用于微机电系统器件的有源侧向力粘滞自恢复的制作方法
【专利摘要】本发明涉及用于微机电系统器件的有源侧向力粘滞自恢复。提供了通过施加正交于粘滞力的力从MEMS器件中的与粘滞相关的事件恢复的机制。施加正交于粘滞力的矢量的弱力可以比施加平行于粘滞力的矢量的力更容易释放被阻塞的检测质量块。示例实施例提供了垂直的平行板(510,520)或梳指状侧向致动器(610,620)以施加正交力。另选实施例提供了第二换能器(710)的检测质量块(720)来碰撞被阻塞的MEMS致动器以释放粘滞。
【专利说明】用于微机电系统器件的有源侧向力粘滞自恢复
【技术领域】
[0001]本公开总体涉及微机电系统的使用，而且更具体说，涉及通过使用正交于粘滞力(stict1n force)的作用力从MEMS器件中的粘滞事件(stict1n event)中恢复。
【背景技术】
[0002]微机电系统(MEMS)器件是提供了移动部件的器件，所述移动部件具有低于100微米尺寸的特征。这些移动部件是使用微加工技术形成的。MEMS器件具有孔、腔、通道、悬臂、薄膜等等。这些器件通常是基于硅材料的并且使用多种技术以形成适当的物理结构并且释放机械结构以进行运动。
[0003]粘滞是静态的摩擦力，其是典型的MEMS器件的反复出现的问题。虽然没有滑动地相互挤压的任何固态物体需要一定阈值的力(粘滞)来克服静内聚力，生成所述力的机制对于MEMS器件来说是不同的。当面积低于微米级别的两个表面极为接近的时候，由于静电和/或范德华力，表面可能粘附在一起。此等级的粘滞力可能还与与氢键结合或表面上的残留污染物相关联。
[0004]对于MEMS器件(例如加速计)，表面(例如超程限位(over-travel stops))在使用期间，在器件设计的极限处达到极为接近或接触。在这些情况下，粘滞力会导致MEMS器件部件(例如，跷跷板加速计机构)在某个位置冻结，并且变得无法使用。避免这种极为接近的移动或接触的传统方法包括增加弹簧弹性系数和增加MEMS器件的部件之间的距离。但以这种方式避免粘滞会减小器件的灵敏度，并且因此降低MEMS器件的效用。因此，期望提供用于从MEMS器件的与粘滞相关的相互作用中恢复，而没有减小MEMS器件的灵敏度的机制。
【专利附图】
【附图说明】
[0005]通过参考附图，本发明可以被更好的理解，并且使得其多个目的、特征，以及优点对本领域技术人员来说是明显的。
[0006]图1是示出本领域已知的跷跷板加速计的截面图的简化结构图。
[0007]图2是示出在制作阶段期间在MEMS加速计的末端的行程限位区域(travel stopreg1n)的近摄截面图的简化结构图。
[0008]图3是示出在图2所示的制作阶段之后的制作阶段期间的行程限位区域的截面图的简化结构图。
[0009]图4是示出了在加速计的使用期间的行程限位区域的截面图的简化结构图。
[0010]图5是根据本发明的一个实施例的跷跷板加速计组件500的平面图，所述组件包括用于施加正交于粘滞力的静电力的部件。
[0011]图6是根据本发明的一个实施例的跷跷板加速计组件600的平面图，所述组件包括用于施加正交于粘滞力的静电力的另选方法。
[0012]图7是加速计组件的平面图，所述组件包括了用于测量在Z方向的加速度的跷跷板加速计和用于测量在XY方向的加速度的电容板加速计。
[0013]图8是示出使用结合了本发明的实施例的加速计的示例的简化流程图。
[0014]除非另有说明，不同附图中使用的相同参考符号表示相同的物品。附图不一定按比例绘制。
【具体实施方式】
[0015]本发明的实施例提供了通过施加正交于粘滞力的力从MEMS器件中的与粘滞相关的事件恢复的机制。施加正交于粘滞力的矢量的弱力可以比施加平行于粘滞力的矢量的力更容易释放被阻塞的检测质量块。示例实施例提供了垂直的平行板或梳指状侧向致动器以施加正交力。另选实施例提供了第二传感器的检测质量块以碰撞被阻塞的MEMS致动器以释放粘滞。
[0016]图1是示出本领域已知的跷跷板加速计的截面图的简化结构图。加速计100包括具有绝缘层120的基板110。基板110例如可以是硅晶片，以及绝缘层120例如可以是氧化硅或氮化硅。在某些情况下，绝缘层120可从基板110热生长或绝缘层120可以被沉积。
