一种光刻胶喷嘴清洁装置的制作方法

本申请涉及半导体制造，特别涉及一种光刻胶喷嘴清洁装置。

背景技术：

1、光刻工艺是半导体制造中的一种重要工艺。在光刻工艺中，需要先在晶圆表面均匀涂覆一层光刻胶，晶圆经过曝光后必须经过显影，才能将掩模版上的电路图案显示在晶圆表面。涂胶显影机是实现光刻工艺的主要装置，涂胶显影机通过光刻胶喷嘴将光刻胶喷吐到晶圆表面进行涂覆，如果光刻胶喷嘴长期闲置不做喷吐动作，光刻胶容易在光刻胶喷嘴周围形成结晶颗粒，在后续晶圆进入涂胶腔做高速旋转进行涂覆光刻胶时，结晶颗粒会随着光刻胶一起涂覆到晶圆表面，且在离心力作用下旋成线性缺陷，严重影响产品良率及涂胶显影机的正常运行时间。因此，在对涂胶显影机进行维护保养时，需要对喷嘴上的结晶颗粒进行清洁。

2、然而，由于涂胶显影机具有多层光刻胶喷嘴，每层光刻胶喷嘴又包括多个光刻胶，目前常用的清洁装置并不能实现一次性对一层光刻胶中的多个光刻胶喷嘴进行清洁，而导致清洁效率较低，使得涂胶显影机的维护时间较长。

3、因此，希望提供一种光刻胶喷嘴清洁装置，能够一次性对涂胶显影机的多个光刻胶喷嘴进行清洁，提高清洁效率，缩短涂胶显影机的维护时间。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种光刻胶喷嘴清洁装置，包括主体，所述主体上开设有多个清洁孔，多个所述清洁孔沿所述主体的长度方向等间隔分布，所述主体的至少一端设置有手柄。

2、在一些实施例中，所述清洁孔的深度为2.5cm至4cm。

3、在一些实施例中，相邻两个所述清洁孔的中心距为8mm至10mm。

4、在一些实施例中，所述清洁孔的孔径与光刻胶喷嘴的直径之间的比值为1.67至2.1。

5、在一些实施例中，所述清洁孔的孔径为2mm至2.5mm。

6、在一些实施例中，所述清洁孔的数量为4个至10个。

7、在一些实施例中，所述清洁孔内放置有试管，所述试管的外径与所述清洁孔的孔径适配。

8、在一些实施例中，当所述试管放置于所述清洁孔内时，所述试管的管口高于所述清洁孔的孔口。

9、在一些实施例中，所述试管的长度为2.5cm至4cm。

10、在本申请实施例提供的光刻胶喷嘴清洁装置中，清洁孔可以用于盛放用于清洁光刻胶喷嘴的清洁液或放置用于盛放清洁液的容器(例如，试管)，工作人员通过握住手柄将光刻胶喷嘴清洁装置保持在某一特定位置，使得涂胶显影机位于同一层的多个光刻胶喷嘴能够分别位于多个清洁孔中，从而使得光刻胶喷嘴清洁装置可以同时对涂胶显影机位于同一层的多个光刻胶喷嘴进行清洁，提高了涂胶显影机的光刻胶喷嘴的清洁效率，从而能够缩短涂胶显影机的维护时间。

技术特征：

1.一种光刻胶喷嘴清洁装置，其特征在于，包括主体，所述主体上开设有多个清洁孔，多个所述清洁孔沿所述主体的长度方向等间隔分布，所述主体的至少一端设置有手柄，所述清洁孔的深度为2.5cm至4cm，相邻两个所述清洁孔的中心距为8mm至10mm。

2.根据权利要求1所述的光刻胶喷嘴清洁装置，其特征在于，所述清洁孔的孔径与光刻胶喷嘴的直径之间的比值为1.67至2.1。

3.根据权利要求1所述的光刻胶喷嘴清洁装置，其特征在于，所述清洁孔的孔径为2mm至2.5mm。

4.根据权利要求1所述的光刻胶喷嘴清洁装置，其特征在于，所述清洁孔的数量为4个至10个。

5.根据权利要求1所述的光刻胶喷嘴清洁装置，其特征在于，所述清洁孔内放置有试管，所述试管的外径与所述清洁孔的孔径适配。

6.根据权利要求5所述的光刻胶喷嘴清洁装置，其特征在于，当所述试管放置于所述清洁孔内时，所述试管的管口高于所述清洁孔的孔口。

7.根据权利要求5所述的光刻胶喷嘴清洁装置，其特征在于，所述试管的长度为2.5cm至4cm。

技术总结
本申请提供一种光刻胶喷嘴清洁装置，包括主体，主体上开设有多个清洁孔，多个清洁孔沿主体的长度方向等间隔分布，主体的至少一端设置有手柄。本申请提供的光刻胶喷嘴清洁装置每次可以同时对涂胶显影机同一层的多个光刻胶喷嘴进行清洁，从而能够提高对涂胶显影机上的光刻胶喷嘴的清洁效率，以此缩短对涂胶显影机进行维护的时间。

技术研发人员：陈家柱,覃宇彬,曾以仁,叶勋,姚宏忠,高涛
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司
技术研发日：20230714
技术公布日：2024/5/8