一种硅晶体沫子料除轻杂装置及方法与流程

本发明属于硅料除杂，尤其是涉及一种硅晶体沫子料除轻杂装置及方法。

背景技术：

1、在太阳能光伏和半导体材料制造业，硅晶体作为原料在分级和周转的过程中易产生1-3mm的硅晶体沫子料。硅晶体沫子料作为原料使用时，需要进行除杂。在现有技术中，多采用人工清洗来去除轻杂，但硅晶体沫子料中的轻杂很不容易去除，除杂效果不理想，且除杂效率较低，影响产品质量。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题，本发明提供一种硅晶体沫子料除轻杂装置及方法，有效解决了硅晶体沫子料除轻杂效率较低，除杂效果不理想的问题，克服了现有技术的不足。

2、本发明采用的技术方案是：一种硅晶体沫子料除轻杂装置，包括：振动上料装置和溢流清洗装置，所述振动上料装置将硅晶体沫子料放置在所述溢流清洗装置内，所述溢流清洗装置对所述硅晶体沫子料进行除轻杂。

3、进一步，所述溢流清洗装置包括溢流槽和传送带，所述传送带一端浸入在所述溢流槽内，用于接收所述硅晶体沫子料，另外一端设置在所述溢流槽外，将除轻杂后的所述硅晶体沫子料输送至所述溢流槽外。

4、进一步，所述传送带倾斜设置，设置在所述溢流槽外的一端高于浸入所述溢流槽内的一端，使位于所述溢流槽内的所述传送带部分设于所述溢流槽的液面上方。

5、进一步，位于所述溢流槽内液面上方的传送带上方设有第一喷淋头和第二喷淋头，沿所述传送带的传送方向依次设置。

6、进一步，所述溢流槽的一侧设有过滤槽，用于过滤轻杂，形成循环水给所述第一喷淋头供水。

7、进一步，所述过滤槽远离所述溢流槽的一侧设有循环水槽，所述循环水槽与所述过滤槽的底部连接，用于储存所述循环水给所述第一喷淋头供水。

8、进一步，所述传送带设置在所述溢流槽外的一端下方设有下料喷头，用于将除杂后的所述硅晶体沫子料与所述传送带分离。

9、一种硅晶体沫子料除轻杂的方法，采用如上所述的一种硅晶体沫子料除轻杂装置，步骤包括：

10、振动上料，采用所述振动上料装置对所述硅晶体沫子料进行上料；

11、溢流清洗，采用所述溢流清洗装置对所述硅晶体沫子料进行除轻杂。

12、进一步，所述溢流清洗包括溢流除杂，所述溢流清洗装置包括溢流槽和传送带，所述传送带一端浸入在所述溢流槽内，另外一端设置在所述溢流槽外，设置在所述溢流槽外的一端高于浸入所述溢流槽内的一端，使位于所述溢流槽内的所述传送带部分设于所述溢流槽的液面上方，所述振动上料装置将所述硅晶体沫子料放置在所述传送带浸入所述溢流槽内的一端进行除杂，所述传送带将除杂后的所述硅晶体沫子料移出所述溢流槽的液面。

13、进一步，所述溢流清洗还包括喷淋冲杂，位于所述溢流槽内液面上方的传送带上方沿所述传送带的传送方向依次设有第一喷淋头和第二喷淋头，所述硅晶体沫子料完成所述步骤溢流除杂后移出所述溢流槽的液面，所述第一喷淋头和第二喷淋头依次对所述硅晶体沫子料进行冲杂。

14、本发明具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，实现了硅晶体沫子料自动化除轻杂，提高了除杂效率，保证了除杂效果和产品质量，结构简单，操作便捷。

技术特征：

1.一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于，包括：振动上料装置和溢流清洗装置，所述振动上料装置将硅晶体沫子料放置在所述溢流清洗装置内，所述溢流清洗装置对所述硅晶体沫子料进行除轻杂。

2.根据权利要求1所述的一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于：所述溢流清洗装置包括溢流槽和传送带，所述传送带一端浸入在所述溢流槽内，用于接收所述硅晶体沫子料，另外一端设置在所述溢流槽外，将除轻杂后的所述硅晶体沫子料输送至所述溢流槽外。

3.根据权利要求2所述的一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于：所述传送带倾斜设置，设置在所述溢流槽外的一端高于浸入所述溢流槽内的一端，使位于所述溢流槽内的所述传送带部分设于所述溢流槽的液面上方。

4.根据权利要求3所述的一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于：位于所述溢流槽内液面上方的传送带上方设有第一喷淋头和第二喷淋头，沿所述传送带的传送方向依次设置。

5.根据权利要求4所述的一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于：所述溢流槽的一侧设有过滤槽，用于过滤轻杂，形成循环水给所述第一喷淋头供水。

6.根据权利要求5所述的一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于：所述过滤槽远离所述溢流槽的一侧设有循环水槽，所述循环水槽与所述过滤槽的底部连接，用于储存所述循环水给所述第一喷淋头供水。

7.根据权利要求2-6任一所述的一种硅晶体沫子料除轻杂装置，其特征在于：所述传送带设置在所述溢流槽外的一端下方设有下料喷头，用于将除杂后的所述硅晶体沫子料与所述传送带分离。

8.一种硅晶体沫子料除轻杂的方法，其特征在于，采用如权利要求1-7任一项所述的一种硅晶体沫子料除轻杂装置，步骤包括：

9.根据权利要求8所述的一种硅晶体沫子料除轻杂的方法，其特征在于：所述溢流清洗包括溢流除杂，所述溢流清洗装置包括溢流槽和传送带，所述传送带一端浸入在所述溢流槽内，另外一端设置在所述溢流槽外，设置在所述溢流槽外的一端高于浸入所述溢流槽内的一端，使位于所述溢流槽内的所述传送带部分设于所述溢流槽的液面上方，所述振动上料装置将所述硅晶体沫子料放置在所述传送带浸入所述溢流槽内的一端进行除杂，所述传送带将除杂后的所述硅晶体沫子料移出所述溢流槽的液面。

10.根据权利要求9所述的一种硅晶体沫子料除轻杂的方法，其特征在于：所述溢流清洗还包括喷淋冲杂，位于所述溢流槽内液面上方的传送带上方沿所述传送带的传送方向依次设有第一喷淋头和第二喷淋头，所述硅晶体沫子料完成所述步骤溢流除杂后移出所述溢流槽的液面，所述第一喷淋头和第二喷淋头依次对所述硅晶体沫子料进行冲杂。

技术总结
本发明提供一种硅晶体沫子料除轻杂装置，包括：振动上料装置和溢流清洗装置，所述振动上料装置将硅晶体沫子料放置在所述溢流清洗装置内，所述溢流清洗装置对所述硅晶体沫子料进行除轻杂。本发明还提供一种硅晶体沫子料除轻杂的方法，包括振动上料和溢流清洗。本发明的有益效果是实现了硅晶体沫子料自动化除轻杂，提高了除杂效率，保证了除杂效果和产品质量，结构简单，操作便捷。

技术研发人员：樊国庆,赵子龙,张红霞,李日升,胡亚超,张晶慧,邢昺玥
受保护的技术使用者：内蒙古中环晶体材料有限公司
技术研发日：
技术公布日：2025/1/2