[0017]固定电极130和135沿着行程限位区域140和145形成于绝缘层120的顶部。形成固定电极130和135和行程限位区域140和145的层通常是多晶硅，并且通过使用常规技术(包括根据应用所需而图案化所述层)形成。形成固定电极和行程限位区域的层还可以是无定形硅、氮化物、含金属的材料、另一种合适的材料等等，或其任意组合。介电层150被形成为将电极和行程限位区域与MEMS加速计的其它元件电隔离。介电层150可以由各种材料，包括，例如，氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅等等形成。
[0018]在一定的加速度下，旋转检测质量块160被配置为以类似于跷跷板的方式运动。旋转检测质量160可以被配置成使得通过旋转点165在旋转检测质量块的侧面170和旋转检测质量块的侧面175之间不平衡。所述不平衡的量将影响器件对于加速度的敏感程度。在旋转检测质量块的侧面170上配置的电极180与固定电极130相关联，而旋转检测质量块上的电极185与固定电极135相关联。此外，在旋转检测质量块的侧面170上的行程限位部190与行程限位区域140相关联，以及在旋转检测质量块的侧面175上的行程限位部195与行程限位区域145相关联。旋转检测质量块160，包括行程限位部190和195，通常是由多晶硅形成的。
[0019]电极180和固定电极130形成了第一可变传感电容器，同时电极185和固定电极135形成了第二可变传感电容器。第一和第二可变传感电容器中的电容变化可以被组合以从MEMS加速计100提供差分输出。
[0020]可以使用已知的MEMS制作工艺执行MEMS加速计100的组件的制作。
[0021]图2是示出在制作阶段期间在MEMS加速计100的末端175的行程限位区域的近摄截面图的简化结构图。正如上面所讨论的，基板110设置有绝缘层120，其中基板110可以是硅晶片，并且绝缘层120可以是氧化硅。第一多晶硅层210形成于绝缘层120上，从而部分地形成了行程限位区域145。介电层150形成于绝缘层120和多晶硅层210上，例如为了防止绝缘层120的过度蚀刻。牺牲层220形成于被图案化的介电层150和多晶硅层210的暴露区域的顶部。通常使用原硅酸四乙酯(TEOS)气体来形成牺牲层220以形成氧化硅牺牲层，或者所述牺牲层220可以由磷硅玻璃(PSG)形成。牺牲层可以被图案化以为MEMS器件的下一层形成“模”。第二多晶硅层230可以形成于被图案化的牺牲层上，以形成旋转检测质量块160，包括行程限位部195。根据应用所需，被图案化的层的累积会继续。
[0022]图3是示出在图2制作阶段之后的制作阶段期间的行程限位区域的截面图的简化结构图。通常使用对牺牲层有选择性的各向同性湿法蚀刻工艺来移除牺牲层220。蚀刻可以通过气相或液相工艺来执行。
[0023]图4是示出了在加速计的使用期间的行程限位区域的截面图的简化结构图。在旋转检测质量块160上的与加速度相关的力AG足以超过加速计的设计规范。这导致行程限位部195碰撞行程限位区域145，从而防止电极185接触固定电极135。然而，在这种情况下，粘滞力例如范德华力、静电力和/或氢键结合力可以导致行程限位表面粘到行程限位区域。一旦发生这种情况，释放旋转检测质量块并且继续正常操作可能是困难的。
[0024]已经确定的是可以使用力或冲量来释放粘滞力，其中所述力或冲量的大小比在平行于粘滞力的方向上施加的释放力小很多。本发明的实施例提供了一种机制，通过所述机制，所述旋转检测质量块可以通过施加正交于粘滞力的力被释放，其中所述粘滞力使行程限位部195的表面区域与行程限位区域145保持接触。正如在下面将要更充分讨论的，正交力可以通过使用形成于旋转检测质量块的侧面上的静电致动器被施加，或通过与在MEMS封装内提供的另一个检测质量块的机械碰撞被施加。
