一种泡沫镍基料带的上浆工艺及一种泡沫镍基料带的制作方法

文档序号:40024847发布日期:2024-11-19 13:56阅读:8来源:国知局
一种泡沫镍基料带的上浆工艺及一种泡沫镍基料带的制作方法

本发明属于极片制备,具体为一种泡沫镍基料带的上浆工艺及一种泡沫镍基料带。


背景技术:

1、泡沫镍是一种具有多孔结构的金属材料,广泛应用于多个领域,它由镍粉或镍合金通过特定的工艺制成,具有高孔隙率和轻质特性。泡沫镍的密度较低,但仍保持良好的机械强度,适合需要轻量化的应用,在应用方面,泡沫镍常用于电池和燃料电池的电极材料,尤其是在锂离子电池中,因其良好的导电性和大比表面积。此外,它还可以作为基带制作极片料带。

2、cn202020445133.0公开了一种汽车配件、摩托车配件、卫浴配件及塑料/金属小配件的涂装自动化领域,特别涉及一种平面转垂直输送烘干炉装置,解决了设备空间结构优化问题。至少包括运送产品与工件的托盘,带动托盘进行输送的飞靶,在相对横向上输送托盘的进出料平面输送机,更改托盘输送方向的转件升降输送机,在相对纵向上输送托盘的垂直输送机,与托盘进料相反方向进行输送的返件平面输送机,对产品及工件进行加热的烘干炉,在特定工位上感应托盘位置的定位装置,节省设备占用空间;此烘干炉结构充分利用热效率,热量流失量小,节省热能。

3、上述的技术方案是针对汽车配件等配件的涂装,通过利用垂直输送机将托盘输送至烘干炉,可以作为泡沫镍的生产借鉴,由于泡沫镍基料带是在上浆之后再进行烘干,但是上述技术方案的烘干炉是水平布置的,那么泡沫镍基料带在烘干过程中,浆料在重力的作用下就会向下流动,而导致覆盖在泡沫镍基料带上表面和下表面的浆料形成一定的厚度差,泡沫镍基料带宽度方向各点经烘干后形成的浆料厚度差异较大,影响泡沫镍基料带的性能。

4、如果需要避免这个问题,就需要将烘干方式改成垂直烘干,垂直烘干的方式可以使得泡沫镍基料带上的浆料沿泡沫镍基料带的长度方向移动,确保泡沫镍基料带宽度方向各点经烘干后形成的浆料厚度均匀;但是实际生产中泡沫镍基料带的长度较长,垂直烘干的烘干炉不能完全将泡沫镍基料带烘干,难以得到完好的成品。


技术实现思路

1、本发明的目的在于解决上述问题,提供了一种泡沫镍基料带的上浆工艺,该工艺通过将第一烘干炉和第二烘干炉垂直布置,在泡沫镍基料带垂直输送的过程中,让烘干炉能够进行垂直式烘干,能够完全烘干泡沫镍基料带并且避免了浆料因重力而在输送的过程中流动导致泡沫镍基料带上浆料覆盖均匀度差的问题,在此基础上通过控制泡沫镍基料带经第一烘干炉烘干后的水分含量,解决了泡沫镍基料带输送的过程中泡沫镍基料带粘在输送辊上的问题,这样就无需将粘在输送辊的泡沫镍基料带进行处理,从而确保了泡沫镍基料带的完整。此外,本发明还提供了采用该工艺制备的泡沫镍基料带。

2、为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

3、一种泡沫镍基料带的上浆工艺,泡沫镍基料带的长度至少为450m,工艺涉及上浆槽、第一烘干炉、输送辊和第二烘干炉,第一烘干炉和第二烘干炉垂直布置,工艺具体为:

4、泡沫镍基料带在上浆槽上浆后,使泡沫镍基料带经第一烘干炉烘干再通过输送辊运送至第二烘干炉内将水分烘干,其中泡沫镍基料带经第一烘干炉后泡沫镍基料带的水分含量为第一水分含量,第一水分含量为5~10wt%。

