背景技术:
1、在例如沉积和蚀刻制造半导体所需的各种材料时,典型的半导体工艺将产生排放气体。可能具有作为废物而存在的未发生反应的气体、反应性自由基物质(species)和/或腐蚀性气体、等等,它们在真空下通过半导体加工工具的排放端口排出,它们可以被输送至泵送/减排系统。这些反应性物质、聚合物残留物和副产物以及颗粒可能堵塞和损害泵送/减排系统,并且可能导致工具停工、修理、更换成本以及操作成本的提高。对于半导体制造工业而言,存在对不断提高的工艺良率、晶圆吞吐量和工具正常运行时间的持续关注。
技术实现思路
1.一种捕获过滤器系统,包括:
2.根据权利要求1所述的捕获过滤器系统,进一步包括将所述多个过滤器放置为处理来自所述半导体加工工具的排放线路的废物。
3.根据权利要求2所述的捕获过滤器系统,进一步包括将所述多个过滤器放置在所述半导体加工工具的所述排放线路上并且放置在泵送或减排系统的上游。
4.根据权利要求1所述的捕获过滤器系统,进一步包括被配置为升高所述多个过滤器的操作温度的加热机构。
5.根据权利要求1所述的捕获过滤器系统,进一步包括将所述多个过滤器并行连接,以接收所述气体废物流。
6.根据权利要求1-5中的任一项所述的捕获过滤器系统,其中,所述过滤材料包括用于去除粒子和化学污染物的至少两种材料。
7.根据权利要求1-5中的任一项所述的捕获过滤器系统,其中,所述过滤材料包括具有金属氧化物吸附剂的支撑材料。
8.根据权利要求7所述的捕获过滤器系统,其中,所述多个过滤器从气体废物中去除未发生反应的气体、反应性自由基气体物质和腐蚀性气体。
9.根据权利要求8所述的捕获过滤器系统,其中,所述多个过滤器将废物中的反应性物质转化为惰性和非反应性物质。
10.一种方法,包括:
11.根据权利要求10所述的方法,进一步包括监测通过所述多个过滤器的气体流,其中,所述监测确定何时需要对所述多个过滤器进行替换。
12.根据权利要求10所述的方法,进一步包括对所述多个过滤器中的所述至少一者进行加热,以升高所述多个过滤器中的所述一者的操作温度。
13.根据权利要求10所述的方法,进一步包括从所述气体废物中去除颗粒、未发生反应的气体、反应性物质和腐蚀性气体。
14.根据权利要求13所述的方法,进一步包括将所述废物中的反应性物质转化为惰性和非反应性物质。
15.根据权利要求10-14中的任一项所述的方法,进一步包括将所述多个过滤器放置在所述半导体加工工具的所述排放线路上并且放置在减排系统之前。
16.根据权利要求10-14中的任一项所述的方法,进一步包括对去除的过滤器进行整修或再生,以便重新使用。
17.一种半导体加工系统,包括:
18.根据权利要求17所述的半导体加工系统,进一步包括将所述多个过滤器并行连接,以接收所述排放气体流。
19.根据权利要求17或18所述的半导体加工系统,其中,所述多个过滤器从所述排放气体中去除颗粒、未发生反应的气体、反应性物质和腐蚀性气体。
20.根据权利要求17或18所述的半导体加工系统,进一步包括将所述多个过滤器放置在所述半导体加工工具的排放线路上并且放置在所述减排系统之前。