[0025]图5是根据本发明的一个实施例的跷跷板加速计组件500的平面图，所述组件包括用于施加正交于粘滞力的静电力的部件。跷跷板加速计是使用类似于上面描述的工艺制作的，结果产生了通过旋转点165旋转的旋转检测质量块160。行程限位部190和195被示出位于旋转的检测质量块的下方。
[0026]正如上面所讨论的，与粘滞力的方向正交的力可以被施加以释放旋转检测质量块，其中所述粘滞力将行程限位保持到行程限位区域。正交力电极510在形成于旋转检测质量块160上的行程限位部(例如，行程限位部195)的附近区域。正交力电极510被形成为使得通过电极施加的静电力将与保持行程限位部195的粘滞力正交。静电力可以通过固定电极520被施加。固定电极520形成于表面530上的接近电极510的区域内。正交力电极510和固定电极520是使用微机电系统制作领域中已知的技术形成的，例如上述的那些。
[0027]释放被粘滞保持的MEMS器件所需的正交作用力的大小可能取决于各种与MEMS器件相关的因素，包括，例如，弹簧常数、行程限位部的接触面积、湿度条件等等。对于特定的加速计组件设计，可进行分析以确定针对该设计的正交作用力的适当的大小。该力的大小可以被用于确定正交力电极510和固定电极520的尺寸，以及施加于正交力电极和固定电极的静电电荷的大小。然而，在某些情况下，正交力的大小可以足够大以要求正交力电极510和固定电极520对于旋转检测质量块的尺寸而言是不切实际的大。
[0028]图6是根据本发明的一个实施例的跷跷板加速计组件600的平面图，该组件包括用于施加正交于粘滞力的静电力的另选部件。跷跷板加速计是使用类似于上面所描述的工艺制作的，结果产生了通过旋转点165旋转的旋转检测质量块160。行程限位部190和195被示出为位于旋转检测质量块的下方。
[0029]对于用于释放被粘滞保持的旋转检测质量块160的正交力的大小大得足以以使平板正交力电极(例如，510)不切实际的应用，可以使用梳状电极配置。正交力梳状电极610形成于旋转检测质量160上的行程限位部195附近的区域内。一组正交力梳状电极610被形成为使得通过电极施加的静电力将与保持行程限位部195的粘滞力正交。静电力可以通过相应的固定梳状电极620被施加。固定梳状电极620形成于表面630上的接近电极610的区域内。正交力梳状电极610和固定梳状电极620使用MEMS制作领域中已知的技术(例如，使用深度反应离子蚀刻技术)来形成。
[0030]通过使用梳状电极，例如正交力梳状电极610和固定梳状电极620，电极之间的附加电容表面面积可以在类似区域内的单一平板电容性电极上实现。因此，相比于平板电极，在相同的面积内，较大的正交力可以通过施加于梳状电极的静电电荷，而被施加于旋转检测质量块的末端。
[0031]图7是加速计组件700的平面图,所述组件包括了用于测量在Z方向(在页面外的)的加速度的跷跷板加速计和用于测量在XY方向(在页面的平面内)的加速度的电容板加速计，其中电容板加速计被修改成在粘滞事件期间使用正交力或冲量碰撞跷跷板加速计。跷跷板加速计是使用类似于上面描述的工艺制作的，结果产生了通过旋转点165旋转的旋转检测质量块160。行程限位部190和195被示出为位于旋转检测质量块的下方。
[0032]典型的三轴MEMS加速计不仅包括用于测量在Z方向的加速度的跷跷板组件，而且还包括用于测量在XY方向的加速度的电容板加速计。电容板加速计710包括检测质量块720，四组电容板电极区域730、740、750和760在其上形成。电容板电极被定向成探测检测质量块在X (例如，使用固定电极752、754、756和758连同被放置在检测质量块的区域750内部的相应的电极(未示出))和Y(例如，使用固定电极732、734、736和738连同被放置在检测质量块的区域730内部的相应的电极(未示出))两者方向的位移。检测质量块沿着检测质量块的边缘被弯曲元件780耦合于固定支架。在另选实施例中，位于检测质量块区域内的弯曲元件使得检测质量块可以移动。此外，虽然弯曲元件780被示为板式弹簧，另选例可以包括诸如悬臂、U形弹簧等等的结构。本发明的实施例不限于用来使XY加速计检测质量快相对于加速计的固定部分移动的机构。