5、其中,第一水分含量可以为5wt%、6wt%、7wt%、8wt%、9wt%、10wt%,但并不限于所列举的数值,在本数值范围内的其它未列举的数值均适用。

6、在上述的一种泡沫镍基料带的上浆工艺中,泡沫镍基料带经过第一烘干炉的输送速度为1.5m/min~10m/min,包括但不限于1.5m/min、6m/min、10m/min。

7、在上述的一种泡沫镍基料带的上浆工艺中,第一烘干炉的高度为5m~7m,且温度为100℃~150℃。

8、其中,第一烘干炉的高度可以采用5m、6m、7m,但并不限于所列举的数值,在本数值范围内的其它未列举的数值均适用。

9、第一烘干炉的温度可以采用100℃、110℃、120℃、130℃、140℃、150℃,但并不限于所列举的数值,在本数值范围内的其它未列举的数值均适用。

10、在上述的一种泡沫镍基料带的上浆工艺中,上浆的材料为氢氧化镍浆料。

11、其中,上浆的材料为含量78wt%氢氧化镍的浆料。

12、在上述的一种泡沫镍基料带的上浆工艺中,泡沫镍基料带经第二烘干炉烘干至泡沫镍基料带的水分含量为第二水分含量,第二水分含量为2~4wt%,包括但不限于2wt%、3wt%、4wt%。

13、在上述的一种泡沫镍基料带的上浆工艺中,第二烘干炉的高度为4~6m,且温度为120℃~150℃。

14、其中,第二干炉的高度可以采用4m、5m、6m,但并不限于所列举的数值,在本数值范围内的其它未列举的数值均适用。

15、第二烘干炉的温度可以采用120℃、130℃、140℃、150℃,但并不限于所列举的数值,在本数值范围内的其它未列举的数值均适用。

16、在上述的一种泡沫镍基料带的上浆工艺中,本工艺还涉及用于放送泡沫镍基料带的放卷装置,放卷装置包括放卷轮、至少一个张紧机构和用于驱动放卷轮转动的第一电机,泡沫镍基料带从放卷轮放送并绕过张紧机构后进入上浆槽进行上浆。

17、在上述的一种泡沫镍基料带的上浆工艺中,本工艺还涉及用于将上浆后的泡沫镍基料带进行牵引使其穿过第一烘干炉的牵引装置,牵引装置包括设置在第一烘干炉炉顶的第一固定架、用于固定泡沫镍基料带的日字扣,第一固定架上设置有第二电机、定滑轮和收卷轮,定滑轮和收卷轮分别上下布置,定滑轮和收卷轮均为两个;

18、每个收卷轮上均绕设有牵引带,两条牵引带均与日字扣连接,第二电机通过驱动收卷轮的转动以使牵引带实现收放;

19、第一固定架上还设有与定滑轮对应的张力辊,张力辊用于将牵引带压紧在定滑轮上。

20、在上述的一种泡沫镍基料带的上浆工艺中,输送辊包括设置在第一炉顶上的托辊、设置在第二炉顶上的第二固定架,第二固定架上设有转动辊、位于转动辊上方的气缸以及用于驱动转动辊转动的第三电机,托辊和转动辊平行布置;

21、气缸的输出端设有压辊,气缸用于驱动压辊下行以将泡沫镍基料带压紧在转动辊上。

22、同时,本发明还提供了一种泡沫镍基料带,采用如上的泡沫镍基料带的上浆工艺制备。

23、与现有技术相比,本发明的有益效果是:

24、本发明中,通过将第一烘干炉和第二烘干炉垂直布置,在泡沫镍基料带垂直输送的过程中,让烘干炉能够进行垂直式烘干,避免了浆料因重力而在输送的过程中流动导致泡沫镍基料带上浆料覆盖均匀度差的问题,并且解决了泡沫镍基料带输送的过程中泡沫镍基料带粘在输送辊上的情况,这样就无需将粘在输送辊的泡沫镍基料带进行处理,从而确保了泡沫镍基料带的完整。



