐蚀性，并且在温度越高时腐蚀性就越强，但是，这种单一氟化气体具有溶入水的特性。
为此，本实用新型中废气处理装置利用在反应室21壁面211上所形成的环状水墙41使单一氟化气体溶于水中，从而使得单一氟化气体不会附着于反应室21的壁面211上，进而能够避免反应室21的壁面211受到腐蚀。
同时，利用反应室21壁面211上的水墙41(如图6所示)也可以避免废气中的粉末附着于反应室21的壁面211上，进而能够避免在反应室21的壁面211上形成污垢的现象。
另外，利用在反应室21壁面211上的水墙41(如图6所示)还能够在反应室21与反应室21的壁面211间形成一道防护层，借助于由该水墙41形成的防护层进行保护，从而避免反应室21的壁面211直接接触高温并提升至反应室21壁面211所能承受的最高温度。
本实用新型中的废气处理槽2在其中心位置处所设的反应室21也可制成一定的锥度θ，如图7所示，使在反应室21壁面211上的水墙41能够沿着反应室21的维度向下逐渐增加水墙41的厚度，以确保反应室21的壁面211能够受到更完善的保护。
综上所述，本实用新型中的废气处理装置主要是利用容水室顶端与反应室连结处的环状开槽，在反应室壁面上覆盖一层水墙，并利用组设于环状开槽上的导引环，使水能够均匀地覆盖于反应室壁面上，从而能够隔离废气中的粉末及腐蚀物与壁面接触，因此，本实用新型中的废气处理装置不仅能够防止粉末的积叠，而且还能防止管壁受到废气的腐蚀，同时提升了反应室所能承受的反应温度，从而该废气处理装置具有一定的进步性。
上述废气处理装置只是针对两种具体实施例加以详细说明，便不能以此作为本实用新型中废气处理装置的保护范围，凡是依据本申请中的设计精神所作出等效的变化或替代，均应认为落入本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种具有防止污垢堆积和腐蚀能力的半导体废气处理装置，该装置是针对半导体废气处理设备中的废气处理槽进行设计的，其主要包括有一顶座、一废气处理槽和一导引环，其特征在于所述废气处理槽组设于顶座的下方，在其中心处设有一反应室，在该反应室的外围形成有一层环状容水室，该容水室具有一入水口和一排水口，并且在该容水室的顶端设有一与反应室相连通的环状溢流槽，在该溢流槽处组设有导引环。
2.根据权利要求1中所述的废气处理装置，其特征在于所述废气处理槽的反应室具有一锥度。
3.根据权利要求1中所述的废气处理装置，其特征在于在所述容水室溢流槽的位置处设有一感应探棒。
4.根据权利要求1中所述的废气处理装置，其特征在于在所述顶座中心设有一感应探棒。
5.根据权利要求4中所述的废气处理装置，其特征在于在所述感应探棒周围设有多支氢气喷管和多支废气输送管。
6.根据权利要求5中所述的废气处理装置，其特征在于在所述氢气喷管的前端设多个喷火口，并在喷火口旁设有一点火棒。
7.根据权利要求1中所述的废气处理装置，其特征在于在所述导引环上端延制有一环状的肋片。
专利摘要一种具防止污垢堆积和腐蚀能力的半导体废气处理装置,该装置至少包括有一顶座、一废气处理槽及一导引环。首先利用顶座发生的高温火焰对废气进行高温催化分解作用,再利用导引环和废气处理槽的配合,在反应室的壁面上形成一环状水墙,以隔离废气中的粉末及腐蚀性物质,进而防止废气处理槽发生污垢堆积和腐蚀现象。
文档编号B01D53/74GK2487438SQ01226778
公开日2002年4月24日 申请日期2001年7月6日 优先权日2001年7月6日
发明者冯五良 申请人:东服企业有限公司