一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置的制作方法

本技术涉及含氟废水处理，尤其涉及一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置。

背景技术：

1、随着半导体行业的发展，半导体生产量的提升，半导体生产过程中硅片刻蚀，清洗等过程会产生大量的含酸废水和含氟废水。含氟废水在处理过程中，需要使用混凝沉淀装置；

2、目前含氟废水混凝沉淀装置大多采用斜管沉淀池进行沉淀，为了提高含氟废水的处理效率，通常会辅助增加混凝池和絮凝池，但是这种独立设置方法不仅占用面积大，同时增加废水处理成本，缩减经济效益。

技术实现思路

1、本实用新型的目的是解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置。

2、为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置，包括池体，所述池体的外表面一侧固定连接有两个筒体，且两个筒体上下错位设置，两个所述筒体的顶部均固定连接有料筒，两个所述料筒的内壁均安装有均匀落料组件，顶部所述筒体的外表面两侧分别固定互通有进水管和连接管，且进水管与连接管上下错位设置，所述进水管与底部筒体固定互通，两个所述筒体的内部均安装有搅拌组件，两个所述搅拌组件共同安装有驱动组件，底部所述筒体的外表面一侧底部固定连接有固定管，且固定管贯穿池体的外表面延伸至内部，所述固定管的出口处固定连接有挡帽。

3、进一步的，两个所述均匀落料组件均包括料斗，且料斗与料筒之间固定连接，所述料斗的底部中心处固定连接有孔板，所述料斗的外表面固定安装有防水振动电机，因振动电机的工作环境较为潮湿，所以选用防水振动电机，从而保证振动电机的使用寿命。

4、进一步的，两个所述搅拌组件均包括转轴，且转轴垂直贯穿筒体的内部延伸至底部并与转轴之间固定连接，所述转轴的外表面均匀固定安装有多个搅拌棒，且搅拌棒位于筒体的内部，转轴与筒体转动连接处共同安装有机械密封，保证连接处的密封性，避免发生泄漏现象。

5、进一步的，所述驱动组件包括固定板，且固定板与池体的外表面之间固定连接，所述固定板的底部固定安装有驱动电机，所述驱动电机的驱动端固定安装有双带轮，所述双带轮的外表面两侧均设有单带轮，所述双带轮与单带轮之间共同连接有皮带，可以同时驱动两个搅拌组件运行，减少驱动电机的设置，从而降低驱动能耗和制造成本。

6、进一步的，顶部所述料筒的内部设有混凝剂，底部所述料筒的内部设有助凝剂，混凝剂为硫酸亚铁，助凝剂为聚丙烯酰胺，从而有利于含氟废水混凝沉淀。

7、进一步的，所述池体的外表面一侧固定互通有出水管，所述出水管的进水端固定安装有滤网，滤网具有一定过滤作用。

8、进一步的，所述池体的内表面固定安装有斜管层。

9、本实用新型的有益效果：

10、本实用新型在使用时，该半导体行业含氟废水混凝沉淀装置，通过设置筒体、料筒和连接管，采用一体式设计，减少占地面积，从而降低含氟废水处理成本，增加经济效益，再通过设置的搅拌组件和驱动组件，可以对筒体内部废水进行搅拌，从而有利于混凝剂、助凝剂与含氟废水混合，缩减反应时间。

技术特征：

1.一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置，包括池体(1)，其特征在于：所述池体(1)的外表面一侧固定连接有两个筒体(10)，且两个筒体(10)上下错位设置，两个所述筒体(10)的顶部均固定连接有料筒(4)，两个所述料筒(4)的内壁均安装有均匀落料组件，顶部所述筒体(10)的外表面两侧分别固定互通有进水管(3)和连接管(12)，且进水管(3)与连接管(12)上下错位设置，所述进水管(3)与底部筒体(10)固定互通，两个所述筒体(10)的内部均安装有搅拌组件，两个所述搅拌组件共同安装有驱动组件，底部所述筒体(10)的外表面一侧底部固定连接有固定管(14)，且固定管(14)贯穿池体(1)的外表面延伸至内部，所述固定管(14)的出口处固定连接有挡帽(17)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置，其特征在于：两个所述均匀落料组件均包括料斗(11)，且料斗(11)与料筒(4)之间固定连接，所述料斗(11)的底部中心处固定连接有孔板(19)，所述料斗(11)的外表面固定安装有防水振动电机(18)。

3.根据权利要求1所述的一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置，其特征在于：两个所述搅拌组件均包括转轴(7)，且转轴(7)垂直贯穿筒体(10)的内部延伸至底部并与转轴(7)之间固定连接，所述转轴(7)的外表面均匀固定安装有多个搅拌棒(6)，且搅拌棒(6)位于筒体(10)的内部。

4.根据权利要求3所述的一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置，其特征在于：所述驱动组件包括固定板(8)，且固定板(8)与池体(1)的外表面之间固定连接，所述固定板(8)的底部固定安装有驱动电机(13)，所述驱动电机(13)的驱动端固定安装有双带轮(16)，所述双带轮(16)的外表面两侧均设有单带轮(9)，所述双带轮(16)与单带轮(9)之间共同连接有皮带(15)。

5.根据权利要求1所述的一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置，其特征在于：顶部所述料筒(4)的内部设有混凝剂，底部所述料筒(4)的内部设有助凝剂。

6.根据权利要求1所述的一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置，其特征在于：所述池体(1)的外表面一侧固定互通有出水管(5)，所述出水管(5)的进水端固定安装有滤网。

7.根据权利要求1所述的一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置，其特征在于：所述池体(1)的内表面固定安装有斜管层(2)。

技术总结
本技术公开了一种半导体行业含氟废水混凝沉淀装置，包括池体，所述池体的外表面一侧固定连接有两个筒体，且两个筒体上下错位设置，两个所述筒体的顶部均固定连接有料筒，两个所述料筒的内壁均安装有均匀落料组件，顶部所述筒体的外表面两侧分别固定互通有进水管和连接管，且进水管与连接管上下错位设置，所述进水管与底部筒体固定互通，两个所述筒体的内部均安装有搅拌组件。本技术中，通过设置筒体、料筒和连接管，采用一体式设计，减少占地面积，从而降低含氟废水处理成本，增加经济效益，再通过设置的搅拌组件和驱动组件，可以对筒体内部废水进行搅拌，从而有利于混凝剂、助凝剂与含氟废水混合，缩减反应时间。

技术研发人员：吴秀丽,蔡诚,柯永文,于浩,刘海龙,吴秀美,吴伟杰,梁志群
受保护的技术使用者：天津美天水环境科技有限公司
技术研发日：20220715
技术公布日：2024/1/11