技术特征:

1.一种泡沫镍基料带的上浆工艺,所述泡沫镍基料带的长度至少为450m,其特征在于,所述工艺涉及上浆槽、第一烘干炉、输送辊和第二烘干炉,所述第一烘干炉和第二烘干炉垂直布置,所述工艺具体为:

2.根据权利要求1所述的一种泡沫镍基料带的上浆工艺,其特征在于,泡沫镍基料带经过第一烘干炉的输送速度为1.5m/min~10m/min。

3.根据权利要求2所述的一种泡沫镍基料带的上浆工艺,其特征在于,所述第一烘干炉的高度为5m~7m,且温度为100℃~150℃。

4.根据权利要求1所述的一种泡沫镍基料带的上浆工艺,其特征在于,上浆的材料为氢氧化镍浆料。

5.根据权利要求1所述的一种泡沫镍基料带的上浆工艺,其特征在于,泡沫镍基料带经第二烘干炉烘干至泡沫镍基料带的水分含量为2~4wt%。

6.根据权利要求1所述的一种泡沫镍基料带的上浆工艺,其特征在于,所述第二烘干炉的高度为4~6m,且温度为120℃~150℃。

7.根据权利要求1所述的一种泡沫镍基料带的上浆工艺,其特征在于,所述工艺还涉及用于放送泡沫镍基料带的放卷装置,所述放卷装置包括放卷轮、至少一个张紧机构和用于驱动放卷轮转动的第一电机,泡沫镍基料带从所述放卷轮放送并绕过张紧机构后进入上浆槽进行上浆。

8.根据权利要求1所述的一种泡沫镍基料带的上浆工艺,其特征在于,所述工艺还涉及用于将上浆后的泡沫镍基料带进行牵引使其穿过第一烘干炉的牵引装置,所述牵引装置包括设置在第一烘干炉炉顶的第一固定架、用于固定泡沫镍基料带的日字扣,所述第一固定架上设置有第二电机、定滑轮和收卷轮,所述定滑轮和收卷轮分别上下布置,所述定滑轮和收卷轮均为两个;

9.根据权利要求8所述的一种泡沫镍基料带的上浆工艺,其特征在于,所述输送辊包括设置在第一炉顶上的托辊、设置在第二炉顶上的第二固定架,所述第二固定架上设有转动辊、位于转动辊上方的气缸以及用于驱动转动辊转动的第三电机,所述托辊和转动辊平行布置;

10.一种泡沫镍基料带,其特征在于,采用如权利要求1~9任一所述的泡沫镍基料带的上浆工艺制备。


技术总结
本发明属于极片制备技术领域,提供了一种泡沫镍基料带的上浆工艺,所述泡沫镍基料带的长度至少为450m,所述工艺涉及上浆槽、第一烘干炉、输送辊和第二烘干炉,所述第一烘干炉和第二烘干炉垂直布置,所述工艺具体为:泡沫镍基料带在上浆槽上浆后,使泡沫镍基料带经第一烘干炉烘干再通过输送辊运送至第二烘干炉内将水分烘干,其中泡沫镍基料带经第一烘干炉后泡沫镍基料带的水分含量为5~10wt%。本发明中,通过将泡沫进行垂直式烘干,解决因重力而在输送的过程中流动导致泡沫镍基料带上浆料覆盖均匀度差的问题,并且解决了泡沫镍基料带输送的过程中泡沫镍基料带粘在输送辊上的情况,确保了泡沫镍基料带生产过程中的完整。此外,本发明还提供了采用该工艺制备的泡沫镍基料带。

技术研发人员:郑红烨,陈文英,周旺发,郭迅,刘德明,欧阳云飞
受保护的技术使用者:先导薄膜材料(广东)有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/11/18
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