[0033]XY加速计和Z加速计在单一封装中的这种组合在现有技术中是可获得的。在本发明的一个实施例中，XY加速计被修改成在检测质量块710上包含碰撞点770。碰撞点770在加速计组件700的以下区域提供，所述区域在旋转检测质量块160的末端附近(例如，行程限位部195附近)。当将静电电荷施加于电容板电极区域730、740、750和760中的一个或多个电容板电极时，撞击点770由具有足以碰撞旋转检测质量块的末端的尺寸形成。在旋转检测质量块160的粘滞事件期间，静电电荷可以被应用于电容板电极。通过碰撞点770施加于旋转检测质量块160的末端的力与通过行程限位部195生成的粘滞力正交。
[0034]图8是示出结合了本发明实施例的加速计的使用的例子的简化流程图。在加速计的典型操作期间，力被施加于加速计(例如，通过移动加速计或者包括加速计的器件)(810)。在力施加期间，从加速计测量信号。例如，在一种类型的跷跷板加速计中，电容值是从电极180和固定电极130和/或电极185以及固定电极135测量的。电容从静止值的变化与施加于加速计的力相关。
[0035]然后做出粘滞事件是否发生的判定(830)。例如，如果源自加速计的信号等于或大于加速计的预定阈值，那么粘滞事件可以被指示(例如，在旋转检测质量块上的电极和固定电极之间的最大电容值)。另选地，在延长的时间段中提供了阈值或者更大值的信号可以指示粘滞事件。如果判定是没有粘滞事件发生，那么附加的力可以被施加并且被加速计测量。如果判定是有粘滞事件发生，那么正交于粘滞力的力可以被施加于加速计(840)。这种正交力可以通过电磁或物理部件通过例如上述机制施加。一旦正交力被施加，可以判断粘滞事件是否继续。如果没有，那么加速计的正常操作可以继续(810)。如果粘滞事件继续，那么正交力可以被重新施加于加速计，直到粘滞事件被解决(840)。
[0036]提供用于释放加速计类型MEMS器件中粘滞事件的机制的优点是改善器件的灵敏度。在传统MEMS加速计的一种类型中，粘滞力通过增加器件的弹簧常数来对抗。但增加弹簧常数减小了 MEMS器件对微弱的加速度力的灵敏度。在传统MEMS器件的另一种类型中，通过增加器件的可移动部分和器件固定部分之间的距离降低发生粘滞的机会。但是这增加了电容板之间的距离，而且因此会减小测量电容的差异。通过使用本发明的实施例提供释放粘滞事件的机制允许更低的弹簧常数和部件之间更小的距离，这两者都可以提高器件的灵敏度。
[0037]目前应该了解的是，提供了从微机电系统器件中的粘滞事件中恢复的方法。所述方法包括使MEMS器件受到足以引起所述MEMS器件的移动部分和所述MEMS器件的固定部分之间的粘滞的力，以及给所述MEMS器件施加足以释放所述MEMS器件的所述移动部分和所述MEMS器件的所述固定部分之间的粘滞的释放力。所述释放力包括正交于与所述粘滞相关联的粘滞力矢量的释放力矢量。所述施加是由包括所述MEMS器件的封装内的组件执行的。
[0038]在上述实施例的一方面，所述MEMS器件是跷跷板加速计并且所述MEMS器件的所述移动部分是旋转检测质量块。在另一方面，所述释放力是电磁力。在另一方面，提供电磁力的所述封装内的组件包括形成于所述旋转检测质量块的末端的侧面上的电极以及形成于接近所述电极(所述电极形成于旋转检测质量块的末端的侧面上)的固定面上的固定电极。在另一方面，所述施加释放力包括施加所述电荷到所述固定电极，其中所述电荷足够大以引起电磁力，并且所述释放力包括电磁力。
[0039]在上述实施例的另一方面，所述MEMS器件是跷跷板加速计，所述MEMS器件的移动部分是旋转检测质量块，并且施加所述释放力包括用机械力碰撞所述旋转检测质量块的侧面，其中所述释放力包括所述机械力。在另一方面，所述组件包括位于所述MEMS器件附近的第二 MEMS器件。在另一方面，所述第二 MEMS器件包括电容板XY加速计，并且所述电容板XY加速计包括位于所述MEMS器件附近的碰撞特征部。
[0040]上述实施例的另一方面包括探测所述MEMS器件内的粘滞事件的存在以及响应于所述探测执行施加释放力。
