一种PEF处理室

本发明涉及脉冲电场，尤其涉及一种pef处理室。

背景技术：

1、pef(pulsed electric field，脉冲电场)处理室是pef提取系统的重要组成部件，其最基本的功用就是放置被处理物并施加pef。处理室决定了处理容量、场强分布及负载特性等，因此，其设计至关重要。

2、现有处理室通常包括两种材料：导电材料(如不锈钢、铜或铝等)以及绝缘材料(如聚碳酸酯或环氧树脂等)；电极之间的腔室则组成处理区域。常用处理室主要分为静止式和连续式两类；根据电极的形式又可以分为平行板式、同轴式、线圈(或管)式、共场式等；平行板电极处理室是最常见的静止式处理室，可提供较大范围内的均匀电场。

3、但是，本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中，发现上述技术方案至少存在如下技术问题：

4、由于在固体绝缘材料、液体和气体三相交界处，即三相点处，易产生电子发射，引起沿面闪络和局部温度升高，从而损害电极，缩短处理室使用寿命，甚至危及操作人员安全。

技术实现思路

1、本发明旨在解决现有处理室存在的三相点处易引发沿面闪络的技术问题。

2、通过以下技术方案解决上述技术问题：

3、第一方面，一种pef处理室，包括：

4、绝缘支撑件和电极；

5、所述电极包括上电极和下电极；

6、所述绝缘支撑件包括上盖和设于所述下电极上表面的本体，所述下电极、本体和上盖构成一密封腔室；

7、所述上电极包括电极柱和设于所述腔室内的电极板，所述电极柱垂直贯穿所述上盖并与所述电极板固定连接；所述电极板的面积小于所述下电极的面积。

8、优选的，所述本体的材料采用聚四氟乙烯、特氟龙或聚砜。

9、优选的，所述本体的内侧壁上开有槽。

10、优选的，所述上盖的材料采用有机玻璃。

11、优选的，所述上盖与本体之间采用螺栓固定。

12、优选的，所述电极的材料采用耐腐蚀金属、合金材料或惰性材料。

13、优选的，所述电极柱沿所述上盖的垂直方向可移动。

14、优选的，所述电极表面光滑。

15、优选的，所述电极板的边缘为倒圆结构。

16、优选的，所述本体上设有密封圈。

17、有益效果：

18、本发明公开的处理室的上电极的电极板面积小于下电极面积，即电极结构采用的是不对称电极，因此，该处理室的电极与绝缘支撑件之间没有形成三相点，也就避免了三相点处发生电子发射，即解决了现有处理室在三相点处易引发沿面闪络和局部温度升高的技术问题，有利于保护电极，延长处理室使用寿命，同时提高操作人员的安全性，避免发生安全隐患。

技术特征：

1.一种pef处理室，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的pef处理室，其特征在于，所述本体的材料采用聚四氟乙烯、特氟龙或聚砜。

3.根据权利要求2所述的pef处理室，其特征在于，所述本体的内侧壁上开有槽。

4.根据权利要求1所述的pef处理室，其特征在于，所述上盖的材料采用有机玻璃。

5.根据权利要求4所述的pef处理室，其特征在于，所述上盖与本体之间采用螺栓固定。

6.根据权利要求1所述的pef处理室，其特征在于，所述电极的材料采用耐腐蚀金属、合金材料或惰性材料。

7.根据权利要求6所述的pef处理室，其特征在于，所述电极柱沿所述上盖的垂直方向可移动。

8.根据权利要求7所述的pef处理室，其特征在于，所述电极表面光滑。

9.根据权利要求8所述的pef处理室，其特征在于，所述电极板的边缘为倒圆结构。

10.根据权利要求1～8所述的pef处理室，其特征在于，所述本体上设有密封圈。

技术总结
本发明主要涉及脉冲电场技术领域，提供了一种PEF处理室，包括绝缘支撑件和电极；电极包括上电极和下电极；绝缘支撑件包括上盖和设于下电极上表面的本体，下电极、本体和上盖构成一密封腔室；上电极包括电极柱和设于腔室内的电极板，电极柱垂直贯穿上盖并与电极板固定连接；电极板的面积小于下电极的面积。该处理室的电极结构采用的是不对称电极，因此，其电极与绝缘支撑件之间没有形成三相点，避免了三相点处发生电子发射，即解决了现有处理室在三相点处易引发沿面闪络和局部温度升高的技术问题，有利于保护电极，延长处理室使用寿命，同时提高操作人员的安全性，避免发生安全隐患。

技术研发人员：周程
受保护的技术使用者：北京建筑大学
技术研发日：
技术公布日：2024/7/9