[0041]另一个实施例提供了一种微机电系统(MEMS)器件，所述微机电系统(MEMS)器件包括受到第一检测质量块和所述MEMS器件的固定部分之间的粘滞力的第一检测质量块；以及用于响应于所述粘滞力将释放力施加于所述第一检测质量块的部件。所述释放力足以释放所述粘滞力，并且包括正交于与所述粘滞力相关联的粘滞力矢量的释放力矢量。
[0042]在上述实施例的一方面，施加释放力的部件包括用于施加电磁力的部件。在另一方面，用于施加电磁力的部件包括形成于所述第一检测质量块的一部分的侧面上的电极；以及形成于与所述电极(所述电极形成于所述第一检测质量块的所述部分的侧面上)接近的固定表面上的所述固定电极。所述第一检测质量的所述部分包括在粘滞力下接触所述MEMS器件的所述固定部分的位置。在另一方面，所述固定电极被配置成施加足够大的电荷以与位于所述第一检测质量块的所述侧面上的电极生成电磁力，以及所述释放力包括所述电磁力。
[0043]在上述实施例的另一方面，用于施加释放力的部件包括用于施加机械力的部件。在另一方面，用于施加机械力的部件包括位于所述第一检测质量块附近的第二 MEMS器件。所述第二 MEMS器件被配置成响应于所述粘滞力碰撞所述第一检测质量块。在另一方面，跷跷板加速计包括所述第一检测质量块，所述第一检测质量块是旋转检测质量块，电容板XY加速计包括所述第二 MEMS器件，以及所述电容板XY加速计包括被配置成碰撞所述MEMS器件的碰撞特征部。在另一方面，所述电容板XY加速计进一步包括电容板对，其被配置成响应于所述粘滞力，移动所述电容板XY加速计的第二检测质量块去碰撞所述第一检测质量块。在另一方面，所述电容板对被进一步配置成响应于在所述电容板加速计的X轴或者Y轴方向的移动以提供电容信号。
[0044]另一个实施例提供了一种半导体器件封装，其具有包括第一检测质量块的Z轴加速计，并且进一步具有包括第二检测质量块的电容板XY轴加速计。当所述第一检测质量块的一部分接触固定面的时候，所述Z轴加速计受到粘滞力。所述第二检测质量块的一部分被配置成响应于所述粘滞力去碰撞所述第一检测质量的所述部分。在上述实施例的一方面，所述半导体器件封装进一步包括被通信地耦合于所述Z轴加速计和所述电容板XY轴加速计的逻辑部。所述逻辑部被配置成从所述Z轴加速计接收第一信号，其中所述第一信号指示所述粘滞力的出现。所述逻辑部被进一步配置成响应所述第一信号，给所述电容板XY轴加速计提供第二信号。所述第二检测质量块的所述部分响应于所述第二信号，碰撞所述第一检测质量块的所述部分。
[0045]由于实施本发明的装置大部分是由本领域所属技术人员所熟知的电子元件以及电路组成，为了对于本发明根本概念的理解以及认识并且为了不混淆或偏离本发明的教导，电路的细节不会以比上述认为有必要的程度的任何更大的程度进行解释。
[0046]此外，在说明书和权利要求中的术语“前面”、“后面”、“顶部”、“底部”、“上面”、“下面”等等，如果有的话，是用于描述性的目的并且不一定用于描述永久性的相对位置。应该了解的是，如此使用的术语在适当的情况下是可以互换的，从而此处描述的本发明的实施例，例如，能够在其它方向进行操作，而不是本发明所示出的或者另外描述的方向。
[0047]应了解本发明描述的架构仅仅是示范的，并且事实上实现相同功能的很多其它架构可以被实施。从抽象的但仍明确的意义上来说，达到相同功能的元件的任意排布是有效地“关联”的，以便实现所需功能。因此，本发明中为实现特定功能而结合的任意两个组件可以被看作彼此“互相关联”以便实现所需功能，而不论架构或中间组件如何。同样地，如此关联的任意两个组件也可以被看作是“可操地性连接”或“可操作地耦合”到彼此以实现所需功能。
[0048]此外，本领域所属技术人员将认识到上述的操作的功能之间的界限只是说明性的。多个操作的功能可以组合成单一的操作，和/或单一的操作功能可以分布在附加的操作中。而且，另选实施例可以包括特定操作的多个实例，并且操作的顺序在各种其它实施例中可以改变。
[0049]虽然本发明参照具体实施例进行描述，正如以下权利要求所陈述的，在不脱离本发明范围的情况下，可以进行各种修改以及变化。例如，本发明的实施例的描述涉及跷跷板类型的加速计。本发明的实施例不限于跷跷板类型的加速计，但可以包括具有被弹簧悬挂的质量块的加速计，或其它MEMS器件，所述其它MEMS器件在操作或制作期间，组件有可能彼此接触。因此，说明书以及附图被认为是说明性的而不是限制性的，并且所有这些修改旨在列入本发明范围内。关于具体实施例，本发明所描述的任何好处、优点或对问题的解决方案都不旨在被解释为任何或所有权利要求的关键的、必需的、或本质的特征或元素。
[0050]本发明所用的术语“耦合”不旨限定为直接耦合或机械耦合。
[0051]此外，本发明所用的术语“一”或“一个”被定义为一个或多个。并且，在权利要求中所用的引入性短语，如“至少一个”以及“一个或多个”不应该被解释为暗示:通过不定冠词“一”或“一个”引入的其它权利要求元素限定任何包括这样引入的权利要求元素的特定权利要求到仅包含一个所引入的权利要求元素的发明，即使当同一权利要求中包括引入性短语“一个或多个”或“至少一个”以及不定冠词，例如“一个”或“一”。使用定冠词也是如此。
[0052]除非另有说明，使用例如“第一”以及“第二”的术语是用于任意区分这些术语描述的元素的。因此，这些术语不一定旨在表示这些元素的时间或其它优先次序。
【权利要求】
1.一种微机电系统(MEMS)器件,包括: 第一检测质量块，受到所述第一检测质量块和所述MEMS器件的固定部分之间的粘滞力； 用于响应于所述粘滞力将释放力施加于所述第一检测质量块的部件，其中 所述释放力足以释放所述粘滞力，并且 所述释放力包括正交于与所述粘滞力相关联的粘滞力矢量的释放力矢量。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中用于施加释放力的部件包括用于施加电磁力的部件。
3.根据权利要求2所述的MEMS器件，其中用于施加电磁力的部件包括: 形成于所述第一检测质量块的一部分的侧面上的电极；以及 固定电极，在与形成于所述第一检测质量块的所述部分的侧面上的电极接近的固定表面上形成，其中 所述第一检测质量块的所述部分包括在所述粘滞力下与所述 MEMS器件的固定部分接触的位置。
4.根据权利要求3所述的MEMS器件，其中 所述固定电极被配置成施加足够大小的电荷以与位于所述第一检测质量块的所述侧面上的电极生成电磁力，以及所述释放力包括所述电磁力。
5.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中用于施加释放力的部件包括用于施加机械力的部件。
6.根据权利要求5所述的MEMS器件，其中用于施加机械力的部件包括: 位于所述第一检测质量块附近的第二 MEMS器件，其中所述第二 MEMS器件被配置成响应于所述粘滞力碰撞所述第一检测质量块。
7.根据权利要求6所述的MEMS器件，其中 跷跷板加速计包括所述第一检测质量块， 所述第一检测质量是旋转的检测质量块， 电容板XY加速计包括所述第二 MEMS器件，以及 所述电容板XY加速计包括被配置成碰撞所述MEMS器件的碰撞特征部。
8.根据权利要求7所述的MEMS器件，其中所述电容板XY加速计还包括: 电容板对，被配置成响应于所述粘滞力移动所述电容板XY加速计的第二检测质量块以碰撞所述第一检测质量块。
9.根据权利要求8所述的MEMS器件，其中所述电容板对被进一步配置成响应于所述电容板XY加速计的X轴或Y轴方向的移动提供电容信号。
10.一种半导体器件封装，包括: 包括第一检测质量块的Z轴加速计，其中当所述第一检测质量块的一部分接触固定表面时所述Z轴加速计受到粘滞力；以及 包括第二检测质量块的电容板XY加速计，其中所述第二检测质量块的一部分被配置成响应于所述粘滞力碰撞所述第一检测质量块的所述部分。
【文档编号】B81B7/00GK104176697SQ201410164571
【公开日】2014年12月3日 申请日期:2014年4月23日 优先权日:2013年5月23日
【发明者】贾克妙, P·T·琼斯 申请人:飞思卡尔半导体公司